Результат пошуку "f7309" : 37

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF7309PBF IRF7309PBF
Код товару: 36562 		IR irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 514 шт
1+22 грн
10+ 19.8 грн
100+ 17.9 грн
F7309 IOR 01+ SOP
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7309 Infineon description N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.2 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7309PBF IR irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
на замовлення 427 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+29.89 грн
11+ 24.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.21 грн
10+ 34.32 грн
13+ 27.93 грн
34+ 23.68 грн
93+ 22.37 грн
500+ 21.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7309TRPBF International Rectifier/Infineon irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
30+21.31 грн
32+ 19.89 грн
100+ 18.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 552 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+84.26 грн
6+ 42.76 грн
10+ 33.52 грн
34+ 28.41 грн
93+ 26.85 грн
500+ 25.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.76 грн
8000+ 20.87 грн
12000+ 19.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-3362942.pdf description MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.34 грн
10+ 43.64 грн
100+ 30.57 грн
500+ 27.14 грн
1000+ 22.47 грн
2000+ 21.15 грн
4000+ 20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 25534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.59 грн
10+ 43.37 грн
100+ 33.71 грн
500+ 26.82 грн
1000+ 21.84 грн
2000+ 20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7309QTRPBF IOR IRF7309QPBF.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7309TRPBF International Rectifier Corporation irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description (SO-8)
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7309TRPBF/IR IR 08+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
S6040RTP S6040RTP Littelfuse Inc. media?resourcetype=datasheets&itemid=3e6dc21e-4511-421f-834b-b78fdf51f5e3&filename=littelfuse_thyristor_sxx40x_datasheet.pdf Description: SCR 600V 40A TO220AB-R
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 430A, 520A
Current - On State (It (AV)) (Max): 25 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.8 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-220AB-R
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 40 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.81 грн
50+ 162.97 грн
100+ 139.68 грн
500+ 128.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF7309 IRF7309
Код товару: 19215 		IR IRF7309.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал) IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал)
Код товару: 45192 		IR irf7309pbf-1-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
AUIRF7309Q AUIRF7309Q Infineon Technologies auirf7309q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad17f113d4 Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
AUIRF7309Q AUIRF7309Q Infineon Technologies 1295auirf7309q.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AUIRF7309QTR AUIRF7309QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7309q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AUIRF7309QTR AUIRF7309QTR Infineon Technologies 3677878613750034auirf7309q.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AUIRF7309QTR AUIRF7309QTR Infineon Technologies auirf7309q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad17f113d4 Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
AUIRF7309QTR AUIRF7309QTR Infineon Technologies auirf7309q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad17f113d4 Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
AUIRF7309QTR Infineon Technologies 3677878613750034auirf7309q.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7309 IRF7309 Infineon Technologies irf7309.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7309HR IR - ASA only Supplier irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A T/R
товар відсутній
IRF7309PBF IRF7309PBF Infineon Technologies irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товар відсутній
IRF7309QPBF IRF7309QPBF Infineon Technologies irf7309qpbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A 8-Pin SOIC
товар відсутній
IRF7309QTRPBF IRF7309QTRPBF Infineon Technologies IRF7309QPBF.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF7309QTRPBF IRF7309QTRPBF Infineon Technologies irf7309qpbf.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AUIRF7309QTR AUIRF7309QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7309q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
7309 BECBP SKF SKF 7309_BECBP.pdf Category: Roller Bearings
Description: Bearing: single row deep groove ball; angular contact; W: 45mm
Type of bearing: single row deep groove ball
Version: angular contact
Internal diameter: 45mm
Outside diameter: 100mm
Width: 45mm
Rolling element material: bearing steel
Cage material: polyamide
Race material: bearing steel
Kind of Bearing: rolling
товар відсутній
7309 BECBP SKF SKF 7309_BECBP.pdf Category: Roller Bearings
Description: Bearing: single row deep groove ball; angular contact; W: 45mm
Type of bearing: single row deep groove ball
Version: angular contact
Internal diameter: 45mm
Outside diameter: 100mm
Width: 45mm
Rolling element material: bearing steel
