Результат пошуку "f7316" : 44
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 31
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7316 Код товару: 3743 |
IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Id,A: 4,9 A Rds(on),Om: 0,058 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 710/23 Монтаж: SMD |
у наявності: 21 шт
|
|
|||||||||||||||
F7316 | IOR | 01+ SOP |
на замовлення 368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
F731651GGU |
на замовлення 65 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
F731651GGUR | TI | 01+ |
на замовлення 364 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
F731651GGUR | TI | 01+ BGA |
на замовлення 364 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
F731651GGUR | TI |
на замовлення 364 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
F731653GGW | TI | BGA |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
F731653GGW | TI |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
F731653GGW | TI | BGA |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
F731675GFN | TI | QFP |
на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
F731690ADDT | TI | QFP |
на замовлення 157 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7316PBF | Infineon | Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm |
на замовлення 331 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7316PBF | International Rectifier/Infineon | 2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 A; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 136 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7316PBF; -4,9A; -30V; 2W; 0,058R; P-MOSFET x2; Корпус: SO-8; Infineon (IRF) |
на замовлення 26 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7316TR | Infineon |
2xP-MOSFET 4.9A 30V 2W 0.058Ω IRF7316 smd TIRF7316 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1462 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7316TR | UMW |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7316; IRF7316TR; IRF7316GTR; SP001559786; SP001565294; SP001554174; IRF7316TR UMW TIRF7316 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7316TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7316TRPBF | International Rectifier/Infineon | 2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7316TRPBF | 2 транзистори. p-Channel VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A. SO-8 |
на замовлення 3768 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF7316TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3563 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7316TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A |
на замовлення 4450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий IRF7316_подвійний -4.9A -30V P-ch SOP-8 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7316QTRPBF | IOR |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
NTE123AP | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 20...300 Mounting: THT |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7316PBF Код товару: 20388 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
F731600 | Aptiv (formerly Delphi) | Automotive Connectors 8STEP 28WF HSG |
товар відсутній |
||||||||||||||||
F731600-B | Aptiv (formerly Delphi) | Automotive Connectors 8STEP 28WF HSG |
товар відсутній |
||||||||||||||||
1EF2 M0 F7316 | TE Connectivity | TE Connectivity |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF7316Q | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF7316QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 98mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF7316QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF7316QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FMP300JRF73-16R | Yageo | Res Metal Film 16 Ohm 5% 3W ±100ppm/C Conformal Coated AXL T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7316 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7316GTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7316PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7316PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7316QPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7316QTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7316TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7316TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF7316QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 98mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
IRF7316 Код товару: 3743 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 4,9 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/23
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 4,9 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/23
Монтаж: SMD
у наявності: 21 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 22.5 грн |
10+ | 19.8 грн |
IRF7316PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm
Транз. Пол. ММ 2P-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-4,9A; Pdmax=2W; Rds=0,058 Ohm
на замовлення 331 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 28.83 грн |
12+ | 23.17 грн |
IRF7316PBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 A; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 A; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 136 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 20.39 грн |
33+ | 19.03 грн |
100+ | 17.67 грн |
IRF7316PBF; -4,9A; -30V; 2W; 0,058R; P-MOSFET x2; Корпус: SO-8; Infineon (IRF) |
на замовлення 26 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 29.94 грн |
IRF7316TR |
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 25.42 грн |
IRF7316TR |
Виробник: UMW
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7316; IRF7316TR; IRF7316GTR; SP001559786; SP001565294; SP001554174; IRF7316TR UMW TIRF7316 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7316; IRF7316TR; IRF7316GTR; SP001559786; SP001565294; SP001554174; IRF7316TR UMW TIRF7316 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 15.18 грн |
IRF7316TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 50.13 грн |
10+ | 39.02 грн |
25+ | 32.79 грн |
35+ | 22.59 грн |
97+ | 21.36 грн |
IRF7316TRPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
2P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,9 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25; Qg, нКл = 34 @ 10 В; Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 23.17 грн |
29+ | 21.62 грн |
100+ | 20.08 грн |
IRF7316TRPBF |
2 транзистори. p-Channel VDSS = 55V, RDS(on) = 11 mOhm, ID = 85A. SO-8
на замовлення 3768 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 47.92 грн |
IRF7316TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3563 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 60.16 грн |
10+ | 48.63 грн |
25+ | 39.35 грн |
35+ | 27.11 грн |
97+ | 25.63 грн |
IRF7316TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.48 грн |
10+ | 51.62 грн |
100+ | 34.57 грн |
500+ | 32.6 грн |
1000+ | 26.35 грн |
2000+ | 25.37 грн |
4000+ | 24.97 грн |
Транзистор польовий IRF7316_подвійний -4.9A -30V P-ch SOP-8 |
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 28.87 грн |
NTE123AP |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...300
Mounting: THT
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 20...300
Mounting: THT
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 79.62 грн |
6+ | 67.09 грн |
15+ | 53.4 грн |
41+ | 49.97 грн |
AUIRF7316Q |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AUIRF7316QTR |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AUIRF7316QTR |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AUIRF7316QTR |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FMP300JRF73-16R |
Виробник: Yageo
Res Metal Film 16 Ohm 5% 3W ±100ppm/C Conformal Coated AXL T/R
Res Metal Film 16 Ohm 5% 3W ±100ppm/C Conformal Coated AXL T/R
товар відсутній
IRF7316GTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7316PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N Tube
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N Tube
товар відсутній
IRF7316PBF |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N Tube
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N Tube
товар відсутній
IRF7316QTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7316TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF7316TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
AUIRF7316QTR |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній