Результат пошуку "fqd" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 30
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQD10N20CTM | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 200V 7.8A 50W 360mΩ FQD10N20CTM Fairchild TFQD10n20ctm кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQD11P06TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.95A Power dissipation: 38W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQD12N20LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A On-state resistance: 0.32Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Gate charge: 21nC Technology: QFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 316 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQD13N06LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQD16N25CTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 10.1A Power dissipation: 160W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 53.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 72 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQD17P06TM | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.6A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3859 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQD19N10LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.8A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2330 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQD1N60CTM | Fairchild |
N-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet FQD1N60CTM TFQD1n60ctm кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQD1N80TM | Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 20Ohm; 1A; 45W; -55°C ~ 150°C; FQD1N80TM TFQD1n80tm кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQD2N100TF | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 1,6 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 15,5 @ 10 В; Rds = 9 Ом @ 800 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; DPAK-3 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQD2N60CTM | Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQD2N80TM | Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 6,3Ohm; 1,8A; 50W; -55°C ~ 150°C; FQD2N80TM TFQD2n80tm кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQD6N40CTM | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 4.5A 400V 48W 1Ω FQD6N40CTM TFQD6n40ctm кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQD8P10TM | ON-Semicoductor |
P-MOSFET 6.6A 100V 44W 0.53Ω FQD8P10TM TFQD8p10tm кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQD10N20 | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD10N20 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD10N20 | FAIRCHILD | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD10N20C | FAIRCHILD | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD10N20C | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD10N20C | fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD10N20L | FAIRCHILD | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD10N20L | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD10N20L | fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD10N20LTF | Fairchild |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
FQD10N20LTF | Fairchild(FSC) | - |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD10N20TF |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
FQD11P06 | fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD11P06 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD11P06 | FAIRCHILD | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD11P06 | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD11P06 | FAIRCHILD |
на замовлення 5076 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
FQD1236/F H-5 | PHILIPS | 06+ TUNER |
на замовлення 178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD1236/F H-5 | PHILIPS | TUNER 06+ |
на замовлення 178 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD1236E/WH-5 | NXP | 08+ N/A |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD12N10 | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD12N20 | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD12N20 | fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD12N20 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD12N20 | FAIRCHILD | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD12N20LTF | Fairchild |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
FQD12N20LTM-F085 | ON Semiconductor |
на замовлення 7300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
FQD12N20TF | Fairchild |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
FQD12P10 | fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD12P10 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD12P10 | FAIRCHILD | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD12P10 | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD12P10TF | Fairchild |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
FQD12P10TM | FSC |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
FQD12P10TM | FAIRCHILD | 08+ |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD13N03LTM | JAT | 09+ |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD13N06 | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD13N06 | fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD13N06 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD13N06 | FAIRCHILD | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD13N06L | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD13N06L | fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD13N06L | FAIRCHILD | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD13N06LTF | Fairchild |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
FQD13N10 | FAIRCHILD | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FQD13N10 | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
FQD10N20CTM |
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 200V 7.8A 50W 360mΩ FQD10N20CTM Fairchild TFQD10n20ctm
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 200V 7.8A 50W 360mΩ FQD10N20CTM Fairchild TFQD10n20ctm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 37.53 грн |
FQD11P06TM |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.95A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.66 грн |
5+ | 62.62 грн |
22+ | 45.18 грн |
59+ | 42.72 грн |
FQD12N20LTM |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.32Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Technology: QFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 316 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 73.43 грн |
7+ | 40.61 грн |
25+ | 34.58 грн |
32+ | 29.9 грн |
88+ | 28.34 грн |
FQD13N06LTM |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 37.42 грн |
25+ | 32.33 грн |
39+ | 24.73 грн |
108+ | 23.41 грн |
FQD16N25CTM |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.1A; 160W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 160W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 53.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.28 грн |
5+ | 57.5 грн |
23+ | 43.7 грн |
61+ | 41.32 грн |
FQD17P06TM |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 70.77 грн |
5+ | 55.96 грн |
24+ | 41.9 грн |
64+ | 39.43 грн |
FQD19N10LTM |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 107.05 грн |
5+ | 58.52 грн |
25+ | 39.6 грн |
67+ | 37.46 грн |
FQD1N60CTM |
Виробник: Fairchild
N-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet FQD1N60CTM TFQD1n60ctm
кількість в упаковці: 20 шт
N-Channel 600 V 11.5 Ohm Surface Mount Mosfet FQD1N60CTM TFQD1n60ctm
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 15.51 грн |
FQD1N80TM |
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 20Ohm; 1A; 45W; -55°C ~ 150°C; FQD1N80TM TFQD1n80tm
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 20Ohm; 1A; 45W; -55°C ~ 150°C; FQD1N80TM TFQD1n80tm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 17.4 грн |
FQD2N100TF |
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 1,6 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 15,5 @ 10 В; Rds = 9 Ом @ 800 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; DPAK-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 1 000; Id = 1,6 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25; Qg, нКл = 15,5 @ 10 В; Rds = 9 Ом @ 800 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; DPAK-3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 78.51 грн |
10+ | 73.27 грн |
100+ | 68.05 грн |
FQD2N60CTM |
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 24.05 грн |
FQD2N80TM |
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 6,3Ohm; 1,8A; 50W; -55°C ~ 150°C; FQD2N80TM TFQD2n80tm
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 6,3Ohm; 1,8A; 50W; -55°C ~ 150°C; FQD2N80TM TFQD2n80tm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 19.62 грн |
FQD6N40CTM |
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 4.5A 400V 48W 1Ω FQD6N40CTM TFQD6n40ctm
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 4.5A 400V 48W 1Ω FQD6N40CTM TFQD6n40ctm
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 23.88 грн |
FQD8P10TM |
Виробник: ON-Semicoductor
P-MOSFET 6.6A 100V 44W 0.53Ω FQD8P10TM TFQD8p10tm
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 6.6A 100V 44W 0.53Ω FQD8P10TM TFQD8p10tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 20.81 грн |
FQD12N20LTM-F085 |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]