Результат пошуку "g4bc20fd" : 14

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRG4BC20FD IR Infineon-IRG4BC20FD-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153563f20ca224f Транз. IGBT Fast TO220AB Uces=600V; Ic=16A; Ic=9A(100°C); Pdmax=60W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+249.23 грн
10+ 210.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRG4BC20FD International Rectifier Infineon-IRG4BC20FD-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153563f20ca224f 16A; 600V; 60W; IGBT w/ Diode   IRG4BC20FD TIRG4bc20fd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+184.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRG4BC20FD IR Infineon-IRG4BC20FD-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153563f20ca224f 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4BC20FD-S IR irg4bc20fd-s.pdf 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4BC20FD2S IR 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4BC20FD2S IR TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.73 грн
9+ 91.57 грн
10+ 88.1 грн
25+ 86.71 грн
50+ 83.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRG4BC20FD
Код товару: 138026 		Infineon-IRG4BC20FD-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153563f20ca224f Транзистори > IGBT
товар відсутній
IRG4BC20FDPBF(транзистор)
Код товару: 61163 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IRG4BC20FD IRG4BC20FD Infineon Technologies Infineon-IRG4BC20FD-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153563f20ca224f Description: IGBT 600V 16A 60W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns
Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off)
Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A
Power - Max: 60 W
товар відсутній
IRG4BC20FD-S IRG4BC20FD-S Infineon Technologies irg4bc20fd-s.pdf Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns
Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off)
Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A
Power - Max: 60 W
товар відсутній
IRG4BC20FD-SPBF IRG4BC20FD-SPBF Infineon Technologies irg4bc20fd-spbf.pdf Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns
Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off)
Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A
Power - Max: 60 W
товар відсутній
IRG4BC20FDPBF IRG4BC20FDPBF Infineon Technologies infineon-irg4bc20fd-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRG4BC20FDPBF IRG4BC20FDPBF Infineon Technologies IRG4BC20FDPbF.pdf Description: IGBT 600V 16A 60W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns
Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off)
Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A
Power - Max: 60 W
товар відсутній
IRG4BC20FD Infineon-IRG4BC20FD-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153563f20ca224f
Виробник: IR
Транз. IGBT Fast TO220AB Uces=600V; Ic=16A; Ic=9A(100°C); Pdmax=60W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+249.23 грн
10+ 210.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRG4BC20FD Infineon-IRG4BC20FD-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153563f20ca224f
Виробник: International Rectifier
16A; 600V; 60W; IGBT w/ Diode   IRG4BC20FD TIRG4bc20fd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+184.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRG4BC20FD Infineon-IRG4BC20FD-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153563f20ca224f
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4BC20FD-S irg4bc20fd-s.pdf
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4BC20FD2S
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG4BC20FD2S
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60T.pdf
IKP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.73 грн
9+ 91.57 грн
10+ 88.1 грн
25+ 86.71 грн
50+ 83.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRG4BC20FD
Код товару: 138026		 Infineon-IRG4BC20FD-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153563f20ca224f
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IRG4BC20FDPBF(транзистор)
Код товару: 61163
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IRG4BC20FD Infineon-IRG4BC20FD-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153563f20ca224f
IRG4BC20FD
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 16A 60W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns
Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off)
Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A
Power - Max: 60 W
товар відсутній
IRG4BC20FD-S irg4bc20fd-s.pdf
IRG4BC20FD-S
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns
Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off)
Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A
Power - Max: 60 W
товар відсутній
IRG4BC20FD-SPBF irg4bc20fd-spbf.pdf
IRG4BC20FD-SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 16A 60W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns
Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off)
Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A
Power - Max: 60 W
товар відсутній
IRG4BC20FDPBF infineon-irg4bc20fd-datasheet-v01_00-en.pdf
IRG4BC20FDPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRG4BC20FDPBF IRG4BC20FDPbF.pdf
IRG4BC20FDPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 16A 60W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/240ns
Switching Energy: 250µJ (on), 640µJ (off)
Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A
Power - Max: 60 W
товар відсутній