Результат пошуку "bss3" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 930
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 698
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 902
Мінімальне замовлення: 1172
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 47
Мінімальне замовлення: 29
Мінімальне замовлення: 896
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2344
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 200
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 93mΩ Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: 2.3A Drain-source voltage: 30V |
на замовлення 8665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 93mΩ Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: 2.3A Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 8665 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 95880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon |
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 893 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon |
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: PG-SOT23 On-state resistance: 80mΩ Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: -2A Drain-source voltage: -30V |
на замовлення 2101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: PG-SOT23 On-state resistance: 80mΩ Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: -2A Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2101 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: PG-SOT23 On-state resistance: 0.14Ω Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: -1.5A Drain-source voltage: -30V |
на замовлення 5197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: PG-SOT23 On-state resistance: 0.14Ω Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: -1.5A Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5197 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon |
P-MOSFET 30V 1.5A 140mΩ 500mW BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327 Infineon TBSS314pe кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2435 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
Bss315 | HBE |
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
Bss315 | HBE |
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 280 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: PG-SOT23 On-state resistance: 0.15Ω Technology: OptiMOS™ P2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: -1.5A Drain-source voltage: -30V |
на замовлення 5923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: PG-SOT23 On-state resistance: 0.15Ω Technology: OptiMOS™ P2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: -1.5A Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5923 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 26800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS316NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.28Ω Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: 1.4A Drain-source voltage: 30V |
на замовлення 13285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS316NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.28Ω Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: 1.4A Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13285 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 22765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 570000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 570000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS316NH6327XTSA1 | Infineon |
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSS30 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BSS306NH6327 | Infineon technologies |
на замовлення 5810 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BSS306NL6327 | Infineon technologies |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BSS308PE H6327 | Infineon |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BSS308PEH6327 | Infineon technologies |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BSS31 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BSS314PEH6327 | Infineon technologies |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BSS314PEL6327 | Infineon |
на замовлення 266880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BSS315P H6327 | Infineon |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
Bss316NH6327 | Infineon technologies |
на замовлення 7980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BSS316NH6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
BSS32 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BSS33 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BSS34 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BSS35 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
BSS36 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 30V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 8665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 8.05 грн |
60+ | 6.23 грн |
100+ | 5.54 грн |
170+ | 4.77 грн |
470+ | 4.5 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8665 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 9.66 грн |
35+ | 7.76 грн |
100+ | 6.64 грн |
170+ | 5.73 грн |
470+ | 5.4 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.05 грн |
6000+ | 4.86 грн |
9000+ | 4.81 грн |
24000+ | 4.6 грн |
30000+ | 4.21 грн |
45000+ | 4 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.31 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.43 грн |
6000+ | 5.24 грн |
9000+ | 5.18 грн |
24000+ | 4.95 грн |
30000+ | 4.54 грн |
45000+ | 4.31 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 95880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
930+ | 12.52 грн |
1000+ | 11.64 грн |
1143+ | 10.19 грн |
1188+ | 9.45 грн |
2000+ | 8.27 грн |
9000+ | 7.52 грн |
18000+ | 6.76 грн |
36000+ | 6.75 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.16 грн |
6000+ | 4.98 грн |
9000+ | 4.93 грн |
24000+ | 4.71 грн |
30000+ | 4.31 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.81 грн |
6000+ | 4.63 грн |
9000+ | 4.59 грн |
24000+ | 4.38 грн |
