Результат пошуку "f3710" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF3710PBF IRF3710PBF
Код товару: 43009 		IR irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 870 шт
1+40 грн
10+ 36 грн
100+ 32.4 грн
IRF3710SPBF IRF3710SPBF
Код товару: 43364 		IR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 29 шт
1+68 грн
10+ 63.4 грн
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 190954 		JSMICRO IRF3710ZPBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 94 шт
1+45 грн
10+ 40.5 грн
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF
Код товару: 44978 		IR irf3710zpbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
1+49.5 грн
F3710S
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRF3710ZS International Rectifier Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7 MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+175.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Infineon Technologies Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.6 грн
10+ 189.7 грн
100+ 153.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL Infineon Technologies auirf3710z-1225369.pdf MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.55 грн
10+ 211.62 грн
25+ 183.36 грн
100+ 148.53 грн
500+ 134.72 грн
800+ 111.72 грн
2400+ 105.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3710 International Rectifier/Infineon N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+124.8 грн
10+ 62.4 грн
100+ 47.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3710 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF3710 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF3710 JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF3710 Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.1 грн
6+ 67.77 грн
10+ 59.56 грн
16+ 52.03 грн
43+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3710PBF Infineon irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+138.6 грн
10+ 77.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 399 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+97.31 грн
4+ 84.46 грн
10+ 71.47 грн
16+ 62.43 грн
43+ 59.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3710_DataSheet_v01_01_EN-3362769.pdf MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.64 грн
10+ 85.4 грн
100+ 61.71 грн
500+ 52.71 грн
1000+ 45.54 грн
2000+ 44.43 грн
5000+ 43.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3710PBF IRF3710PBF Infineon Technologies irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 6849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.35 грн
50+ 82.87 грн
100+ 68.19 грн
500+ 54.15 грн
1000+ 45.94 грн
2000+ 43.65 грн
5000+ 41.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
16+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRF3710STRL Infineon Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 764 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN-3363041.pdf MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 56023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.88 грн
10+ 102.78 грн
100+ 74.26 грн
250+ 72.29 грн
500+ 68.35 грн
800+ 49.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 16359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+ 97.69 грн
100+ 77.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.31 грн
1600+ 55.81 грн
2400+ 53.02 грн
5600+ 47.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3710Z International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF3710Z International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF3710Z International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.83 грн
7+ 56.82 грн
10+ 49.97 грн
19+ 43.13 грн
51+ 41.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+70.81 грн
10+ 59.97 грн
19+ 51.75 грн
51+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.66 грн
10+ 81.26 грн
100+ 64.64 грн
500+ 51.33 грн
1000+ 43.55 грн
2000+ 41.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3710Z_DataSheet_v01_01_EN-3362998.pdf MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.37 грн
10+ 81.62 грн
100+ 57.44 грн
500+ 50.34 грн
1000+ 44.89 грн
2000+ 42.59 грн
5000+ 41.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.21 грн
1600+ 56.54 грн
2400+ 53.72 грн
5600+ 48.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3710Z_DataSheet_v01_01_EN-3362998.pdf MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.58 грн
10+ 101.27 грн
100+ 76.23 грн
800+ 53.76 грн
2400+ 51.92 грн
4800+ 50.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950 Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 17963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.7 грн
10+ 98.92 грн
100+ 78.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
RF3710 RF3710 3M scotch-fastening-brochure-5pg.pdf Description: SCOTCH(TM) BUNDLING STRAPS RF371
Packaging: Package Card
Kit Type: Cable Ties
Kit Contents: 5 Straps (Black)
Part Status: Active
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+285.07 грн
10+ 249.25 грн
25+ 236.1 грн
TRF3710EVM TRF3710EVM Texas Instruments slau224.pdf Description: EVAL MODULE FOR TRF3710
Packaging: Box
For Use With/Related Products: TRF3710
Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Type: Demodulator
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20955.32 грн
TRF3710IRGZR TRF3710IRGZR Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710 Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+957.11 грн
Мінімальне замовлення: 21
TRF3710IRGZT TRF3710IRGZT Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710 Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+1146.81 грн
Мінімальне замовлення: 18
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
6+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+98.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF 3710PBF IR 09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710BF JRC TO220
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710PBF International Rectifier Corporation irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947 TO-220AB
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF3710S IR 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710S IR 8
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710S IR TO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710S IR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710STRR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710ZL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710ZLTRPBF IR 0742+ TO262
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710ZSTR Infineon N-MOSFET 100V 59A 160W 0.018Ω IRF3710ZS TIRF3710zs
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
TRF3710IRGZR TI suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710 09+
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RMW-180/60-1200/ADH-0 RMW-180/60-1200/ADH-0 TE Connectivity Raychem Cable Protection DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=7-1773465-1RMW&DocType=DS&DocLang=EN Description: HEATSHRINK 7.087" X 3.94' BLACK
Features: Abrasion Resistant, Adhesive Lined, Chemical Resistant, Corrosion Resistant, Impact Resistant, Moisture-Proof, UV Resistant
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyolefin (PO), Irradiated
Length: 3.94' (1.20m)
Type: Tubing, Semi Rigid
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Shrinkage Ratio: 3 to 1
Inner Diameter - Supplied: 7.087" (180.01mm)
Inner Diameter - Recovered: 2.360" (59.94mm)
Recovered Wall Thickness: 0.146" (3.70mm)
Part Status: Active
Storage/Refrigeration Temperature: 32°F ~ 95°F (0°C ~ 35°C)
Shelf Life: 60 Months
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3709.5 грн
5+ 3348.94 грн
10+ 3125.63 грн
25+ 2786.6 грн
50+ 2723.74 грн
SKG45N10-T SHIKUES Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
SMDJ22A SMDJ22A Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=2d9772b3-822b-4362-914d-b74e0a706638&filename=littelfuse-tvs-diode-smdj-datasheet Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 84.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.29 грн
10+ 45.87 грн
100+ 35.69 грн
500+ 28.39 грн
1000+ 23.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
AUIRF3710Z AUIRF3710Z
Код товару: 107592 		AUIRF3710Z%28S%29.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF3710 IRF3710
Код товару: 23683 		IR irf3710-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF3710STRLPBF
Код товару: 191831 		irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF3710ZS IRF3710ZS
Код товару: 99470 		IR irf3710z-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
Монтаж: SMD
товар відсутній
F371010 F371010 Aptiv (formerly Delphi) Automotive Connectors APEX2.8 14WF,INS SLC
товар відсутній
F371010-B Aptiv (formerly Delphi) Automotive Connectors APEX2.8 14WF INS+TPA+R-SEAL C
товар відсутній
IRF3710PBF
Код товару: 43009		 irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 870 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+40 грн
10+ 36 грн
100+ 32.4 грн
IRF3710SPBF
Код товару: 43364		 irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 29 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+68 грн
10+ 63.4 грн
IRF3710ZPBF
Код товару: 190954		 IRF3710ZPBF.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 94 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+45 грн
10+ 40.5 грн
IRF3710ZPBF
Код товару: 44978		 irf3710zpbf-datasheet.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+49.5 грн
F3710S
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRF3710ZS Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+175.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
AUIRF3710ZSTRL Infineon-auirf3710z-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4d844dab18b7
AUIRF3710ZSTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+234.6 грн
10+ 189.7 грн
100+ 153.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRF3710ZSTRL auirf3710z-1225369.pdf
AUIRF3710ZSTRL
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+254.55 грн
10+ 211.62 грн
25+ 183.36 грн
100+ 148.53 грн
500+ 134.72 грн
800+ 111.72 грн
2400+ 105.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3710
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+124.8 грн
10+ 62.4 грн
100+ 47.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3710
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF3710
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF3710
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+25.42 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF3710
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF3710PBF irf3710.pdf
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+81.1 грн
6+ 67.77 грн
10+ 59.56 грн
16+ 52.03 грн
43+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3710PBF irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+138.6 грн
10+ 77.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3710PBF irf3710.pdf
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 399 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.31 грн
4+ 84.46 грн
10+ 71.47 грн
16+ 62.43 грн
43+ 59.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3710PBF Infineon_IRF3710_DataSheet_v01_01_EN-3362769.pdf
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.64 грн
10+ 85.4 грн
100+ 61.71 грн
500+ 52.71 грн
1000+ 45.54 грн
2000+ 44.43 грн
5000+ 43.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3710PBF irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
IRF3710PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 6849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.35 грн
50+ 82.87 грн
100+ 68.19 грн
500+ 54.15 грн
1000+ 45.94 грн
2000+ 43.65 грн
5000+ 41.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF)
на замовлення 83 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRF3710STRL
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 764 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+56.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF3710STRLPBF Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN-3363041.pdf
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 56023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.88 грн
10+ 102.78 грн
100+ 74.26 грн
250+ 72.29 грн
500+ 68.35 грн
800+ 49.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 16359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.28 грн
10+ 97.69 грн
100+ 77.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+68.31 грн
1600+ 55.81 грн
2400+ 53.02 грн
5600+ 47.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3710Z
