Результат пошуку "d3nk6" : 25
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD3NK60Z-1 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 26175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD3NK60Z-1 | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD3NK60Z-1 | ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STD3NK60Z-1 | ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
STD3NK60ZT4 | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 112-121 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STD3NK60Z | ST | TO-251 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| STD3NK60Z | ST | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| STD3NK60Z | STM | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| STD3NK60Z | ST | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| STD3NK60ZFP | ST | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| STD3NK60ZFP | STM | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| STD3NK60ZFP | ST | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| STD3NK60ZT4******* |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
STD3NK60Z-1 (IPAK, ST) Код товару: 114501 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: IPAK Uds,V: 600 V Idd,A: 2,4 A Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 311/11,8 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
 |
STD3NK60ZD Код товару: 83422 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
STD3NK60ZT4 (транзистор) Код товару: 51607 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
STD3NK60Z-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
STD3NK60Z-1 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| STD3NK60Z-1 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| STD3NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| STD3NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
STD3NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| STD3NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.51A Pulsed drain current: 9.6A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
| STD3NK60Z-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 26175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 16.2 грн |
| STD3NK60Z-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A
MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.4 грн |
| 10+ | 55.52 грн |
| 100+ | 38.28 грн |
| 500+ | 32.44 грн |
| 1000+ | 24.92 грн |
| 3000+ | 23.68 грн |
| 9000+ | 23.43 грн |
| STD3NK60Z-1 |
|
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1
кількість в упаковці: 25 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 21.02 грн |
| STD3NK60Z-1 |
|
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1
кількість в упаковці: 25 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK STD3NK60Z-1 TSTD3NK60Z-1
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 13.28 грн |
| STD3NK60ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.57 грн |
| 10+ | 72.16 грн |
| 100+ | 48.6 грн |
| 500+ | 41.14 грн |
| 1000+ | 35.11 грн |
| 2500+ | 29.78 грн |
| STD3NK60Z-1 (IPAK, ST) Код товару: 114501 |
|
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: IPAK
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,4 A
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 311/11,8
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: IPAK
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,4 A
Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 311/11,8
Монтаж: THT
товар відсутній
| STD3NK60Z-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
| STD3NK60Z-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| STD3NK60Z-1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
| STD3NK60ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
| STD3NK60ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
| STD3NK60ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
| STD3NK60ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; Idm: 9.6A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній