Результат пошуку "irfb3206" : 25

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFB3206PBF IRFB3206PBF
Код товару: 34412 		IR irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
у наявності: 277 шт
1+95 грн
10+ 88 грн
100+ 82.5 грн
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Infineon Technologies infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+175.61 грн
76+ 154.25 грн
95+ 119.03 грн
103+ 101.66 грн
250+ 96.88 грн
500+ 90.13 грн
1000+ 84.5 грн
Мінімальне замовлення: 67
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Infineon Technologies infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+164.12 грн
10+ 144.24 грн
25+ 113.35 грн
50+ 108.99 грн
100+ 93.31 грн
250+ 88.92 грн
500+ 84.41 грн
1000+ 79.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Infineon Technologies infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Infineon Technologies irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.55 грн
50+ 141.9 грн
100+ 121.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.75 грн
9+ 90.36 грн
25+ 85.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+169.86 грн
3+ 146.73 грн
9+ 108.44 грн
25+ 102.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 25717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+147.16 грн
50+ 113.69 грн
100+ 93.55 грн
500+ 74.28 грн
1000+ 63.03 грн
2000+ 59.88 грн
5000+ 56.68 грн
10000+ 54.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+74.32 грн
158+ 74.12 грн
159+ 73.25 грн
Мінімальне замовлення: 157
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+123.08 грн
111+ 105.78 грн
126+ 92.48 грн
250+ 83.01 грн
500+ 75 грн
Мінімальне замовлення: 95
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+156.28 грн
78+ 150.33 грн
100+ 145.23 грн
250+ 135.8 грн
500+ 122.31 грн
1000+ 114.55 грн
Мінімальне замовлення: 75
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+131.9 грн
103+ 113.77 грн
117+ 99.75 грн
250+ 93.8 грн
500+ 80.23 грн
1000+ 67.69 грн
2000+ 66.36 грн
Мінімальне замовлення: 89
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.02 грн
10+ 101 грн
100+ 84.78 грн
500+ 76.67 грн
1000+ 68.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFB3206PBF IRFB3206PBF Infineon Technologies infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF
Код товару: 52938 		irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF Infineon Technologies infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRFB3206PBF
Код товару: 34412		 irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a
IRFB3206PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
у наявності: 277 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+95 грн
10+ 88 грн
100+ 82.5 грн
IRFB3206GPBF infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206GPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+175.61 грн
76+ 154.25 грн
95+ 119.03 грн
103+ 101.66 грн
250+ 96.88 грн
500+ 90.13 грн
1000+ 84.5 грн
Мінімальне замовлення: 67
IRFB3206GPBF infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206GPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+164.12 грн
10+ 144.24 грн
25+ 113.35 грн
50+ 108.99 грн
100+ 93.31 грн
250+ 88.92 грн
500+ 84.41 грн
1000+ 79.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFB3206GPBF infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206GPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFB3206GPBF irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5
IRFB3206GPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+185.55 грн
50+ 141.9 грн
100+ 121.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3206PBF irfs3206pbf.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.75 грн
9+ 90.36 грн
25+ 85.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFB3206PBF irfs3206pbf.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.86 грн
3+ 146.73 грн
9+ 108.44 грн
25+ 102.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+92.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IRFB3206PBF irfs3206pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636671c215a
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 25717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+147.16 грн
50+ 113.69 грн
100+ 93.55 грн
500+ 74.28 грн
1000+ 63.03 грн
2000+ 59.88 грн
5000+ 56.68 грн
10000+ 54.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
157+74.32 грн
158+ 74.12 грн
159+ 73.25 грн
Мінімальне замовлення: 157
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
95+123.08 грн
111+ 105.78 грн
126+ 92.48 грн
250+ 83.01 грн
500+ 75 грн
Мінімальне замовлення: 95
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+156.28 грн
78+ 150.33 грн
100+ 145.23 грн
250+ 135.8 грн
500+ 122.31 грн
1000+ 114.55 грн
Мінімальне замовлення: 75
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
89+131.9 грн
103+ 113.77 грн
117+ 99.75 грн
250+ 93.8 грн
500+ 80.23 грн
1000+ 67.69 грн
2000+ 66.36 грн
Мінімальне замовлення: 89
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+60.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFB3206PBF INFN-S-A0012838706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFB3206PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+129.02 грн
10+ 101 грн
100+ 84.78 грн
500+ 76.67 грн
1000+ 68.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFB3206PBF infineon-irfs3206-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFB3206GPBF
Код товару: 52938		 irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5
IRFB3206GPBF
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFB3206GPBF irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5
IRFB3206GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFB3206GPBF irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5
IRFB3206GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB3206GPBF infineon-irfb3206g-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB3206GPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній