Результат пошуку "ikw" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IKW15T120 IKW15T120
Код товару: 119901
Infineon infineon-ikw15t120-ds-v02_04-en.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 30 A
Ic 100: 15 A
Pd 25: 110 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/520
у наявності: 48 шт
1+155 грн
10+ 144 грн
IKW15N120T2 Infineon IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+310.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+492.24 грн
3+ 426.76 грн
4+ 316.25 грн
9+ 298.95 грн
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+313.08 грн
3+ 271.97 грн
5+ 200.95 грн
14+ 190.24 грн
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1 Infineon IGBT%20Selection%20Guide.pdf 40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode   IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+158.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+674.06 грн
3+ 447.29 грн
7+ 406.84 грн
100+ 390.37 грн
IKW25N120T2FKSA1 Infineon IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1 50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+264.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25T120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+555.21 грн
3+ 383.15 грн
8+ 349.19 грн
120+ 344.25 грн
IKW25T120FKSA1 Infineon IKW25T120_Rev2G_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42899373e31 1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+237.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N60H3 Infineon 60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+119.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3 Infineon 60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+119.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+316.63 грн
5+ 211.24 грн
13+ 192.71 грн
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1 Infineon IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d 45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+234.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+421.28 грн
3+ 365.19 грн
4+ 256.13 грн
11+ 242.13 грн
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+331.71 грн
3+ 287.36 грн
5+ 217.42 грн
13+ 205.07 грн
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120CS6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+636.8 грн
3+ 425.05 грн
7+ 387.08 грн
IKW40N120H3 Infineon 80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+307.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N120T2 Infineon Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+401.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+735.25 грн
2+ 545.64 грн
5+ 496.61 грн
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+486.92 грн
3+ 422.49 грн
4+ 311.31 грн
9+ 294.84 грн
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+419.51 грн
3+ 364.33 грн
4+ 268.48 грн
10+ 253.66 грн
IKW40N65H5 Infineon Part_Number_Guide_Web.pdf IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W   IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+205.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+362.75 грн
3+ 314.73 грн
5+ 232.24 грн
12+ 219.07 грн
IKW40T120FKSA1 Infineon IKW40T120_Rev2G_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4289c3b3e35 IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+372.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60DTP.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+302.44 грн
3+ 257.43 грн
5+ 215.77 грн
13+ 204.24 грн
IKW50N60H3 Infineon INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+184.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW50N60H3 Infineon INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+184.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+482.48 грн
3+ 356.63 грн
8+ 324.48 грн
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+264.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N60T Infineon INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+264.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Manufacturer series: F5
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 305W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+342.35 грн
3+ 291.64 грн
4+ 243.77 грн
11+ 229.77 грн
IKW50N65H5FKSA1 Infineon DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951 80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+236.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+433.7 грн
3+ 376.31 грн
4+ 277.54 грн
10+ 261.89 грн
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60H3FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+788.47 грн
2+ 582.42 грн
5+ 530.38 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+803.54 грн
2+ 596.1 грн
5+ 542.73 грн
IKW75N60TFKSA1 Infineon IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25 80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+341.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW03N120H2 INF INFNS27676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-247
на замовлення 8640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW03N120H2 INF INFNS27676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+;
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08N120 Infineon
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08T120 INFINEON MODULE
на замовлення 100087 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08T120 Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW15T120T2 MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW20N60H3 Infineon technologies INFNS29922-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW25T120T2 MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N60DTP Infineon INFN-S-A0002268574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 91440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65ES5 Infineon
на замовлення 22080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65H5 Infineon technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65WR5 Infineon technologies
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N60DTP Infineon
на замовлення 21840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N60DTP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbc2c3c17cc3 IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IKW40N60H3 Infineon technologies INFNS30193-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies IKW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293aacb8b8002d IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IKW40N65H5 Infineon technologies Part_Number_Guide_Web.pdf
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N65WR5 Infineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120 Infineon technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120 INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120 INFINEON 10+ TO-247
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW15T120
Код товару: 119901
description infineon-ikw15t120-ds-v02_04-en.pdf
IKW15T120
Виробник: Infineon
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 30 A
Ic 100: 15 A
Pd 25: 110 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/520
у наявності: 48 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+155 грн
10+ 144 грн
IKW15N120T2
Виробник: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+310.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+492.24 грн
3+ 426.76 грн
4+ 316.25 грн
9+ 298.95 грн
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+313.08 грн
3+ 271.97 грн
5+ 200.95 грн
14+ 190.24 грн
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60T.pdf
IKW20N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1 IGBT%20Selection%20Guide.pdf
Виробник: Infineon
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode   IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+158.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+674.06 грн
3+ 447.29 грн
7+ 406.84 грн
100+ 390.37 грн
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1
Виробник: Infineon
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+264.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW25T120FKSA1 IKW25T120.pdf
IKW25T120FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+555.21 грн
3+ 383.15 грн
8+ 349.19 грн
120+ 344.25 грн
IKW25T120FKSA1 IKW25T120_Rev2G_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42899373e31
Виробник: Infineon
1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+237.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+119.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+119.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+316.63 грн
5+ 211.24 грн
13+ 192.71 грн
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d
Виробник: Infineon
45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+234.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N65ES5XKSA1 IKW30N65ES5.pdf
IKW30N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+421.28 грн
3+ 365.19 грн
4+ 256.13 грн
11+ 242.13 грн
IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5.pdf
IKW30N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+331.71 грн
3+ 287.36 грн
5+ 217.42 грн
13+ 205.07 грн
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+636.8 грн
3+ 425.05 грн
7+ 387.08 грн
IKW40N120H3
Виробник: Infineon
80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+307.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N120T2
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+401.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2.pdf
IKW40N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+735.25 грн
2+ 545.64 грн
5+ 496.61 грн
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3.pdf
IKW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+486.92 грн
3+ 422.49 грн
4+ 311.31 грн
9+ 294.84 грн
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5-DTE.pdf
IKW40N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+419.51 грн
3+ 364.33 грн
4+ 268.48 грн
10+ 253.66 грн
IKW40N65H5 Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon
IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W   IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+205.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5.pdf
IKW40N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+362.75 грн
3+ 314.73 грн
5+ 232.24 грн
12+ 219.07 грн
IKW40T120FKSA1 IKW40T120_Rev2G_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4289c3b3e35
Виробник: Infineon
IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+372.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTP.pdf
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+302.44 грн
3+ 257.43 грн
5+ 215.77 грн
13+ 204.24 грн
IKW50N60H3 INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+184.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW50N60H3 INFNS30194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+184.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3.pdf
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+482.48 грн
3+ 356.63 грн
8+ 324.48 грн
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+264.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N60T INFNS30103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+264.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N65F5FKSA1 IKW50N65F5-DTE.pdf
IKW50N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Manufacturer series: F5
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 305W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65H5FKSA1 IKW50N65H5FKSA1-DTE.pdf
IKW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+342.35 грн
3+ 291.64 грн
4+ 243.77 грн
11+ 229.77 грн
IKW50N65H5FKSA1 DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951
Виробник: Infineon
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+236.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N65WR5XKSA1 IKW50N65WR5.pdf
IKW50N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+433.7 грн
3+ 376.31 грн
4+ 277.54 грн
10+ 261.89 грн
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1.pdf
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+788.47 грн
2+ 582.42 грн
5+ 530.38 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+803.54 грн
2+ 596.1 грн
5+ 542.73 грн
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T+Rev2_6G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42890113e25
Виробник: Infineon
80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+341.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW03N120H2 INFNS27676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INF
TO-247
на замовлення 8640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW03N120H2 INFNS27676-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INF
07+;
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08N120
Виробник: Infineon
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08T120
Виробник: INFINEON
MODULE
на замовлення 100087 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08T120
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW15T120T2
MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW20N60H3 INFNS29922-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW25T120T2
MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N60DTP INFN-S-A0002268574-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
на замовлення 91440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65ES5
Виробник: Infineon
на замовлення 22080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65H5
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65WR5
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N60DTP
Виробник: Infineon
на замовлення 21840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N60DTPXKSA1 Infineon-IKW40N60DTP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbc2c3c17cc3
Виробник: Infineon Technologies
IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IKW40N60H3 INFNS30193-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293aacb8b8002d
Виробник: Infineon Technologies
IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IKW40N65H5 Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N65WR5
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120
Виробник: INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120
Виробник: INFINEON
10+ TO-247
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]