Результат пошуку "bsm25" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 9
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSM250D17P2E004 | ROHM |
Description: ROHM - BSM250D17P2E004 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.7 kV, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8kW Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: -Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: -V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
BSM250D17P2E004 | ROHM Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
BSM250D17P2E004 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
BSM250D17P2E004 | Rohm Semiconductor |
Description: SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1800W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30000pF @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 66mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
BSM250D17P2E004 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
BSM25GB120DN2 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 38 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 200 W Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
BSM25GD120DN2BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSM25GD120DN2BOSA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3V Dauer-Kollektorstrom: 35A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3V Verlustleistung Pd: 200W euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: EconoPACK Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 17Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 35A Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
BSM254F | EUPEC | MODULE |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM254F | SIEMENS |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
BSM25GAL100D | EUPEC | MODULE |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GAL120D | SIEMENS |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
BSM25GAL120DN2 | EUPEC | MODULE |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GAL120DN2 | SIEMENS | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GB100D | EUPEC | MODULE |
на замовлення 247 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GB100D | SIEMENS |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
BSM25GB120D | EUPEC | MODULE |
на замовлення 155 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GB120D | SIEMENS |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
BSM25GB120DN2 | EUPEC | MODULE |
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GB120DN2 | module |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
BSM25GB120DN2 | SIEMENS | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD100D | EUPEC |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
BSM25GD100D | EUPEC | 25A/1000V/IGBT/6U |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD100D | EUPEC | MODULE |
на замовлення 560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD100D | SIEMENS |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
BSM25GD120 | EUPEC | MODULE |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120 | EUPEC IGBT | 25A1200V6U |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120D | EUPEC | 25A/1200V/IGBT/6U |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120D | EUPEC | MODULE |
на замовлення 183 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120D | SIEMENS |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
BSM25GD120D | EUPEC |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
BSM25GD120D2 | SEMENS | 25A/1200V/IGBT/6U |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120D2 | SIEMENS | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120D2 | EUPEC | MODULE |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DLC | EUPEC | 25A/1200V/IGBT/6U |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DLCE3224 | EUPEC | MODULE |
на замовлення 153 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DN1 | SIEMENS | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DN1 | EUPEC |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
BSM25GD120DN1 | EUPEC | A3-2 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DN1 | EUPEC | MODULE |
на замовлення 287 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DN12 | EUPEC | MODULE |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DN12 | EUPEC IGBT | 25A1200V6U |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DN2 | EUPEC IGBT | 25A1200V6U |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DN2 | EUPEC | 25A/1200V/IGBT/6U |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DN2 | SIEMENS | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DN2 | EUPEC | A3-2 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DN2 | EUPEC | MODULE |
на замовлення 1346 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DN2 | EUPEC |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
BSM25GD120DN2E | EUPEC | MODULE |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DN2E3224 | module |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
BSM25GD120DN2E3224 | EUPEC | 05+ DIP |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DN2E3224 | EUPEC | A3-2 |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DN2E3224 | EUPEC | MODULE |
на замовлення 254 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120DN2E3224 | EUPEC | . |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD120N2 | EUPEC | MODULE |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD60DLC | EUPEC | MODULE |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GD60DLC | SIEMENS | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GP120 | EUPEC | MODULE |
на замовлення 866 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
BSM25GP120 | EUPEC |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
BSM25GP120 | SIEMENS |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
BSM25GP120 | EUPEC | 07+ LQFP64 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
BSM250D17P2E004 |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSM250D17P2E004 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.7 kV, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8kW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
Description: ROHM - BSM250D17P2E004 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.7 kV, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8kW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 60758.41 грн |
BSM250D17P2E004 |
Виробник: ROHM Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
Discrete Semiconductor Modules 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 72971.37 грн |
BSM250D17P2E004 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 97020 грн |
BSM250D17P2E004 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1800W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 66mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Description: SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1800W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 66mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 67328.32 грн |
BSM250D17P2E004 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 171440.55 грн |
2+ | 167155.37 грн |
BSM25GB120DN2 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 2279.87 грн |
BSM25GD120DN2BOSA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSM25GD120DN2BOSA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3V
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: EconoPACK
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 17Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - BSM25GD120DN2BOSA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3V
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: EconoPACK
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 17Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 12395.12 грн |
5+ | 11815.65 грн |
10+ | 11236.18 грн |
BSM25GD120D2 |
Виробник: SEMENS
25A/1200V/IGBT/6U
25A/1200V/IGBT/6U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)BSM25GD120DLC |
Виробник: EUPEC
25A/1200V/IGBT/6U
25A/1200V/IGBT/6U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)BSM25GD120DN12 |
Виробник: EUPEC IGBT
25A1200V6U
25A1200V6U
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)BSM25GD120DN2 |
Виробник: EUPEC
25A/1200V/IGBT/6U
25A/1200V/IGBT/6U
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]