Результат пошуку "dmc3021" : 30
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 687
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 35
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 392
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2500
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMC3021LK4-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LK4-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel, Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-4L Part Status: Active |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LK4-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel, Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-4L Part Status: Active |
на замовлення 57210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LK4-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5K |
на замовлення 3646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-8.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.021/0.039Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-8.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.021/0.039Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2317 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSD-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 438076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
DMC3021LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET COMP PAIR |
на замовлення 28941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSD-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSD-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 437500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSD-13 | DIODES/ZETEX |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSD-13 | DIODES/ZETEX |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSDQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS 30V Comp Pair |
на замовлення 40761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSDQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 141172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DMC3021LSD-13 Код товару: 88668 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
DMC3021LK4-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6.8/-9.4A Power dissipation: 2.75W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.021/0.039Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
DMC3021LK4-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
DMC3021LSD-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
DMC3021LSDQ-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
DMC3021LK4-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6.8/-9.4A Power dissipation: 2.75W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.021/0.039Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
DMC3021LK4-13 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 13.21 грн |
DMC3021LK4-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 13.32 грн |
5000+ | 12.17 грн |
12500+ | 11.3 грн |
25000+ | 10.36 грн |
DMC3021LK4-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 57210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39.1 грн |
10+ | 32.52 грн |
100+ | 22.61 грн |
500+ | 16.57 грн |
1000+ | 13.47 грн |
DMC3021LK4-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5K
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5K
на замовлення 3646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 42.78 грн |
10+ | 36.13 грн |
100+ | 21.88 грн |
500+ | 17.09 грн |
1000+ | 13.87 грн |
2500+ | 11.9 грн |
DMC3021LSD-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 19.68 грн |
25+ | 16.57 грн |
63+ | 12.66 грн |
172+ | 11.98 грн |
1000+ | 11.71 грн |
DMC3021LSD-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 23.62 грн |
25+ | 20.64 грн |
63+ | 15.2 грн |
172+ | 14.38 грн |
1000+ | 14.05 грн |
DMC3021LSD-13 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
687+ | 16.97 грн |
779+ | 14.95 грн |
857+ | 13.6 грн |
1000+ | 11.83 грн |
2500+ | 9.76 грн |
DMC3021LSD-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 438076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 36.97 грн |
10+ | 30.12 грн |
100+ | 20.92 грн |
500+ | 15.33 грн |
1000+ | 12.46 грн |
DMC3021LSD-13 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 16.86 грн |
37+ | 15.75 грн |
100+ | 13.88 грн |
500+ | 12.18 грн |
1000+ | 10.17 грн |
2500+ | 8.7 грн |
DMC3021LSD-13 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)DMC3021LSD-13 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 35 грн |
20+ | 28.91 грн |
25+ | 27.62 грн |
100+ | 19.9 грн |
250+ | 18.24 грн |
500+ | 14.6 грн |
DMC3021LSD-13 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 12.22 грн |
DMC3021LSD-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET COMP PAIR
MOSFET MOSFET COMP PAIR
на замовлення 28941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 35.65 грн |
11+ | 29.48 грн |
100+ | 18.27 грн |
500+ | 14.98 грн |
1000+ | 11.83 грн |
2500+ | 10.98 грн |
DMC3021LSD-13 |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 32.73 грн |
50+ | 26.84 грн |
DMC3021LSD-13 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
392+ | 29.74 грн |
524+ | 22.23 грн |
530+ | 22 грн |
DMC3021LSD-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 437500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 12.32 грн |
5000+ | 11.26 грн |
12500+ | 10.46 грн |
25000+ | 9.59 грн |
62500+ | 9.34 грн |
DMC3021LSD-13 |
Виробник: DIODES/ZETEX
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 11.96 грн |
DMC3021LSD-13 |
Виробник: DIODES/ZETEX
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 11.96 грн |
DMC3021LSDQ-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 14.48 грн |
5000+ | 13.21 грн |
12500+ | 12.23 грн |
25000+ | 11.37 грн |
DMC3021LSDQ-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS 30V Comp Pair
MOSFET MOSFET BVDSS 30V Comp Pair
на замовлення 40761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.33 грн |
10+ | 35.37 грн |
100+ | 21.36 грн |
500+ | 17.81 грн |
1000+ | 15.18 грн |
2500+ | 12.22 грн |
DMC3021LSDQ-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 141172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 38.39 грн |
10+ | 31.76 грн |
100+ | 22.02 грн |
500+ | 17.27 грн |
1000+ | 14.7 грн |
DMC3021LSDQ-13 |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 14.87 грн |
DMC3021LK4-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-9.4A
Power dissipation: 2.75W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-9.4A
Power dissipation: 2.75W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMC3021LK4-13 |
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMC3021LSDQ-13 |
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMC3021LK4-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-9.4A
Power dissipation: 2.75W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-9.4A
Power dissipation: 2.75W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній