Результат пошуку "irf75" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF7504TRPBF IRF7504TRPBF
Код товару: 76998 		IR irf7504pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: 8-TSSOP
Uds,V: 20 V
Id,A: 1,7 A
Rds(on),Om: 0,27 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 123 шт
1+14 грн
10+ 12.5 грн
100+ 11.2 грн
IRF7501TR International Rectifier/Infineon IRF7501.pdf 2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,4 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 260 @ 15; Qg, нКл = 8 @ 4,5 В; Rds = 135 мОм @ 1,7 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; MICRO-8
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
17+37.27 грн
18+ 34.79 грн
100+ 32.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRF7501TR IR IRF7501.pdf Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8 Udss=20V; Id=2,4A; Pdmax=1,25W; Rds=0,135 Ohm
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
11+26.21 грн
12+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7503TR International Rectifier IRF7503.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 222mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRF7503 TIRF7503
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7503TRPBF Infineon irf7503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560310241c54 Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+34.5 грн
10+ 28.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Infineon Technologies irf7503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560310241c54 Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
на замовлення 108538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
11+ 25.19 грн
100+ 17.45 грн
500+ 13.68 грн
1000+ 12.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.58 грн
250+ 19.68 грн
1000+ 17.53 грн
2000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+60.93 грн
243+ 47.93 грн
321+ 36.29 грн
323+ 34.8 грн
551+ 18.88 грн
1000+ 17.8 грн
2000+ 17.63 грн
4000+ 17.38 грн
Мінімальне замовлення: 192
IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Infineon Technologies irf7503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560310241c54 Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Infineon Technologies irf7503pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.53 грн
21+ 28.32 грн
25+ 28.04 грн
100+ 19.04 грн
250+ 17.45 грн
500+ 14.18 грн
1000+ 13.29 грн
3000+ 13.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7503-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+30.19 грн
548+ 21.26 грн
554+ 21.05 грн
654+ 17.18 грн
1000+ 14.91 грн
3000+ 14.17 грн
Мінімальне замовлення: 386
IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.7 грн
50+ 25.58 грн
250+ 19.68 грн
1000+ 17.53 грн
2000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7503TRPBF IRF7503TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7503_DataSheet_v01_01_EN-3363290.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 2.4A Micro 8
на замовлення 33257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
11+ 28.04 грн
100+ 16.89 грн
500+ 14.13 грн
1000+ 13.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7507PBF International Rectifier/Infineon IR_PartNumberingSystem.pdf Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 2,4 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 260 @ 15; Qg, нКл = 8 @ 4,5 В; Rds = 140 мОм @ 1,7 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; Id2 = 1,7 А; MICRO-8
на замовлення 49 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
15+42.62 грн
16+ 39.78 грн
100+ 36.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF7507TR IR irf7507.pdf Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(20; -20)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+49.39 грн
10+ 40.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF INFINEON INFN-S-A0002185062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.05 грн
500+ 22.45 грн
1000+ 18.33 грн
5000+ 15.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Infineon Technologies irf7507.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
623+18.71 грн
672+ 17.34 грн
679+ 17.17 грн
695+ 16.16 грн
1000+ 14.01 грн
Мінімальне замовлення: 623
IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7507_DataSheet_v02_00_EN-3362875.pdf MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.4A Micro 8
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.8 грн
10+ 33.25 грн
100+ 21.82 грн
500+ 18.86 грн
1000+ 15.44 грн
2000+ 15.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Infineon Technologies irf7507.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+21.23 грн
29+ 20.15 грн
100+ 17.7 грн
500+ 16.05 грн
1000+ 13.38 грн
2000+ 12 грн
Мінімальне замовлення: 28
IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Infineon Technologies irf7507.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+17.94 грн
34+ 17.38 грн
100+ 15.53 грн
250+ 14.23 грн
500+ 13.34 грн
1000+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 33
IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Infineon Technologies irf7507.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Infineon Technologies irf7507.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 28703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.92 грн
10+ 39.23 грн
100+ 27.18 грн
500+ 21.31 грн
1000+ 18.14 грн
2000+ 16.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Infineon Technologies irf7507.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Infineon Technologies irf7507.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF INFINEON INFN-S-A0002185062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.47 грн
16+ 46.3 грн
100+ 29.05 грн
500+ 22.45 грн
1000+ 18.33 грн
5000+ 15.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Infineon Technologies irf7507.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.88 грн
8000+ 16.31 грн
12000+ 15.1 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Infineon Technologies irf7507.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7507TRPBF IRF7507TRPBF Infineon Technologies irf7507.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 3973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+24.55 грн
496+ 23.48 грн
498+ 23.39 грн
559+ 20.12 грн
1000+ 17.93 грн
2000+ 17.13 грн
Мінімальне замовлення: 475
IRF7509TR IR irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(30; -30)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
13+22.94 грн
14+ 18.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF7509TRPBF International Rectifier/Infineon irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 2,7 A; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 210 @ 25; Qg, нКл = 12 @ 10 В; Rds = 110 мОм @ 1,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9,7 нс; td(off)+tf = 19 нс;
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+624 грн
10+ 62.4 грн
100+ 20.79 грн
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Infineon Technologies irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
на замовлення 108856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.61 грн
10+ 43.68 грн
100+ 30.24 грн
500+ 23.71 грн
1000+ 20.18 грн
2000+ 17.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7509-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+29.05 грн
473+ 24.66 грн
475+ 24.53 грн
637+ 17.63 грн
Мінімальне замовлення: 401
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF INFINEON INFN-S-A0003528766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62 грн
15+ 52.56 грн
100+ 32.81 грн
500+ 25.4 грн
1000+ 16.81 грн
5000+ 16.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Infineon Technologies irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.89 грн
8000+ 18.14 грн
12000+ 16.8 грн
28000+ 15.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7509-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.66 грн
22+ 27.11 грн
25+ 26.98 грн
100+ 22.08 грн
250+ 20.33 грн
500+ 14.55 грн
Мінімальне замовлення: 21
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF INFINEON INFN-S-A0003528766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.81 грн
500+ 25.4 грн
1000+ 16.81 грн
5000+ 16.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7509_DataSheet_v01_01_EN-3363199.pdf MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A Micro 8
на замовлення 38270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.75 грн
10+ 42.7 грн
100+ 27.34 грн
500+ 22.87 грн
1000+ 20.77 грн
2000+ 18.53 грн
4000+ 18.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7509TRPBF IRF7509TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7509-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+25.03 грн
500+ 24.55 грн
2000+ 24.45 грн
4000+ 23.39 грн
Мінімальне замовлення: 466
IRF7530TR International Rectifier/Infineon IRF7530.pdf Сдвоенный N-канальный ПТ (Vds=20V, Id=5.4A@t=25C, 4.3A@t=70C, Rds=0.03 R , P=1.3W, -55 to +150C), smd. MICRO-8
на замовлення 49 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
11+60.23 грн
12+ 56.22 грн
100+ 52.2 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+39.58 грн
364+ 32.02 грн
375+ 31.05 грн
500+ 27.97 грн
Мінімальне замовлення: 295
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356036f371c6c Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.11 грн
8000+ 21.19 грн
12000+ 20.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7530_DataSheet_v01_01_EN-3363010.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.65 грн
10+ 48.37 грн
100+ 32.47 грн
500+ 28.06 грн
1000+ 22.87 грн
2000+ 21.49 грн
4000+ 20.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.05 грн
50+ 37.08 грн
250+ 31.41 грн
1000+ 23.75 грн
2000+ 20.6 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+59.67 грн
12+ 48.63 грн
25+ 47.69 грн
100+ 35.37 грн
250+ 32.42 грн
500+ 27.82 грн
1000+ 21.63 грн
3000+ 19.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.08 грн
250+ 31.41 грн
1000+ 23.75 грн
2000+ 20.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356036f371c6c Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 14150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.45 грн
10+ 44.02 грн
100+ 34.23 грн
500+ 27.23 грн
1000+ 22.18 грн
2000+ 20.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+52.37 грн
227+ 51.36 грн
295+ 39.5 грн
298+ 37.71 грн
500+ 31.21 грн
1000+ 23.3 грн
3000+ 21.15 грн
Мінімальне замовлення: 223
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7530TRPBF IRF7530TRPBF Infineon Technologies irf7530.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7580MTRPBF IRF7580MTRPBF Infineon Technologies infineon-irf7580m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+94.71 грн
125+ 93.27 грн
127+ 91.84 грн
129+ 87.16 грн
131+ 79.42 грн
250+ 75.01 грн
500+ 73.78 грн
1000+ 72.55 грн
Мінімальне замовлення: 123
IRF7580MTRPBF IRF7580MTRPBF Infineon Technologies IRSD-S-A0000576616-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 239
IRF7580MTRPBF IRF7580MTRPBF International Rectifier IRSD-S-A0000576616-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
на замовлення 7423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 239
IRF7580MTRPBF IRF7580MTRPBF Infineon Technologies infineon-irf7580m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.94 грн
10+ 86.61 грн
25+ 85.28 грн
50+ 80.94 грн
100+ 73.75 грн
250+ 69.65 грн
500+ 68.51 грн
1000+ 67.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7501 IR 07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7501 IR SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7504TRPBF
Код товару: 76998		 irf7504pbf-datasheet.pdf
IRF7504TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: 8-TSSOP
Uds,V: 20 V
Id,A: 1,7 A
Rds(on),Om: 0,27 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 123 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+14 грн
10+ 12.5 грн
100+ 11.2 грн
IRF7501TR IRF7501.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 2,4 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 260 @ 15; Qg, нКл = 8 @ 4,5 В; Rds = 135 мОм @ 1,7 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; MICRO-8
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+37.27 грн
18+ 34.79 грн
100+ 32.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRF7501TR IRF7501.pdf
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8 Udss=20V; Id=2,4A; Pdmax=1,25W; Rds=0,135 Ohm
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.21 грн
12+ 21.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7503TR IRF7503.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 222mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRF7503 TIRF7503
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7503TRPBF irf7503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560310241c54
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik MICRO8
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.5 грн
10+ 28.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF7503TRPBF irf7503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560310241c54
IRF7503TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
на замовлення 108538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.86 грн
11+ 25.19 грн
100+ 17.45 грн
500+ 13.68 грн
1000+ 12.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7503TRPBF INFN-S-A0002542222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7503TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.58 грн
250+ 19.68 грн
1000+ 17.53 грн
2000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7503TRPBF infineon-irf7503-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7503TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7503TRPBF infineon-irf7503-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7503TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
192+60.93 грн
243+ 47.93 грн
321+ 36.29 грн
323+ 34.8 грн
551+ 18.88 грн
1000+ 17.8 грн
2000+ 17.63 грн
4000+ 17.38 грн
Мінімальне замовлення: 192
IRF7503TRPBF irf7503pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560310241c54
IRF7503TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7503TRPBF irf7503pbf.pdf
IRF7503TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7503TRPBF infineon-irf7503-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7503TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+32.53 грн
21+ 28.32 грн
25+ 28.04 грн
100+ 19.04 грн
250+ 17.45 грн
500+ 14.18 грн
1000+ 13.29 грн
3000+ 13.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF7503TRPBF infineon-irf7503-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7503TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
386+30.19 грн
548+ 21.26 грн
554+ 21.05 грн
654+ 17.18 грн
1000+ 14.91 грн
3000+ 14.17 грн
Мінімальне замовлення: 386
IRF7503TRPBF INFN-S-A0002542222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7503TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7503TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.135 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+38.7 грн
50+ 25.58 грн
250+ 19.68 грн
1000+ 17.53 грн
2000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7503TRPBF Infineon_IRF7503_DataSheet_v01_01_EN-3363290.pdf
IRF7503TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 2.4A Micro 8
на замовлення 33257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.82 грн
11+ 28.04 грн
100+ 16.89 грн
500+ 14.13 грн
1000+ 13.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7507PBF IR_PartNumberingSystem.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 20; Id = 2,4 А; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 260 @ 15; Qg, нКл = 8 @ 4,5 В; Rds = 140 мОм @ 1,7 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА; Id2 = 1,7 А; MICRO-8
на замовлення 49 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+42.62 грн
16+ 39.78 грн
100+ 36.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF7507TR irf7507.pdf
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(20; -20)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+49.39 грн
10+ 40.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7507TRPBF INFN-S-A0002185062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7507TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+29.05 грн
500+ 22.45 грн
1000+ 18.33 грн
5000+ 15.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7507TRPBF irf7507.pdf
IRF7507TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
623+18.71 грн
672+ 17.34 грн
679+ 17.17 грн
695+ 16.16 грн
1000+ 14.01 грн
Мінімальне замовлення: 623
IRF7507TRPBF Infineon_IRF7507_DataSheet_v02_00_EN-3362875.pdf
IRF7507TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.4A Micro 8
на замовлення 5116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.8 грн
10+ 33.25 грн
100+ 21.82 грн
500+ 18.86 грн
1000+ 15.44 грн
2000+ 15.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF7507TRPBF irf7507.pdf
IRF7507TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+21.23 грн
29+ 20.15 грн
100+ 17.7 грн
500+ 16.05 грн
1000+ 13.38 грн
2000+ 12 грн
Мінімальне замовлення: 28
IRF7507TRPBF irf7507.pdf
IRF7507TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+17.94 грн
34+ 17.38 грн
100+ 15.53 грн
250+ 14.23 грн
500+ 13.34 грн
1000+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 33
IRF7507TRPBF irf7507.pdf
IRF7507TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7507TRPBF irf7507.pdf
IRF7507TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 28703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.92 грн
10+ 39.23 грн
100+ 27.18 грн
500+ 21.31 грн
1000+ 18.14 грн
2000+ 16.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7507TRPBF irf7507.pdf
IRF7507TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7507TRPBF irf7507.pdf
IRF7507TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRF7507TRPBF INFN-S-A0002185062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7507TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+56.47 грн
16+ 46.3 грн
100+ 29.05 грн
500+ 22.45 грн
1000+ 18.33 грн
5000+ 15.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF7507TRPBF irf7507.pdf
IRF7507TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+17.88 грн
8000+ 16.31 грн
12000+ 15.1 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7507TRPBF irf7507.pdf
IRF7507TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7507TRPBF irf7507.pdf
IRF7507TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 3973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
475+24.55 грн
496+ 23.48 грн
498+ 23.39 грн
559+ 20.12 грн
1000+ 17.93 грн
2000+ 17.13 грн
Мінімальне замовлення: 475
IRF7509TR irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik MICRO8 Udss=(30; -30)V; Id=(2,4; -1,7)A; Pdmax=1,25W; Rds=(0,135; 0,27) Ohm
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.94 грн
14+ 18.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF7509TRPBF irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c
Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 2,7 A; Ptot, Вт = 1,25; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 210 @ 25; Qg, нКл = 12 @ 10 В; Rds = 110 мОм @ 1,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; td(on)+tr = 9,7 нс; td(off)+tf = 19 нс;
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624 грн
10+ 62.4 грн
100+ 20.79 грн
IRF7509TRPBF irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c
IRF7509TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
на замовлення 108856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.61 грн
10+ 43.68 грн
100+ 30.24 грн
500+ 23.71 грн
1000+ 20.18 грн
2000+ 17.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7509TRPBF infineon-irf7509-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7509TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
401+29.05 грн
473+ 24.66 грн
475+ 24.53 грн
637+ 17.63 грн
Мінімальне замовлення: 401
IRF7509TRPBF INFN-S-A0003528766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7509TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+62 грн
15+ 52.56 грн
100+ 32.81 грн
500+ 25.4 грн
1000+ 16.81 грн
5000+ 16.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF7509TRPBF irf7509pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560330a81c5c
IRF7509TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+19.89 грн
8000+ 18.14 грн
12000+ 16.8 грн
28000+ 15.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7509TRPBF infineon-irf7509-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7509TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+28.66 грн
22+ 27.11 грн
25+ 26.98 грн
100+ 22.08 грн
250+ 20.33 грн
500+ 14.55 грн
Мінімальне замовлення: 21
IRF7509TRPBF INFN-S-A0003528766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7509TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7509TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.81 грн
500+ 25.4 грн
1000+ 16.81 грн
5000+ 16.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7509TRPBF Infineon_IRF7509_DataSheet_v01_01_EN-3363199.pdf
IRF7509TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A Micro 8
на замовлення 38270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.75 грн
10+ 42.7 грн
100+ 27.34 грн
500+ 22.87 грн
1000+ 20.77 грн
2000+ 18.53 грн
4000+ 18.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7509TRPBF infineon-irf7509-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7509TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 2.7A/2A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
466+25.03 грн
500+ 24.55 грн
2000+ 24.45 грн
4000+ 23.39 грн
Мінімальне замовлення: 466
IRF7530TR IRF7530.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
Сдвоенный N-канальный ПТ (Vds=20V, Id=5.4A@t=25C, 4.3A@t=70C, Rds=0.03 R , P=1.3W, -55 to +150C), smd. MICRO-8
на замовлення 49 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+60.23 грн
12+ 56.22 грн
100+ 52.2 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7530TRPBF irf7530.pdf
IRF7530TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
295+39.58 грн
364+ 32.02 грн
375+ 31.05 грн
500+ 27.97 грн
Мінімальне замовлення: 295
IRF7530TRPBF irf7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356036f371c6c
IRF7530TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.11 грн
8000+ 21.19 грн
12000+ 20.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7530TRPBF irf7530.pdf
IRF7530TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7530TRPBF Infineon_IRF7530_DataSheet_v01_01_EN-3363010.pdf
IRF7530TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.65 грн
10+ 48.37 грн
100+ 32.47 грн
500+ 28.06 грн
1000+ 22.87 грн
2000+ 21.49 грн
4000+ 20.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7530TRPBF INFN-S-A0002542223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7530TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+52.05 грн
50+ 37.08 грн
250+ 31.41 грн
1000+ 23.75 грн
2000+ 20.6 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF7530TRPBF irf7530.pdf
IRF7530TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7530TRPBF irf7530.pdf
IRF7530TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+59.67 грн
12+ 48.63 грн
25+ 47.69 грн
100+ 35.37 грн
250+ 32.42 грн
500+ 27.82 грн
1000+ 21.63 грн
3000+ 19.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7530TRPBF INFN-S-A0002542223-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7530TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7530TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.4 A, 5.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+37.08 грн
250+ 31.41 грн
1000+ 23.75 грн
2000+ 20.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7530TRPBF irf7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356036f371c6c
IRF7530TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 14150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.45 грн
10+ 44.02 грн
100+ 34.23 грн
500+ 27.23 грн
1000+ 22.18 грн
2000+ 20.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7530TRPBF irf7530.pdf
IRF7530TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7530TRPBF irf7530.pdf
IRF7530TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
223+52.37 грн
227+ 51.36 грн
295+ 39.5 грн
298+ 37.71 грн
500+ 31.21 грн
1000+ 23.3 грн
3000+ 21.15 грн
Мінімальне замовлення: 223
IRF7530TRPBF irf7530.pdf
IRF7530TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7530TRPBF irf7530.pdf
IRF7530TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.4A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7580MTRPBF infineon-irf7580m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7580MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
123+94.71 грн
125+ 93.27 грн
127+ 91.84 грн
129+ 87.16 грн
131+ 79.42 грн
250+ 75.01 грн
500+ 73.78 грн
1000+ 72.55 грн
Мінімальне замовлення: 123
IRF7580MTRPBF IRSD-S-A0000576616-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF7580MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
239+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 239
IRF7580MTRPBF IRSD-S-A0000576616-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF7580MTRPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
на замовлення 7423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
239+82.71 грн
Мінімальне замовлення: 239
IRF7580MTRPBF infineon-irf7580m-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7580MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 114A 10-Pin Direct-FET ME T/R
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+87.94 грн
10+ 86.61 грн
25+ 85.28 грн
50+ 80.94 грн
100+ 73.75 грн
250+ 69.65 грн
500+ 68.51 грн
1000+ 67.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7501
Виробник: IR
07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7501
Виробник: IR
SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]