Результат пошуку "irf6216" : 10
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF6216PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 2,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1280 @ 25; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 240 мОм @ 1,3 A, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
IRF6216TR | IR | 2002 |
на замовлення 3390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
IRF6216PBF Код товару: 20309 |
IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 150 V Id,A: 2,2 A Rds(on),Om: 0,24 Ohm Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||
IRF6216 | IR - ASA only Supplier | Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
||||||||
IRF6216PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |
||||||||
IRF6216TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -2.2A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||
IRF6216TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||
IRF6216TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||
IRF6216TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -2.2A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
IRF6216PBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 2,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1280 @ 25; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 240 мОм @ 1,3 A, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
P-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 2,2 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1280 @ 25; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 240 мОм @ 1,3 A, 10 В; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 124.8 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 27.83 грн |
IRF6216PBF Код товару: 20309 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 150 V
Id,A: 2,2 A
Rds(on),Om: 0,24 Ohm
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 150 V
Id,A: 2,2 A
Rds(on),Om: 0,24 Ohm
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF6216PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC Tube
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
IRF6216TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF6216TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF6216TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF6216TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній