Результат пошуку "fp4110" : 9
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP4110PBF Код товару: 40699 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 120 A Rds(on), Ohm: 3,7 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150 Монтаж: THT |
у наявності: 75 шт
|
|
|||||
IRFP4110PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies | SP005732688 |
на замовлення 3859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
IRFP4110XKMA1 | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 133 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
Транзистор польовий IRFP4110PBF 120А 100V N-ch TO-247 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
AUIRFP4110 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товар відсутній |
||||||
IRFP4110PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||
IRFP4110PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
IRFP4110PBF Код товару: 40699 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності: 75 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 145 грн |
10+ | 133 грн |
IRFP4110PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 141.4 грн |
IRFP4110PBFXKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
SP005732688
SP005732688
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 128.19 грн |
IRFP4110XKMA1 |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
кількість в упаковці: 5 шт
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 233.95 грн |
Транзистор польовий IRFP4110PBF 120А 100V N-ch TO-247 |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 148.67 грн |
AUIRFP4110 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP4110PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFP4110PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній