Результат пошуку "f954" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF9540NPBF IRF9540NPBF
Код товару: 31944 		IR irf9540npbf.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
у наявності: 767 шт
1+24.5 грн
10+ 21.8 грн
IRF9540NSPBF IRF9540NSPBF
Код товару: 62471 		IR irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca description Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 117 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1450/73
очікується: 100 шт
1+44 грн
10+ 41.6 грн
100+ 39 грн
IRF9540PBF
Код товару: 150143 		Siliconix irfp9540pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/61
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
1+41.5 грн
F95456-000 Littelfuse PTC Resettable Fuse 0.15A(hold) 0.3A(trip) 250VDC 3A 1.4W 3s 9Ohm Radial 9 X 4.6 X 9mm Bag/Box/Loose
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 425
F95456-000 F95456-000 LITTELFUSE 1509247.pdf Description: LITTELFUSE - F95456-000 - FUSE, PTC RESET, 250V, 150mA, RADIAL
tariffCode: 85361010
Zeit zur Auslösung: 0
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 0
Höhe: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennstrom, max.: 0
usEccn: EAR99
Haltestrom: 0
Betriebstemperatur, min.: 0
euEccn: NLR
Länge: 0
Dicke: 0
Auslösestrom: 0
Produktpalette: PolySwitch TRF600 Series
Sicherungsform: Rectangular
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.05 грн
10+ 89.21 грн
25+ 81.83 грн
50+ 68.46 грн
100+ 52.7 грн
500+ 43.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
AUIRF9540N AUIRF9540N International Rectifier IRSDS11924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 289
AUIRF9540N International Rectifier IRSDS11924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw AUIRF9540N.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 AUIRF9540N TAUIRF9540n
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+69.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF9540 IRF9540 Fairchild Semiconductor FAIRS43800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IRF9540 - 19A, 100V, 0.2OHM, P-C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+88.62 грн
Мінімальне замовлення: 222
IRF9540 SLKOR FAIRS43800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91078.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9540; IRF9540N; SP001560174; IRF9540 SLKOR TIRF9540n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF9540N Infineon description P-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 438 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF9540N Infineon description P-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF9540NL International Rectifier irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca P-MOSFET 23A 100V IRF9540NL TIRF9540nl
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540nspbf.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: -23A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -100V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.86 грн
4+ 103.37 грн
10+ 80.78 грн
27+ 76.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540nspbf.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: -23A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+148.63 грн
3+ 128.82 грн
10+ 96.94 грн
27+ 92.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF Infineon Technologies irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.64 грн
50+ 128.08 грн
100+ 105.39 грн
500+ 83.69 грн
1000+ 71.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF Infineon Technologies irf9540nspbf-1228169.pdf MOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
на замовлення 16249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.65 грн
10+ 142.84 грн
100+ 101.21 грн
250+ 93.32 грн
500+ 84.78 грн
1000+ 70.32 грн
2000+ 67.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: -23A
Gate charge: 64.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Drain-source voltage: -100V
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.09 грн
7+ 55.45 грн
10+ 45.87 грн
20+ 40.39 грн
54+ 38.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: -23A
Gate charge: 64.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.1 грн
10+ 55.04 грн
20+ 48.47 грн
54+ 46 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9540N_DataSheet_v01_01_EN-3363104.pdf MOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.71 грн
10+ 71.72 грн
100+ 48.3 грн
500+ 41.93 грн
1000+ 35.09 грн
2000+ 33.52 грн
5000+ 33.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9540NPBF IRF9540NPBF Infineon Technologies irf9540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611cfa21dc8 Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 7597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91 грн
50+ 70.77 грн
100+ 56.08 грн
500+ 44.61 грн
1000+ 36.34 грн
2000+ 34.21 грн
5000+ 32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9540NSTRL Infineon P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF9540NSTRLPBF Infineon irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca description Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pak Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=110W;
на замовлення 736 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+155.23 грн
10+ 113.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF Infineon Technologies irf9540nspbf-1228169.pdf description MOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
на замовлення 3397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.48 грн
10+ 110.34 грн
100+ 77.55 грн
500+ 76.23 грн
800+ 55.34 грн
2400+ 52.58 грн
4800+ 50.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF Infineon Technologies irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca description Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.06 грн
1600+ 57.24 грн
2400+ 54.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF Infineon Technologies irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca description Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.12 грн
10+ 100.22 грн
100+ 79.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540NSTRRPBF IRF9540NSTRRPBF Infineon Technologies irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540PBF IRF9540PBF VISHAY IRF9540PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Drain current: -13A
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Drain-source voltage: -100V
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.93 грн
7+ 51.34 грн
10+ 45.87 грн
20+ 41.07 грн
53+ 39.02 грн
250+ 38.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9540PBF IRF9540PBF VISHAY IRF9540PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Drain current: -13A
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+63.98 грн
10+ 55.04 грн
20+ 49.29 грн
53+ 46.82 грн
250+ 46 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9540PBF IRF9540PBF Vishay Siliconix 91078.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.78 грн
50+ 104.9 грн
100+ 86.32 грн
500+ 68.54 грн
1000+ 58.16 грн
2000+ 55.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540PBF IRF9540PBF Vishay Semiconductors 91078.pdf MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.24 грн
10+ 94.47 грн
100+ 64.8 грн
250+ 59.8 грн
500+ 54.28 грн
1000+ 51.33 грн
2000+ 50.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540PBF-BE3 IRF9540PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91078.pdf MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.24 грн
10+ 95.23 грн
100+ 74.92 грн
500+ 70.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540PBF-BE3 IRF9540PBF-BE3 Vishay Siliconix 91078.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.78 грн
50+ 104.9 грн
100+ 86.32 грн
500+ 68.54 грн
1000+ 58.16 грн
2000+ 55.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540SPBF IRF9540SPBF VISHAY IRF9540S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 150W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Drain current: -13A
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Drain-source voltage: -100V
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.83 грн
7+ 56.82 грн
10+ 50.66 грн
19+ 43.13 грн
51+ 41.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9540SPBF IRF9540SPBF VISHAY IRF9540S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 150W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Drain current: -13A
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+70.81 грн
10+ 60.79 грн
19+ 51.75 грн
51+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9540SPBF IRF9540SPBF Vishay Semiconductors MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.85 грн
10+ 207.08 грн
100+ 154.44 грн
500+ 137.35 грн
1000+ 117.64 грн
2000+ 103.84 грн
5000+ 100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540STRLPBF IRF9540STRLPBF Vishay Semiconductors MOSFET P-Chan 100V 19 Amp
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.71 грн
10+ 151.15 грн
100+ 105.81 грн
250+ 103.84 грн
500+ 97.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540STRLPBF IRF9540STRLPBF Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 5262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.26 грн
10+ 149.03 грн
100+ 118.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540STRLPBF IRF9540STRLPBF Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+104.23 грн
1600+ 85.17 грн
2400+ 80.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9541 IRF9541 Harris Corporation HRISS848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 4731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+125.38 грн
Мінімальне замовлення: 157
IRF9542 IRF9542 Harris Corporation HRISS848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+116.85 грн
Мінімальне замовлення: 169
IRF9543 IRF9543 Harris Corporation HRISS848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+62.36 грн
Мінімальне замовлення: 317
Транзистор польовий IRF9540NSTRLPBF -23A -100V P-ch D2PAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
Транзистор польовий IRF9540PBF -19A -100V P-ch TO-220
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
93CW40DF-9547 TOSHIBA QFP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
93CW40DF-9547 TOSHIBA QFP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540 IR FAIRS43800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91078.pdf description
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540 IR FAIRS43800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91078.pdf description 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540 IR FAIRS43800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91078.pdf description 2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540 FAIRCHILD FAIRS43800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91078.pdf description TO-220AB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540NPBF International Rectifier Corporation irf9540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611cfa21dc8 MOSFET P-CH 100V 23A TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF9540NPBF 60K IR TO-220 2010+
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540NS IR 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540NS IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540NS IR TO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540NS IR 04+
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540NS IR 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540NSPBF International Rectifier Corporation irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca description D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF9540NSTRLPBF International Rectifier Corporation irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca description D2PAK
на замовлення 110 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF9540STRL IR IRF9Z34S_1.jpg
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540STRPBF
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540NPBF
Код товару: 31944		 irf9540npbf.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
у наявності: 767 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+24.5 грн
10+ 21.8 грн
IRF9540NSPBF
Код товару: 62471		 description irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca
IRF9540NSPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 117 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1450/73
очікується: 100 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+44 грн
10+ 41.6 грн
100+ 39 грн
IRF9540PBF
Код товару: 150143		 irfp9540pbf-datasheet.pdf
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/61
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+41.5 грн
F95456-000
Виробник: Littelfuse
PTC Resettable Fuse 0.15A(hold) 0.3A(trip) 250VDC 3A 1.4W 3s 9Ohm Radial 9 X 4.6 X 9mm Bag/Box/Loose
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
425+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 425
F95456-000 1509247.pdf
F95456-000
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - F95456-000 - FUSE, PTC RESET, 250V, 150mA, RADIAL
tariffCode: 85361010
Zeit zur Auslösung: 0
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 0
Höhe: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennstrom, max.: 0
usEccn: EAR99
Haltestrom: 0
Betriebstemperatur, min.: 0
euEccn: NLR
Länge: 0
Dicke: 0
Auslösestrom: 0
Produktpalette: PolySwitch TRF600 Series
Sicherungsform: Rectangular
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+98.05 грн
10+ 89.21 грн
25+ 81.83 грн
50+ 68.46 грн
100+ 52.7 грн
500+ 43.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
AUIRF9540N IRSDS11924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF9540N
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
289+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 289
AUIRF9540N IRSDS11924-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw AUIRF9540N.pdf
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 AUIRF9540N TAUIRF9540n
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+69.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF9540 description FAIRS43800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9540
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IRF9540 - 19A, 100V, 0.2OHM, P-C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
222+88.62 грн
Мінімальне замовлення: 222
IRF9540 description FAIRS43800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91078.pdf
Виробник: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9540; IRF9540N; SP001560174; IRF9540 SLKOR TIRF9540n SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF9540N description
Виробник: Infineon
P-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 438 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF9540N description
Виробник: Infineon
P-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF9540NL irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 23A 100V IRF9540NL TIRF9540nl
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF9540NLPBF irf9540nspbf.pdf
IRF9540NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: -23A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -100V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.86 грн
4+ 103.37 грн
10+ 80.78 грн
27+ 76.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540NLPBF irf9540nspbf.pdf
IRF9540NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: -23A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+148.63 грн
3+ 128.82 грн
10+ 96.94 грн
27+ 92.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540NLPBF irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca
IRF9540NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.64 грн
50+ 128.08 грн
100+ 105.39 грн
500+ 83.69 грн
1000+ 71.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540NLPBF irf9540nspbf-1228169.pdf
IRF9540NLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
на замовлення 16249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.65 грн
10+ 142.84 грн
100+ 101.21 грн
250+ 93.32 грн
500+ 84.78 грн
1000+ 70.32 грн
2000+ 67.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540NPBF irf9540n.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: -23A
Gate charge: 64.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Drain-source voltage: -100V
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+67.09 грн
7+ 55.45 грн
10+ 45.87 грн
20+ 40.39 грн
54+ 38.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9540NPBF irf9540n.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: -23A
Gate charge: 64.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.1 грн
10+ 55.04 грн
20+ 48.47 грн
54+ 46 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9540NPBF Infineon_IRF9540N_DataSheet_v01_01_EN-3363104.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.71 грн
10+ 71.72 грн
100+ 48.3 грн
500+ 41.93 грн
1000+ 35.09 грн
2000+ 33.52 грн
5000+ 33.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9540NPBF irf9540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611cfa21dc8
IRF9540NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 7597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91 грн
50+ 70.77 грн
100+ 56.08 грн
500+ 44.61 грн
1000+ 36.34 грн
2000+ 34.21 грн
5000+ 32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9540NSTRL
Виробник: Infineon
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF9540NSTRLPBF description irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D2Pak Udss=-100V; Id=-23A; Pdmax=110W;
на замовлення 736 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.23 грн
10+ 113.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540NSTRLPBF description irf9540nspbf-1228169.pdf
IRF9540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC
на замовлення 3397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.48 грн
10+ 110.34 грн
100+ 77.55 грн
500+ 76.23 грн
800+ 55.34 грн
2400+ 52.58 грн
4800+ 50.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540NSTRLPBF description irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca
IRF9540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+70.06 грн
1600+ 57.24 грн
2400+ 54.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9540NSTRLPBF description irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca
IRF9540NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.12 грн
10+ 100.22 грн
100+ 79.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540NSTRRPBF irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca
IRF9540NSTRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540PBF IRF9540PBF.pdf
IRF9540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Drain current: -13A
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Drain-source voltage: -100V
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.93 грн
7+ 51.34 грн
10+ 45.87 грн
20+ 41.07 грн
53+ 39.02 грн
250+ 38.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9540PBF IRF9540PBF.pdf
IRF9540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Drain current: -13A
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+63.98 грн
10+ 55.04 грн
20+ 49.29 грн
53+ 46.82 грн
250+ 46 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9540PBF 91078.pdf
IRF9540PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.78 грн
50+ 104.9 грн
100+ 86.32 грн
500+ 68.54 грн
1000+ 58.16 грн
2000+ 55.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540PBF 91078.pdf
IRF9540PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.24 грн
10+ 94.47 грн
100+ 64.8 грн
250+ 59.8 грн
500+ 54.28 грн
1000+ 51.33 грн
2000+ 50.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540PBF-BE3 91078.pdf
IRF9540PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.24 грн
10+ 95.23 грн
100+ 74.92 грн
500+ 70.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540PBF-BE3 91078.pdf
IRF9540PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.78 грн
50+ 104.9 грн
100+ 86.32 грн
500+ 68.54 грн
1000+ 58.16 грн
2000+ 55.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9540SPBF IRF9540S.pdf
IRF9540SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 150W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Drain current: -13A
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Drain-source voltage: -100V
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+67.83 грн
7+ 56.82 грн
10+ 50.66 грн
19+ 43.13 грн
51+ 41.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF9540SPBF IRF9540S.pdf
IRF9540SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 150W; D2PAK,TO263
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Drain current: -13A
Gate charge: 61nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Drain-source voltage: -100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+70.81 грн
10+ 60.79 грн
19+ 51.75 грн
51+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9540SPBF
IRF9540SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.85 грн
10+ 207.08 грн
100+ 154.44 грн
500+ 137.35 грн
1000+ 117.64 грн
2000+ 103.84 грн
5000+ 100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540STRLPBF
IRF9540STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET P-Chan 100V 19 Amp
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.71 грн
10+ 151.15 грн
100+ 105.81 грн
250+ 103.84 грн
500+ 97.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540STRLPBF
IRF9540STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 5262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.26 грн
10+ 149.03 грн
100+ 118.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540STRLPBF
IRF9540STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+104.23 грн
1600+ 85.17 грн
2400+ 80.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF9541 HRISS848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9541
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 4731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
157+125.38 грн
Мінімальне замовлення: 157
IRF9542 HRISS848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9542
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
169+116.85 грн
Мінімальне замовлення: 169
IRF9543 HRISS848-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF9543
Виробник: Harris Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
317+62.36 грн
Мінімальне замовлення: 317
Транзистор польовий IRF9540NSTRLPBF -23A -100V P-ch D2PAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
Транзистор польовий IRF9540PBF -19A -100V P-ch TO-220
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+54.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
93CW40DF-9547
Виробник: TOSHIBA
QFP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
93CW40DF-9547
Виробник: TOSHIBA
QFP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540 description FAIRS43800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91078.pdf
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540 description FAIRS43800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91078.pdf
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540 description FAIRS43800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91078.pdf
Виробник: IR
2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540 description FAIRS43800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 91078.pdf
Виробник: FAIRCHILD
TO-220AB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540NPBF irf9540npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611cfa21dc8
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET P-CH 100V 23A TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF9540NPBF 60K
Виробник: IR
TO-220 2010+
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540NS
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540NS
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540NS
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540NS
Виробник: IR
04+
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540NS
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540NSPBF description irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca
Виробник: International Rectifier Corporation
D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF9540NSTRLPBF description irf9540nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611d92a1dca
Виробник: International Rectifier Corporation
D2PAK
на замовлення 110 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF9540STRL IRF9Z34S_1.jpg
Виробник: IR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF9540STRPBF
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]