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF3710Z
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF3710Z
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+41.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF3710ZPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+67.83 грн
7+ 56.82 грн
10+ 49.97 грн
19+ 43.13 грн
51+ 41.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF3710ZPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+70.81 грн
10+ 59.97 грн
19+ 51.75 грн
51+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3710ZPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.66 грн
10+ 81.26 грн
100+ 64.64 грн
500+ 51.33 грн
1000+ 43.55 грн
2000+ 41.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3710ZPBF Infineon_IRF3710Z_DataSheet_v01_01_EN-3362998.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.37 грн
10+ 81.62 грн
100+ 57.44 грн
500+ 50.34 грн
1000+ 44.89 грн
2000+ 42.59 грн
5000+ 41.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+69.21 грн
1600+ 56.54 грн
2400+ 53.72 грн
5600+ 48.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3710ZSTRLPBF Infineon_IRF3710Z_DataSheet_v01_01_EN-3362998.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.58 грн
10+ 101.27 грн
100+ 76.23 грн
800+ 53.76 грн
2400+ 51.92 грн
4800+ 50.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfb3991950
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 17963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.7 грн
10+ 98.92 грн
100+ 78.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
RF3710 scotch-fastening-brochure-5pg.pdf
RF3710
Виробник: 3M
Description: SCOTCH(TM) BUNDLING STRAPS RF371
Packaging: Package Card
Kit Type: Cable Ties
Kit Contents: 5 Straps (Black)
Part Status: Active
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+285.07 грн
10+ 249.25 грн
25+ 236.1 грн
TRF3710EVM slau224.pdf
TRF3710EVM
Виробник: Texas Instruments
Description: EVAL MODULE FOR TRF3710
Packaging: Box
For Use With/Related Products: TRF3710
Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Type: Demodulator
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+20955.32 грн
TRF3710IRGZR suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710
TRF3710IRGZR
Виробник: Texas Instruments
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+957.11 грн
Мінімальне замовлення: 21
TRF3710IRGZT suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710
TRF3710IRGZT
Виробник: Texas Instruments
Description: RF DEMOD IC 1.7GHZ-2GHZ 48VQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Demodulator
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Gain: 45dB
Noise Figure: 14.5dB
LO Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
RF Frequency: 1.7GHz ~ 2GHz
Supplier Device Package: 48-VQFN (7x7)
Part Status: Active
Current - Supply: 360 mA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+1146.81 грн
Мінімальне замовлення: 18
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+98.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF 3710PBF
Виробник: IR
09+ TSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710BF
Виробник: JRC
TO220
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710PBF irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947
Виробник: International Rectifier Corporation
TO-220AB
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF3710S
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710S
Виробник: IR
8
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710S
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710S
Виробник: IR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710STRR irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710ZL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710ZLTRPBF
Виробник: IR
0742+ TO262
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3710ZSTR
Виробник: Infineon
N-MOSFET 100V 59A 160W 0.018Ω IRF3710ZS TIRF3710zs
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
TRF3710IRGZR suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Ftrf3710
Виробник: TI
09+
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RMW-180/60-1200/ADH-0 DDEController?Action=srchrtrv&DocNm=7-1773465-1RMW&DocType=DS&DocLang=EN
RMW-180/60-1200/ADH-0
Виробник: TE Connectivity Raychem Cable Protection
Description: HEATSHRINK 7.087" X 3.94' BLACK
Features: Abrasion Resistant, Adhesive Lined, Chemical Resistant, Corrosion Resistant, Impact Resistant, Moisture-Proof, UV Resistant
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Polyolefin (PO), Irradiated
Length: 3.94' (1.20m)
Type: Tubing, Semi Rigid
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Shrinkage Ratio: 3 to 1
Inner Diameter - Supplied: 7.087" (180.01mm)
Inner Diameter - Recovered: 2.360" (59.94mm)
Recovered Wall Thickness: 0.146" (3.70mm)
Part Status: Active
Storage/Refrigeration Temperature: 32°F ~ 95°F (0°C ~ 35°C)
Shelf Life: 60 Months
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3709.5 грн
5+ 3348.94 грн
10+ 3125.63 грн
25+ 2786.6 грн
50+ 2723.74 грн
SKG45N10-T
Виробник: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SP001551058; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
SMDJ22A media?resourcetype=datasheets&itemid=2d9772b3-822b-4362-914d-b74e0a706638&filename=littelfuse-tvs-diode-smdj-datasheet
SMDJ22A
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 84.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.29 грн
10+ 45.87 грн
100+ 35.69 грн
500+ 28.39 грн
1000+ 23.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
AUIRF3710Z
Код товару: 107592		 AUIRF3710Z%28S%29.pdf
AUIRF3710Z
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF3710
Код товару: 23683		 irf3710-datasheet.pdf
IRF3710
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF3710STRLPBF
Код товару: 191831		 irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF3710ZS
Код товару: 99470		 irf3710z-datasheet.pdf
IRF3710ZS
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
Монтаж: SMD
товар відсутній
F371010
F371010
Виробник: Aptiv (formerly Delphi)
Automotive Connectors APEX2.8 14WF,INS SLC
товар відсутній
F371010-B
Виробник: Aptiv (formerly Delphi)
Automotive Connectors APEX2.8 14WF INS+TPA+R-SEAL C
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]