Результат пошуку "irf1" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 33
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 55
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 142
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 99
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 32
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1600
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 1600
Мінімальне замовлення: 65
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 1600
Мінімальне замовлення: 96
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 119
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 292
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 176
Мінімальне замовлення: 214
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF1010EPBF Код товару: 72223 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 84 A Rds(on), Ohm: 12 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3210/ Монтаж: THT |
у наявності: 173 шт
очікується:
25 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRF1010NPBF Код товару: 26804 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 85 A Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120 Монтаж: THT |
у наявності: 97 шт
очікується:
25 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRF1018EPBF Код товару: 98648 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 79 A Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46 Монтаж: THT |
у наявності: 46 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon) Код товару: 34256 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110 Монтаж: THT |
у наявності: 218 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRF1404PBF Код товару: 31360 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 40 V Idd,A: 202 A Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160 Монтаж: THT |
у наявності: 833 шт
очікується:
3 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRF1404ZPBF Код товару: 26520 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 40 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm Монтаж: THT |
у наявності: 187 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRF1405PBF Код товару: 27155 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 169 A Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm Монтаж: THT |
у наявності: 13 шт
очікується:
100 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRF1407PBF Код товару: 24062 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 75 V Idd,A: 130 A Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160 Монтаж: THT |
у наявності: 158 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRF100B201 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 136A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 441W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRF100B201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100B201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100B201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100B201 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg |
на замовлення 5516 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100B201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100B202 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 68A Power dissipation: 221W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100B202 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 68A Power dissipation: 221W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100B202 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 2156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100B202 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100B202 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100B202 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100B202 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100P218 | Infineon Technologies | IRF100P218 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100P218AKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100P218AKMA1 | Infineon Technologies | SP005537804 |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100P218AKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100P218AKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100P218AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 3534 шт: термін постачання 161-170 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100P219AKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100S201 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg |
на замовлення 4809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100S201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100S201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100S201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100S201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100S201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100S201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF100S201 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010E | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010E | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010EPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 81A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010EPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 81A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF1010EPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 12103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010EPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF1010ESTRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010ESTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 59A Pulsed drain current: 330A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010ESTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 59A Pulsed drain current: 330A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 685 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010ESTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1010ESTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRF1010EPBF Код товару: 72223 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 84 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/
Монтаж: THT
у наявності: 173 шт
очікується:
25 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 54 грн |
10+ | 49 грн |
IRF1010NPBF Код товару: 26804 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 85 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 85 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
Монтаж: THT
у наявності: 97 шт
очікується:
25 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 32 грн |
10+ | 28.8 грн |
100+ | 25.9 грн |
IRF1018EPBF Код товару: 98648 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
Монтаж: THT
у наявності: 46 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 44 грн |
10+ | 39.6 грн |
IRF1310NPBF (TO-220AB, Infineon) Код товару: 34256 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
Монтаж: THT
у наявності: 218 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 46.5 грн |
10+ | 41.6 грн |
100+ | 36.9 грн |
IRF1404PBF Код товару: 31360 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 833 шт
очікується:
3 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 48 грн |
10+ | 44 грн |
100+ | 39.6 грн |
IRF1404ZPBF Код товару: 26520 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 187 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 58 грн |
10+ | 53.5 грн |
100+ | 48.9 грн |
IRF1405PBF Код товару: 27155 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 169 A
Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 13 шт
очікується:
100 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 60.5 грн |
10+ | 54.5 грн |
100+ | 48.7 грн |
IRF1407PBF Код товару: 24062 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 158 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 66 грн |
10+ | 59.4 грн |
IRF100B201 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF100B201 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
33+ | 360.91 грн |
51+ | 229.94 грн |
63+ | 186.28 грн |
100+ | 168.4 грн |
200+ | 155.06 грн |
500+ | 132.22 грн |
1000+ | 123.08 грн |
2000+ | 119.75 грн |
3000+ | 115.59 грн |
IRF100B201 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.64 грн |
IRF100B201 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 199.19 грн |
10+ | 187.97 грн |
25+ | 168.07 грн |
100+ | 141.39 грн |
500+ | 121.96 грн |
1000+ | 103.7 грн |
2000+ | 93.98 грн |
IRF100B201 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 256.09 грн |
10+ | 242.6 грн |
25+ | 174.16 грн |
100+ | 149.18 грн |
500+ | 132.75 грн |
1000+ | 113.04 грн |
2000+ | 107.12 грн |
IRF100B201 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
55+ | 214.81 грн |
58+ | 202.71 грн |
65+ | 181.25 грн |
100+ | 152.47 грн |
500+ | 131.52 грн |
1000+ | 111.83 грн |
2000+ | 101.35 грн |
IRF100B202 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.67 грн |
6+ | 64.35 грн |
17+ | 49.29 грн |
IRF100B202 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 92.01 грн |
5+ | 80.19 грн |
17+ | 59.15 грн |
45+ | 55.86 грн |
IRF100B202 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 152.58 грн |
10+ | 125.46 грн |
100+ | 86.75 грн |
250+ | 84.78 грн |
500+ | 73.61 грн |
1000+ | 61.71 грн |
2000+ | 58.88 грн |
IRF100B202 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
142+ | 82.02 грн |
152+ | 76.72 грн |
167+ | 69.9 грн |
250+ | 66.92 грн |
500+ | 56.97 грн |
1000+ | 50.57 грн |
IRF100B202 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 76.06 грн |
10+ | 71.14 грн |
100+ | 64.82 грн |
250+ | 62.05 грн |
500+ | 52.83 грн |
1000+ | 46.89 грн |
IRF100B202 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
99+ | 118.36 грн |
106+ | 110.6 грн |
125+ | 93.24 грн |
200+ | 85.05 грн |
500+ | 78.48 грн |
1000+ | 68.11 грн |
2000+ | 64.12 грн |
3000+ | 63.79 грн |
IRF100B202 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.24 грн |
IRF100P218 |
Виробник: Infineon Technologies
IRF100P218
IRF100P218
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 687.29 грн |
25+ | 655.55 грн |
50+ | 629.18 грн |
100+ | 585.32 грн |
250+ | 525.15 грн |
IRF100P218AKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 897.44 грн |
18+ | 665.56 грн |
50+ | 619.96 грн |
100+ | 531.39 грн |
200+ | 459.11 грн |
IRF100P218AKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
SP005537804
SP005537804
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 300.56 грн |
IRF100P218AKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 562.53 грн |
23+ | 526.24 грн |
27+ | 442.3 грн |
100+ | 390.75 грн |
250+ | 353.99 грн |
IRF100P218AKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 521.63 грн |
10+ | 487.99 грн |
25+ | 410.14 грн |
100+ | 362.34 грн |
250+ | 328.25 грн |
IRF100P218AKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 3534 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 588.84 грн |
10+ | 535.09 грн |
25+ | 403.52 грн |
100+ | 361.46 грн |
250+ | 353.57 грн |
400+ | 285.88 грн |
1200+ | 273.39 грн |
IRF100P219AKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 339.75 грн |
10+ | 335.5 грн |
25+ | 309.26 грн |
50+ | 296.9 грн |
100+ | 262.35 грн |
250+ | 239.63 грн |
IRF100P219AKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 518.31 грн |
10+ | 498.05 грн |
25+ | 354.88 грн |
100+ | 318.08 грн |
400+ | 285.88 грн |
1200+ | 251.7 грн |
2800+ | 239.87 грн |
IRF100P219AKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 689.81 грн |
22+ | 540.4 грн |
50+ | 509.36 грн |
100+ | 443.45 грн |
200+ | 387.21 грн |
IRF100P219AKMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
32+ | 365.88 грн |
33+ | 361.3 грн |
35+ | 333.05 грн |
50+ | 319.73 грн |
100+ | 282.54 грн |
250+ | 258.06 грн |
IRF100S201 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 238.45 грн |
10+ | 197.26 грн |
100+ | 141.95 грн |
500+ | 136.04 грн |
800+ | 111.72 грн |
IRF100S201 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1600+ | 146.43 грн |
IRF100S201 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 167.22 грн |
10+ | 142.61 грн |
25+ | 141.18 грн |
100+ | 117.74 грн |
250+ | 107.92 грн |
500+ | 91.24 грн |
1000+ | 86.8 грн |
IRF100S201 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1600+ | 91.24 грн |
IRF100S201 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
65+ | 180.08 грн |
76+ | 153.58 грн |
77+ | 152.04 грн |
100+ | 126.79 грн |
250+ | 116.22 грн |
500+ | 98.26 грн |
1000+ | 93.48 грн |
IRF100S201 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 126.3 грн |
IRF100S201 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1600+ | 117.12 грн |
IRF100S201 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
96+ | 122.25 грн |
97+ | 120.3 грн |
112+ | 104.78 грн |
IRF1010E |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 35.65 грн |
IRF1010E |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 35.65 грн |
IRF1010EPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.67 грн |
10+ | 65.03 грн |
21+ | 39.71 грн |
56+ | 36.97 грн |
IRF1010EPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 95.55 грн |
10+ | 78.04 грн |
21+ | 47.65 грн |
56+ | 44.36 грн |
IRF1010EPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 70.84 грн |
10+ | 61.42 грн |
100+ | 46.22 грн |
500+ | 44.19 грн |
1000+ | 34.18 грн |
5000+ | 32.61 грн |
10000+ | 32.28 грн |
IRF1010EPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 38.53 грн |
16+ | 36.99 грн |
100+ | 33.56 грн |
IRF1010EPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF1010EPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 27.91 грн |
IRF1010EPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
119+ | 98.58 грн |
124+ | 94.17 грн |
250+ | 90.39 грн |
500+ | 84.02 грн |
1000+ | 75.26 грн |
IRF1010EPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF1010EPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 96.61 грн |
10+ | 83.89 грн |
100+ | 59.8 грн |
500+ | 46.99 грн |
1000+ | 39.5 грн |
2000+ | 38.97 грн |
5000+ | 37.13 грн |
IRF1010EPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
292+ | 39.97 грн |
305+ | 38.23 грн |
307+ | 38.03 грн |
IRF1010EPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 55.48 грн |
12+ | 50.74 грн |
100+ | 41.66 грн |
500+ | 40.02 грн |
1000+ | 32.39 грн |
IRF1010EPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
176+ | 66.24 грн |
234+ | 49.84 грн |
500+ | 49.42 грн |
1000+ | 39.8 грн |
5000+ | 36.63 грн |
10000+ | 34.82 грн |
IRF1010EPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
214+ | 54.64 грн |
260+ | 44.87 грн |
500+ | 44.69 грн |
1000+ | 37.68 грн |
IRF1010EPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF1010ESTRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 62.95 грн |
IRF1010ESTRLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 66.35 грн |
7+ | 55.45 грн |
19+ | 43.13 грн |
51+ | 41.07 грн |
IRF1010ESTRLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.62 грн |
5+ | 69.1 грн |
19+ | 51.75 грн |
51+ | 49.29 грн |
IRF1010ESTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 47.44 грн |
2400+ | 46.49 грн |
4800+ | 45.6 грн |
IRF1010ESTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 54.36 грн |
2400+ | 51.32 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]