Результат пошуку "f7341" : 49
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7341TRPBF Код товару: 25204 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 4,7 A Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 740/24 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 208 шт
|
|
|||||||||||||||
F7341 | IOR | 01+ SOP |
на замовлення 168 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
F7341Q | IOR | 09+ SOP8 |
на замовлення 1017 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7341 | JSMicro Semiconductor |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 JSMICRO TIRF7341 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7341 | SLKOR |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 SLKOR TIRF7341 SLK кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7341GTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7341GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET PLANAR 40<-<100V |
на замовлення 17378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7341PBF | Infineon | Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V |
на замовлення 6 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7341TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7341TR | International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7341 smd TIRF7341 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 590 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7341TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET PLANAR 40<-<100V |
на замовлення 3082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7341 | IOR | 09+ SO-8 |
на замовлення 1078 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7341 | IR | SO-8 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7341 | IR | 05+ SOP-8; |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7341 | IOR |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7341 | IR | 07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7341 | IOR | 09+ |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7341 | IR | 09+ |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7341ITRPBF | IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7341Q | IR | 07+ SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7341Q | IR | SO-8 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7341Q | IR |
на замовлення 12520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7341QPBF | IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7341QTR |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7341QTRPB |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7341TR |
на замовлення 16549 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7341TR | JGSEMI | Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR JGSEMI TIRF7341 JGS |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7341TRPBF | International Rectifier Corporation | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7341PBF Код товару: 26458 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 4,7 A Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 740/24 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
IRF7341QPBF Код товару: 85128 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми 8542 39 90 00 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
AUIRF7341Q | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF7341QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 5.1A Power dissipation: 2.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF7341QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7341IPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7341ITRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7341PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7341PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7341Q | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7341QPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7341QTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7341TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
R512F73417 | Radiall | Coaxial Switches SP4T Titanium SMA 26.5GHz Latching Self-CO Auto-reset Ind. 24Vdc HE10 RECEP |
товар відсутній |
||||||||||||||||
R514F73417 | Radiall | Coaxial Switches SP4T Titanium SMA 26.5GHz Latching Self-CO Auto-reset Ind. 24Vdc HE10 RECEP |
товар відсутній |
||||||||||||||||
R514F73417R | Radiall | Coaxial Switches SP4z T S26 LSAI 24 TL C+D HeR |
товар відсутній |
||||||||||||||||
R594F73417 | Radiall | Coaxial Switches SP4T Platinum SMA 26.5GHz Latching Self-cut-off Indicators 24Vdc HE10 RECEP |
товар відсутній |
||||||||||||||||
R594F73417C | Radiall | Coaxial Switches SP4Z P S26 LSAI 24 C+D HEC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
ARF7341B | Adeunis |
ARF18 RECEIVER - 1 WAY, 4 RELAYS, IP65 BOX, 434MHZ ARF7341 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF7341QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 5.1A Power dissipation: 2.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
IRF7341TRPBF Код товару: 25204 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 208 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 33 грн |
10+ | 29.5 грн |
IRF7341 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 JSMICRO TIRF7341 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 JSMICRO TIRF7341 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.25 грн |
IRF7341 |
Виробник: SLKOR
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 SLKOR TIRF7341 SLK
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 SLKOR TIRF7341 SLK
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 10.67 грн |
IRF7341GTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 42.43 грн |
IRF7341GTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET PLANAR 40<-<100V
MOSFET PLANAR 40<-<100V
на замовлення 17378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 128.37 грн |
10+ | 102.29 грн |
100+ | 73.79 грн |
250+ | 73.13 грн |
500+ | 61.14 грн |
1000+ | 49.81 грн |
2500+ | 49.22 грн |
IRF7341PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V
Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 46.13 грн |
10+ | 25.8 грн |
IRF7341TR |
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 14.53 грн |
IRF7341TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7341 smd TIRF7341
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7341 smd TIRF7341
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 590 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.06 грн |
IRF7341TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET PLANAR 40<-<100V
MOSFET PLANAR 40<-<100V
на замовлення 3082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 77.63 грн |
10+ | 62.81 грн |
100+ | 42.5 грн |
500+ | 36.04 грн |
1000+ | 29.32 грн |
4000+ | 26.02 грн |
IRF7341TR |
Виробник: JGSEMI
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR JGSEMI TIRF7341 JGS
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR JGSEMI TIRF7341 JGS
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)IRF7341TRPBF |
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 5 дні (днів)IRF7341PBF Код товару: 26458 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
AUIRF7341Q |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AUIRF7341QTR |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AUIRF7341QTR |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7341IPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
IRF7341ITRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7341PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
IRF7341PBF |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
IRF7341Q |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC
товар відсутній
IRF7341QPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC
товар відсутній
IRF7341QTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7341TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
R512F73417 |
Виробник: Radiall
Coaxial Switches SP4T Titanium SMA 26.5GHz Latching Self-CO Auto-reset Ind. 24Vdc HE10 RECEP
Coaxial Switches SP4T Titanium SMA 26.5GHz Latching Self-CO Auto-reset Ind. 24Vdc HE10 RECEP
товар відсутній
R514F73417 |
Виробник: Radiall
Coaxial Switches SP4T Titanium SMA 26.5GHz Latching Self-CO Auto-reset Ind. 24Vdc HE10 RECEP
Coaxial Switches SP4T Titanium SMA 26.5GHz Latching Self-CO Auto-reset Ind. 24Vdc HE10 RECEP
товар відсутній
R594F73417 |
Виробник: Radiall
Coaxial Switches SP4T Platinum SMA 26.5GHz Latching Self-cut-off Indicators 24Vdc HE10 RECEP
Coaxial Switches SP4T Platinum SMA 26.5GHz Latching Self-cut-off Indicators 24Vdc HE10 RECEP
товар відсутній
ARF7341B |
Виробник: Adeunis
ARF18 RECEIVER - 1 WAY, 4 RELAYS, IP65 BOX, 434MHZ ARF7341
кількість в упаковці: 1 шт
ARF18 RECEIVER - 1 WAY, 4 RELAYS, IP65 BOX, 434MHZ ARF7341
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AUIRF7341QTR |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній