Результат пошуку "fqb25n33" : 14

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FQB25N33TM FQB25N33TM Fairchild Semiconductor FAIRS25386-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
на замовлення 19100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+98.47 грн
Мінімальне замовлення: 201
FQB25N33TM-F085 ONSEMI ONSM-S-A0003590102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FQB25N33TM-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB25N33TM-F085 FQB25N33TM-F085 Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003590102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+124.07 грн
Мінімальне замовлення: 159
FQB25N33TM-F085OSCT onsemi FAIRS25386-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: Power Field-Effect Transistor, 2
Packaging: Bulk
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+124.07 грн
Мінімальне замовлення: 159
FQB25N33TM-F085OSCT ONSEMI FAIRS25386-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FQB25N33TM-F085OSCT - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+136.39 грн
Мінімальне замовлення: 191
FQB25N33 fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB25N33 FAIRCHILD 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB25N33 FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB25N33 FQB25N33 onsemi / Fairchild FairchildSemiconductor_16142339245967-1191995.pdf MOSFET 330V, NCH, MOSFET
товар відсутній
FQB25N33TM FQB25N33TM onsemi FQB25N33.pdf Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB25N33TM FQB25N33TM ON Semiconductor fqb25n33.pdf Trans MOSFET N-CH 330V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB25N33TM-F085 FQB25N33TM-F085 ON Semiconductor 3656616220908991fqb25n33tm_f085.pdf Trans MOSFET N-CH 330V 25A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB25N33TM-F085 FQB25N33TM-F085 onsemi fqb25n33tm_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FQB25N33TM-F085 FQB25N33TM-F085 onsemi fqb25n33tm_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FQB25N33TM FAIRS25386-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB25N33TM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
на замовлення 19100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
201+98.47 грн
Мінімальне замовлення: 201
FQB25N33TM-F085 ONSM-S-A0003590102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB25N33TM-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+136.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
FQB25N33TM-F085 ONSM-S-A0003590102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQB25N33TM-F085
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
159+124.07 грн
Мінімальне замовлення: 159
FQB25N33TM-F085OSCT FAIRS25386-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: Power Field-Effect Transistor, 2
Packaging: Bulk
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
159+124.07 грн
Мінімальне замовлення: 159
FQB25N33TM-F085OSCT FAIRS25386-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB25N33TM-F085OSCT - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
191+136.39 грн
Мінімальне замовлення: 191
FQB25N33
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB25N33
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB25N33
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB25N33 FairchildSemiconductor_16142339245967-1191995.pdf
FQB25N33
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 330V, NCH, MOSFET
товар відсутній
FQB25N33TM FQB25N33.pdf
FQB25N33TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB25N33TM fqb25n33.pdf
FQB25N33TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 330V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB25N33TM-F085 3656616220908991fqb25n33tm_f085.pdf
FQB25N33TM-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 330V 25A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB25N33TM-F085 fqb25n33tm_f085-d.pdf
FQB25N33TM-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
FQB25N33TM-F085 fqb25n33tm_f085-d.pdf
FQB25N33TM-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній