Результат пошуку "irf72" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 1394
Мінімальне замовлення: 1158
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 2998
Мінімальне замовлення: 49
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 1013
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 234
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 202
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 304
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 190
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 386
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 4000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7201PBF Код товару: 24055 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 7,3 A Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 550/19 Монтаж: SMD |
у наявності: 79 шт
|
|
|||||||||||||||
IRF7201TRPBF Код товару: 42753 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 7,3 A Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 550/19 Монтаж: SMD |
у наявності: 3180 шт
|
|
|||||||||||||||
IRF7204 Код товару: 25811 |
IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Id,A: 5,3 A Rds(on),Om: 0,060 Ohm Монтаж: SMD |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||||
IRF720PBF Код товару: 164162 |
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 400 V Idd,A: 3,3 A Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 410/20 Монтаж: THT |
у наявності: 27 шт
|
|
|||||||||||||||
IRF720 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRF720 - IRF720, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 12045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V |
на замовлення 12045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720 | Siliconix |
N-MOSFET 3A 400V 50W 1.8? IRF720 IRF720 TIRF720 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720 | Siliconix |
N-MOSFET 3A 400V 50W 1.8? IRF720 IRF720 TIRF720 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7201TR | International Rectifier |
N-MOSFET 7.3A 30V 2,5W 50&mohm; IRF7201 smd TIRF7201 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7201TRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7201TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7201TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7201TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7201TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7201TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7204 | TECH PUBLIC |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 7,5A; 22mOhm; 12V; 3,1W; -50°C~150°C; IRF7204 TIRF7204 TEC кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7204PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 10; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 5.3 А, 10 В; Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7204PBF | IR | Транз. Пол. ММ P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-5,3A; Pdmax=2,5W; Rds=0,06 Ohm |
на замовлення 14 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7204TR | Infineon |
P-MOSFET 5.3A 20V 2.5W 0.06Ω IRF7204 smd TIRF7204 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 209 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7204TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7204TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7204TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7205 | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 870 @ 10; Qg, нКл = 40 @ 10 В; Rds = 70 мОм @ 4,6 A, 10 В; Ugs(th) = 3V @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 98 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7205TR | Infineon |
P-MOSFET 4.6A 30V 2.5W 0.07Ω Possible substitute: STS4DPF30L IRF7205 smd TIRF7205 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1293 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7205TR | JGSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR JGSEMI TIRF7205 JGS кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7205TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 4,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR UMW TIRF7205 UMW кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7205TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7205TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7205TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V |
на замовлення 23700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7205TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7205TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, 4.6A, SOIC tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7205TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7205TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7205TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF7205 - 20V-250V P-CHANNEL POW Packaging: Bulk |
на замовлення 32600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7205TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V |
на замовлення 24181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7205TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7205TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7205TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7205TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.1A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.1A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 427 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF720PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 2065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 400V N-CH HEXFET |
на замовлення 2814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 400V N-CH HEXFET |
на замовлення 1791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF720SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp |
на замовлення 743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7220 | International Rectifier |
P-MOSFET -11A -14V 0.012Ω IRF7220TR ; IRF7220 phased out ; Replacement: IRF7420, IRF7425 IRF7220 TIRF7220 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF723 | Harris Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 79897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7240PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = -40; Id = -10,5; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 9250 @ -25; Qg, нКл = 73; Rds = 15 мОм; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = -2 В; SOICN-8 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7240PBF | IR | Транз. Пол. ММ P-Channel SOIC8 Udss=40V Id=10,5A P=2.5W Rds=15mOhm |
на замовлення 20 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7240TR | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 25mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240 TIRF7240 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7240TR | JGSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 10A; 4,2W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR JGSEMI TIRF7240 JGS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7240TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 27mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR UMW TIRF7240 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7240TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRF7201PBF Код товару: 24055 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
Монтаж: SMD
у наявності: 79 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 13.5 грн |
10+ | 11.9 грн |
IRF7201TRPBF Код товару: 42753 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 550/19
Монтаж: SMD
у наявності: 3180 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 14 грн |
10+ | 12.4 грн |
100+ | 11.2 грн |
IRF7204 Код товару: 25811 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 0,060 Ohm
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 0,060 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24 грн |
IRF720PBF Код товару: 164162 |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 410/20
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 410/20
Монтаж: THT
у наявності: 27 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 18 грн |
10+ | 15.5 грн |
IRF720 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF720 - IRF720, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - IRF720 - IRF720, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1394+ | 17.59 грн |
IRF720 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 12045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1158+ | 17.11 грн |
IRF720 |
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 23.77 грн |
IRF720 |
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 23.77 грн |
IRF7201TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 7.3A 30V 2,5W 50&mohm; IRF7201 smd TIRF7201
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 7.3A 30V 2,5W 50&mohm; IRF7201 smd TIRF7201
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 17.95 грн |
IRF7201TRPBF |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 253.52 грн |
IRF7201TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF7201TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 57.43 грн |
16+ | 47.3 грн |
100+ | 29.93 грн |
500+ | 24.57 грн |
1000+ | 17.1 грн |
IRF7201TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 57.43 грн |
16+ | 47.3 грн |
100+ | 29.93 грн |
500+ | 24.57 грн |
1000+ | 17.1 грн |
IRF7201TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH
Trans MOSFET N-CH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 20.72 грн |
IRF7201TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH
Trans MOSFET N-CH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 22.31 грн |
IRF7204 |
Виробник: TECH PUBLIC
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 7,5A; 22mOhm; 12V; 3,1W; -50°C~150°C; IRF7204 TIRF7204 TEC
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 7,5A; 22mOhm; 12V; 3,1W; -50°C~150°C; IRF7204 TIRF7204 TEC
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 13.68 грн |
IRF7204PBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 10; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 5.3 А, 10 В; Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 5,3 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 860 @ 10; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 60 мОм @ 5.3 А, 10 В; Ugs(th) = 2.5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 207.99 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 12.85 грн |
IRF7204PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-5,3A; Pdmax=2,5W; Rds=0,06 Ohm
Транз. Пол. ММ P-HEXFET logik SO8 Udss=-20V; Id=-5,3A; Pdmax=2,5W; Rds=0,06 Ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 22.31 грн |
14+ | 18.58 грн |
IRF7204TR |
на замовлення 209 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 27.02 грн |
IRF7204TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF7204TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF7204TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2998+ | 31.79 грн |
IRF7205 |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 870 @ 10; Qg, нКл = 40 @ 10 В; Rds = 70 мОм @ 4,6 A, 10 В; Ugs(th) = 3V @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 4,6 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 870 @ 10; Qg, нКл = 40 @ 10 В; Rds = 70 мОм @ 4,6 A, 10 В; Ugs(th) = 3V @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 98 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
49+ | 12.98 грн |
52+ | 12.11 грн |
100+ | 11.25 грн |
IRF7205TR |
Виробник: Infineon
P-MOSFET 4.6A 30V 2.5W 0.07Ω Possible substitute: STS4DPF30L IRF7205 smd TIRF7205
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 4.6A 30V 2.5W 0.07Ω Possible substitute: STS4DPF30L IRF7205 smd TIRF7205
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 18.64 грн |
IRF7205TR |
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR JGSEMI TIRF7205 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR JGSEMI TIRF7205 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 8.38 грн |
IRF7205TR |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 4,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR UMW TIRF7205 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 130mOhm; 4,6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7205; IRF7205TR; SP001551218; SP001559768; IRF7205TR UMW TIRF7205 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 11.12 грн |
IRF7205TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 92.39 грн |
IRF7205TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 66.52 грн |
25+ | 26.94 грн |
47+ | 20.42 грн |
129+ | 19.27 грн |
4000+ | 19.19 грн |
IRF7205TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
на замовлення 23700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 19.43 грн |
8000+ | 17.72 грн |
12000+ | 16.41 грн |
IRF7205TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7205TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, 4.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IRF7205TRPBF - MOSFET, P-KANAL, -30V, 4.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 50.63 грн |
50+ | 32.08 грн |
250+ | 26.83 грн |
1000+ | 20.73 грн |
2000+ | 17.42 грн |
IRF7205TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 26.91 грн |
IRF7205TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 18.4 грн |
8000+ | 16.81 грн |
IRF7205TRPBF |
на замовлення 32600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1013+ | 19.74 грн |
IRF7205TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
на замовлення 24181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 51.31 грн |
10+ | 42.62 грн |
100+ | 29.54 грн |
500+ | 23.16 грн |
1000+ | 19.71 грн |
2000+ | 17.56 грн |
IRF7205TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 10.61 грн |
IRF7205TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 54.62 грн |
13+ | 46.94 грн |
25+ | 46.47 грн |
100+ | 30.92 грн |
250+ | 28.34 грн |
500+ | 22.56 грн |
1000+ | 14.86 грн |
IRF7205TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
234+ | 50.05 грн |
338+ | 34.53 грн |
342+ | 34.18 грн |
500+ | 27.33 грн |
1000+ | 16.67 грн |
IRF7205TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC
MOSFET MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 55.73 грн |
10+ | 47.43 грн |
100+ | 28.46 грн |
500+ | 23.72 грн |
1000+ | 19.04 грн |
2000+ | 17.79 грн |
4000+ | 17.59 грн |
IRF720PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 62.82 грн |
11+ | 31.71 грн |
31+ | 26.08 грн |
83+ | 24.71 грн |
IRF720PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 427 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 75.39 грн |
10+ | 39.51 грн |
31+ | 31.3 грн |
83+ | 29.65 грн |
1000+ | 28.91 грн |
IRF720PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF720PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRF720PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3 A, 1.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 77.61 грн |
12+ | 62.23 грн |
100+ | 50.63 грн |
500+ | 44.2 грн |
1000+ | 39.97 грн |
IRF720PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
202+ | 57.87 грн |
214+ | 54.57 грн |
221+ | 52.82 грн |
232+ | 48.58 грн |
IRF720PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 72.5 грн |
11+ | 57.15 грн |
100+ | 48.68 грн |
500+ | 33.16 грн |
IRF720PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
304+ | 38.4 грн |
IRF720PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 18.83 грн |
IRF720PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
190+ | 61.54 грн |
223+ | 52.42 грн |
500+ | 37.03 грн |
IRF720PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 81.96 грн |
50+ | 62.98 грн |
100+ | 49.91 грн |
500+ | 39.7 грн |
1000+ | 32.34 грн |
IRF720PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 72.95 грн |
10+ | 59.93 грн |
100+ | 45.13 грн |
500+ | 42.43 грн |
IRF720PBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V N-CH HEXFET
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.95 грн |
10+ | 54.93 грн |
100+ | 45.13 грн |
1000+ | 42.43 грн |
IRF720PBF-BE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 81.96 грн |
IRF720SPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 114.03 грн |
50+ | 88.11 грн |
100+ | 72.49 грн |
IRF720SPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp
MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 111.46 грн |
10+ | 91.68 грн |
100+ | 63.12 грн |
250+ | 58.24 грн |
500+ | 52.84 грн |
1000+ | 50.34 грн |
2000+ | 47.77 грн |
IRF7220 |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET -11A -14V 0.012Ω IRF7220TR ; IRF7220 phased out ; Replacement: IRF7420, IRF7425 IRF7220 TIRF7220
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET -11A -14V 0.012Ω IRF7220TR ; IRF7220 phased out ; Replacement: IRF7420, IRF7425 IRF7220 TIRF7220
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 28.05 грн |
IRF723 |
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 79897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
386+ | 51.33 грн |
IRF7240PBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = -40; Id = -10,5; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 9250 @ -25; Qg, нКл = 73; Rds = 15 мОм; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = -2 В; SOICN-8
P-канальний ПТ; Udss, В = -40; Id = -10,5; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 9250 @ -25; Qg, нКл = 73; Rds = 15 мОм; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = -2 В; SOICN-8
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 207.99 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 44.35 грн |
IRF7240PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ P-Channel SOIC8 Udss=40V Id=10,5A P=2.5W Rds=15mOhm
Транз. Пол. ММ P-Channel SOIC8 Udss=40V Id=10,5A P=2.5W Rds=15mOhm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.14 грн |
10+ | 51.61 грн |
IRF7240TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 25mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240 TIRF7240
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 25mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240 TIRF7240
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 46 грн |
IRF7240TR |
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 10A; 4,2W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR JGSEMI TIRF7240 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 10A; 4,2W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR JGSEMI TIRF7240 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 15.22 грн |
IRF7240TR |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 27mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR UMW TIRF7240 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 27mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240TR UMW TIRF7240 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.06 грн |
IRF7240TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 40V 10.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 47.6 грн |
8000+ | 45.92 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]