Cage material: polyamide
Race material: bearing steel
Kind of Bearing: rolling
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF7309PBF
Код товару: 36562		 description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 514 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+22 грн
10+ 19.8 грн
100+ 17.9 грн
F7309
Виробник: IOR
01+ SOP
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7309 description
Виробник: Infineon
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+34.2 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
на замовлення 427 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.89 грн
11+ 24.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+70.21 грн
10+ 34.32 грн
13+ 27.93 грн
34+ 23.68 грн
93+ 22.37 грн
500+ 21.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+21.31 грн
32+ 19.89 грн
100+ 18.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 552 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.26 грн
6+ 42.76 грн
10+ 33.52 грн
34+ 28.41 грн
93+ 26.85 грн
500+ 25.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7309TRPBF description irf7309.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+22.76 грн
8000+ 20.87 грн
12000+ 19.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7309TRPBF description Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN-3362942.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.34 грн
10+ 43.64 грн
100+ 30.57 грн
500+ 27.14 грн
1000+ 22.47 грн
2000+ 21.15 грн
4000+ 20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 25534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.59 грн
10+ 43.37 грн
100+ 33.71 грн
500+ 26.82 грн
1000+ 21.84 грн
2000+ 20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7309QTRPBF IRF7309QPBF.pdf
Виробник: IOR
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
Виробник: International Rectifier Corporation
(SO-8)
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7309TRPBF/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
S6040RTP media?resourcetype=datasheets&itemid=3e6dc21e-4511-421f-834b-b78fdf51f5e3&filename=littelfuse_thyristor_sxx40x_datasheet.pdf
S6040RTP
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: SCR 600V 40A TO220AB-R
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 40 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 430A, 520A
Current - On State (It (AV)) (Max): 25 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.8 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-220AB-R
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 40 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.81 грн
50+ 162.97 грн
100+ 139.68 грн
500+ 128.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF7309
Код товару: 19215		 description IRF7309.pdf
IRF7309
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал)
Код товару: 45192		 irf7309pbf-1-datasheet.pdf
IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал)
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
AUIRF7309Q auirf7309q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad17f113d4
AUIRF7309Q
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
AUIRF7309Q 1295auirf7309q.pdf
AUIRF7309Q
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AUIRF7309QTR auirf7309q.pdf
AUIRF7309QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AUIRF7309QTR 3677878613750034auirf7309q.pdf
AUIRF7309QTR
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AUIRF7309QTR auirf7309q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad17f113d4
AUIRF7309QTR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
AUIRF7309QTR auirf7309q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ad17f113d4
AUIRF7309QTR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
AUIRF7309QTR 3677878613750034auirf7309q.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7309 description irf7309.pdf
IRF7309
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7309HR irf7309.pdf
Виробник: IR - ASA only Supplier
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A T/R
товар відсутній
IRF7309PBF description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товар відсутній
IRF7309QPBF irf7309qpbf.pdf
IRF7309QPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A 8-Pin SOIC
товар відсутній
IRF7309QTRPBF IRF7309QPBF.pdf
IRF7309QTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF7309QTRPBF irf7309qpbf.pdf
IRF7309QTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AUIRF7309QTR auirf7309q.pdf
AUIRF7309QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
7309 BECBP SKF 7309_BECBP.pdf
Виробник: SKF
Category: Roller Bearings
Description: Bearing: single row deep groove ball; angular contact; W: 45mm
Type of bearing: single row deep groove ball
Version: angular contact
Internal diameter: 45mm
Outside diameter: 100mm
Width: 45mm
Rolling element material: bearing steel
Cage material: polyamide
Race material: bearing steel
Kind of Bearing: rolling
товар відсутній
7309 BECBP SKF 7309_BECBP.pdf
Виробник: SKF
Category: Roller Bearings
Description: Bearing: single row deep groove ball; angular contact; W: 45mm
Type of bearing: single row deep groove ball
Version: angular contact
Internal diameter: 45mm
Outside diameter: 100mm
Width: 45mm
Rolling element material: bearing steel
Cage material: polyamide
Race material: bearing steel
Kind of Bearing: rolling
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній