Результат пошуку "irf3" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 164
Мінімальне замовлення: 158
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 137
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 119
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 127
Мінімальне замовлення: 130
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 177
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 149
Мінімальне замовлення: 3900
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF3205PBF Код товару: 25094 |
IR/Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 55 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76 Монтаж: THT |
у наявності: 13451 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF3205SPBF Код товару: 36593 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 110 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146 Монтаж: SMD |
у наявності: 15 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZPBF Код товару: 34997 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110 Монтаж: THT |
у наявності: 582 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF3415PBF Код товару: 34305 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 150 V Idd,A: 43 A Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200 Монтаж: THT |
у наявності: 11 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF3703PBF Код товару: 33794 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 210 A Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209 Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF3704ZS Код товару: 99466 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 20 V Idd,A: 47 A Rds(on), Ohm: 7,9 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1220/8,7 Монтаж: SMD |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF3710PBF Код товару: 43009 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 57 A Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130 Монтаж: THT |
у наявності: 870 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF3710SPBF Код товару: 43364 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Rds(on), Ohm: 57 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 40 Монтаж: SMD |
у наявності: 29 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF3710ZPBF Код товару: 44978 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 59 A Rds(on), Ohm: 18 mOhm Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF3710ZPBF Код товару: 190954 |
JSMICRO |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146 Монтаж: THT |
у наявності: 94 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF3808PBF Код товару: 33009 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 75 V Idd,A: 140 A Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150 Монтаж: THT |
у наявності: 36 шт
|
|
|||||||||||||||||
IRF3007PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 89nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3007PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 89nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 67 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF300P226 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF300P226 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF300P226 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF300P226 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF300P226 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF300P227 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205 | Infineon |
N-MOSFET 110A 55V 200W 0.008Ω IRF3205 TIRF3205 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 421 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205LPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF3205PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 146nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm |
на замовлення 911 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 146nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7224 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 45421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 45421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 45421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 10829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON |
на замовлення 51 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON |
на замовлення 500 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF3205S | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205S | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205SPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm |
на замовлення 226 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205SPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK |
на замовлення 16 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205STRL | Infineon |
N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 210 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205STRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm |
на замовлення 707 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 121 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 54400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 54400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205STRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 54400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205Z | International Rectifier |
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205Z | International Rectifier |
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Power dissipation: 170W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 78A Power dissipation: 170W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3205ZLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRF3205PBF Код товару: 25094 |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 13451 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 30 грн |
10+ | 29 грн |
100+ | 28 грн |
1000+ | 27 грн |
IRF3205SPBF Код товару: 36593 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 15 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 55 грн |
IRF3205ZPBF Код товару: 34997 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 582 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 55 грн |
10+ | 45 грн |
IRF3415PBF Код товару: 34305 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 150 V
Idd,A: 43 A
Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2400/200
Монтаж: THT
у наявності: 11 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 55 грн |
10+ | 49.5 грн |
IRF3703PBF Код товару: 33794 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 108 грн |
IRF3704ZS Код товару: 99466 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 7,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1220/8,7
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 7,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1220/8,7
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 39 грн |
IRF3710PBF Код товару: 43009 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 870 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 40 грн |
10+ | 36 грн |
100+ | 32.4 грн |
IRF3710SPBF Код товару: 43364 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 29 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 68 грн |