30000+ | 4.02 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 893 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 5.89 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 5.89 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 80mΩ
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Drain-source voltage: -30V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 80mΩ
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 28.32 грн |
19+ | 19.03 грн |
26+ | 13.7 грн |
100+ | 11.21 грн |
141+ | 5.74 грн |
389+ | 5.4 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 80mΩ
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 80mΩ
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 33.98 грн |
11+ | 23.71 грн |
25+ | 16.44 грн |
100+ | 13.45 грн |
141+ | 6.89 грн |
389+ | 6.48 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.11 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
698+ | 16.69 грн |
702+ | 16.59 грн |
864+ | 13.49 грн |
1000+ | 12.16 грн |
2000+ | 11.18 грн |
9000+ | 9.57 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.09 грн |
9000+ | 7.03 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.4 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.27 грн |
9000+ | 6.22 грн |
24000+ | 4.66 грн |
45000+ | 4.45 грн |
99000+ | 4.07 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.59 грн |
9000+ | 6.53 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 28.32 грн |
19+ | 18.41 грн |
25+ | 14.81 грн |
100+ | 8.3 грн |
189+ | 4.29 грн |
518+ | 4.01 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 33.98 грн |
12+ | 22.94 грн |
25+ | 17.77 грн |
100+ | 9.96 грн |
189+ | 5.15 грн |
518+ | 4.82 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.11 грн |
6000+ | 5.41 грн |
12000+ | 5.36 грн |
18000+ | 5.07 грн |
30000+ | 3.93 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 26.92 грн |
29+ | 20.54 грн |
30+ | 19.24 грн |
100+ | 8.9 грн |
250+ | 8.15 грн |
500+ | 7.38 грн |
1000+ | 5.7 грн |
3000+ | 4.99 грн |
6000+ | 3.82 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.74 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
902+ | 12.91 грн |
976+ | 11.94 грн |
1112+ | 10.48 грн |
1154+ | 9.73 грн |
2000+ | 8.51 грн |
9000+ | 7.74 грн |
18000+ | 6.95 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1172+ | 9.93 грн |
1184+ | 9.83 грн |
1256+ | 9.28 грн |
1626+ | 6.91 грн |
3000+ | 5.59 грн |
6000+ | 4.12 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.69 грн |
6000+ | 5.04 грн |
12000+ | 4.99 грн |
18000+ | 4.72 грн |
30000+ | 3.66 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon
P-MOSFET 30V 1.5A 140mΩ 500mW BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327 Infineon TBSS314pe
кількість в упаковці: 100 шт
P-MOSFET 30V 1.5A 140mΩ 500mW BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327 Infineon TBSS314pe
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 25.59 грн |
Bss315 |
Виробник: HBE
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315
кількість в упаковці: 500 шт
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.71 грн |
Bss315 |
Виробник: HBE
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315
кількість в упаковці: 500 шт
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.71 грн |
BSS315PH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 5923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
47+ | 7.97 грн |
52+ | 6.71 грн |
157+ | 5.12 грн |
431+ | 4.84 грн |
BSS315PH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5923 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 9.57 грн |
50+ | 8.36 грн |
157+ | 6.14 грн |
431+ | 5.81 грн |
BSS315PH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
896+ | 13 грн |
984+ | 11.84 грн |
1143+ | 10.19 грн |
1205+ | 9.32 грн |
2000+ | 8.05 грн |
9000+ | 7.26 грн |
18000+ | 6.41 грн |
BSS315PH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.99 грн |
6000+ | 3.93 грн |
9000+ | 3.68 грн |
24000+ | 3.52 грн |
BSS315PH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.68 грн |
6000+ | 4.62 грн |
9000+ | 4.33 грн |
24000+ | 4.12 грн |
30000+ | 3.78 грн |
45000+ | 3.6 грн |
75000+ | 3.56 грн |
99000+ | 3.53 грн |
150000+ | 3.49 грн |
BSS315PH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.66 грн |
9000+ | 5.88 грн |
24000+ | 5.74 грн |
45000+ | 4.93 грн |
99000+ | 4.29 грн |
BSS315PH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.35 грн |
6000+ | 4.3 грн |
9000+ | 4.03 грн |
24000+ | 3.84 грн |
30000+ | 3.52 грн |
45000+ | 3.35 грн |
75000+ | 3.31 грн |
99000+ | 3.28 грн |
150000+ | 3.25 грн |
BSS315PH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.91 грн |
BSS316NH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Drain-source voltage: 30V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 13285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 22.35 грн |
26+ | 13.49 грн |
36+ | 9.85 грн |
100+ | 6.11 грн |
226+ | 3.57 грн |
620+ | 3.38 грн |
3000+ | 3.29 грн |
BSS316NH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13285 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 26.83 грн |
16+ | 16.81 грн |
25+ | 11.82 грн |
100+ | 7.33 грн |
226+ | 4.28 грн |
620+ | 4.05 грн |
3000+ | 3.94 грн |
BSS316NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2344+ | 4.97 грн |
2348+ | 4.96 грн |
2547+ | 4.57 грн |
2618+ | 4.29 грн |
12000+ | 3.76 грн |
BSS316NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BSS316NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 570000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.61 грн |
9000+ | 4.1 грн |
24000+ | 3.81 грн |
45000+ | 3.26 грн |
99000+ | 2.89 грн |
BSS316NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 570000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.64 грн |
9000+ | 2.57 грн |
24000+ | 2.54 грн |
45000+ | 2.38 грн |
BSS316NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 2.88 грн |
BSS306NH6327 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 5810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)BSS314PEH6327 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Bss316NH6327 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)BSS316NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]