Результат пошуку "gt30j322" : 6

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
GT30J322; IGBT; N-Канальный; 30A 600V; 75W; Корпус: 2-16F1A; TOSHIBA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+173.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT30J322
Код товару: 178782 		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
GT30J322
Код товару: 51544 		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
GT30J322 Toshiba IGBT Transistors 3PNIS IGBT TRC2,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товар відсутній
GT30J322 (Q) Toshiba IGBT Transistors
товар відсутній
NTE3320 NTE Electronics nte3320.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 240W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 240W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
товар відсутній
GT30J322; IGBT; N-Канальный; 30A 600V; 75W; Корпус: 2-16F1A; TOSHIBA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+173.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT30J322
Код товару: 178782
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
GT30J322
Код товару: 51544
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
GT30J322
Виробник: Toshiba
IGBT Transistors 3PNIS IGBT TRC2,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товар відсутній
GT30J322 (Q)
Виробник: Toshiba
IGBT Transistors
товар відсутній
NTE3320 nte3320.pdf
Виробник: NTE Electronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 240W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 240W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
товар відсутній