10+ | 63.4 грн |
IRF3710ZPBF Код товару: 190954 |
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 94 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 45 грн |
10+ | 40.5 грн |
IRF3808PBF Код товару: 33009 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5310/150
Монтаж: THT
у наявності: 36 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 74 грн |
10+ | 68 грн |
IRF3007PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 71.2 грн |
10+ | 63.67 грн |
14+ | 58.87 грн |
37+ | 55.45 грн |
IRF3007PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 88.72 грн |
10+ | 76.4 грн |
14+ | 70.65 грн |
37+ | 66.54 грн |
IRF3007STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 74.05 грн |
1600+ | 73.31 грн |
2400+ | 71.16 грн |
4800+ | 66.91 грн |
IRF3007STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 79.75 грн |
1600+ | 78.95 грн |
2400+ | 76.63 грн |
4800+ | 72.06 грн |
IRF3007STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 83.16 грн |
IRF300P226 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 621.17 грн |
25+ | 516.5 грн |
50+ | 492.61 грн |
100+ | 431.14 грн |
250+ | 345.47 грн |
IRF300P226 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 345.79 грн |
IRF300P226 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 592.86 грн |
10+ | 572.92 грн |
25+ | 476.37 грн |
50+ | 454.35 грн |
100+ | 397.66 грн |
250+ | 318.63 грн |
IRF300P226 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 824.67 грн |
20+ | 611.23 грн |
50+ | 570.48 грн |
100+ | 488.36 грн |
200+ | 421.86 грн |
800+ | 395.01 грн |
IRF300P226 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 839.22 грн |
15+ | 810.12 грн |
50+ | 656.83 грн |
100+ | 593.14 грн |
IRF300P227 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 675.26 грн |
23+ | 521.97 грн |
50+ | 472.49 грн |
100+ | 431.29 грн |
200+ | 380.28 грн |
IRF3205 |
на замовлення 421 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 40.26 грн |
IRF3205LPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 68.05 грн |
2000+ | 62.51 грн |
2500+ | 59.29 грн |
3000+ | 55.13 грн |
5000+ | 49.22 грн |
IRF3205LPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 77.18 грн |
10+ | 66.29 грн |
25+ | 56.7 грн |
50+ | 50.19 грн |
100+ | 42.83 грн |
IRF3205LPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
164+ | 71.39 грн |
191+ | 61.06 грн |
208+ | 56.05 грн |
226+ | 49.82 грн |
IRF3205LPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
158+ | 73.78 грн |
2000+ | 67.77 грн |
2500+ | 64.29 грн |
3000+ | 59.76 грн |
5000+ | 53.37 грн |
IRF3205LPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF3205PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 71.2 грн |
10+ | 65.72 грн |
18+ | 45.18 грн |
49+ | 42.44 грн |
1000+ | 41.07 грн |
IRF3205PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 911 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 138.6 грн |
10+ | 80.31 грн |
IRF3205PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7224 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 88.72 грн |
10+ | 78.86 грн |
18+ | 54.22 грн |
49+ | 50.93 грн |
1000+ | 49.29 грн |
IRF3205PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 45421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 110.54 грн |
10+ | 91.34 грн |
100+ | 71.08 грн |
500+ | 59.74 грн |
1000+ | 46.54 грн |
2000+ | 41.85 грн |
5000+ | 40.47 грн |
10000+ | 39.02 грн |
IRF3205PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 52.32 грн |
IRF3205PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
137+ | 85.28 грн |
145+ | 80.43 грн |
167+ | 69.85 грн |
200+ | 64.28 грн |
500+ | 59.34 грн |
1000+ | 52.31 грн |
2000+ | 49.73 грн |
IRF3205PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 103.57 грн |
10+ | 85.59 грн |
100+ | 66.6 грн |
500+ | 55.97 грн |
IRF3205PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 45421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
119+ | 98.11 грн |
153+ | 76.34 грн |
500+ | 66.53 грн |
1000+ | 53.98 грн |
2000+ | 46.81 грн |
5000+ | 43.46 грн |
10000+ | 41.91 грн |
IRF3205PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 45421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 25.15 грн |
IRF3205PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 101.2 грн |
10+ | 83.29 грн |
100+ | 61.68 грн |
500+ | 51.48 грн |
1000+ | 40.32 грн |
2000+ | 36.27 грн |
5000+ | 33.75 грн |
10000+ | 30.93 грн |
IRF3205PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
127+ | 92.18 грн |
163+ | 71.72 грн |
500+ | 62.51 грн |
IRF3205PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
130+ | 89.69 грн |
176+ | 66.42 грн |
500+ | 57.5 грн |
1000+ | 46.89 грн |
2000+ | 40.69 грн |
5000+ | 36.35 грн |
10000+ | 33.31 грн |
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON |
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 78.17 грн |
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON |
на замовлення 500 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 66.53 грн |
IRF3205S |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 312 грн |
10+ | 164.35 грн |
100+ | 152.6 грн |
IRF3205S |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 30.54 грн |
IRF3205SPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 226 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 60.98 грн |
10+ | 49.42 грн |
IRF3205SPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 81.17 грн |
10+ | 75.75 грн |
100+ | 70.34 грн |
IRF3205STRL |
на замовлення 210 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 43.5 грн |
IRF3205STRLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 58.19 грн |
18+ | 44.5 грн |
50+ | 41.76 грн |
IRF3205STRLPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.95 грн |
10+ | 113.26 грн |
IRF3205STRLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 83.16 грн |
5+ | 72.51 грн |
18+ | 53.4 грн |
50+ | 50.11 грн |
IRF3205STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
177+ | 66.07 грн |
185+ | 63.06 грн |
207+ | 56.27 грн |
216+ | 52.2 грн |
500+ | 48.16 грн |
1600+ | 42.33 грн |
IRF3205STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 54400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 47.75 грн |
2400+ | 46.25 грн |
9600+ | 44.86 грн |
IRF3205STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 54400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 60.67 грн |
2400+ | 60.42 грн |
9600+ | 58.93 грн |
IRF3205STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 54400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 30.67 грн |
IRF3205Z |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 49.3 грн |
IRF3205Z |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 49.3 грн |
IRF3205ZLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 98.79 грн |
5+ | 82.83 грн |
10+ | 72.56 грн |
13+ | 62.98 грн |
35+ | 59.56 грн |
IRF3205ZLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 103.22 грн |
10+ | 87.08 грн |
13+ | 75.58 грн |
35+ | 71.47 грн |
IRF3205ZLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
149+ | 78.46 грн |
IRF3205ZLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3900+ | 55.73 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]