Результат пошуку "irfb4" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 163
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 102
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 119
Мінімальне замовлення: 120
Мінімальне замовлення: 87
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 174
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 33
Мінімальне замовлення: 38
Мінімальне замовлення: 43
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 36
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 52
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 62
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 32
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 59
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 66
Мінімальне замовлення: 43
Мінімальне замовлення: 70
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 63
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 83
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB4020PBF Код товару: 55927 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 80 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18 Монтаж: THT |
у наявності: 16 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRFB4110PBF Код товару: 42666 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 180 A Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150 Монтаж: THT |
у наявності: 167 шт
очікується:
300 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRFB4115PBF Код товару: 37473 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 150 V Idd,A: 104 A Монтаж: THT |
у наявності: 195 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRFB4227PBF Код товару: 25579 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 130 A Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4600/70 Монтаж: THT |
у наявності: 31 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRFB4410PBF Код товару: 72936 |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 96 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120 Монтаж: THT |
у наявності: 109 шт
|
|
||||||||||||||||||||
IRFB4510PBF Код товару: 58620 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 62 A Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3180/58 Монтаж: THT |
у наявності: 322 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRFB4710PBF Код товару: 35455 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 6160/110 Монтаж: THT |
у наявності: 49 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRFB4019PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 17A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4019PBF | Infineon | Транзистор N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB; HEXFET® |
на замовлення 97 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4019PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFB4019PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4019PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4019PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4019PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4020 | International Rectifier |
N-MOSFET 18A 200V 100W 0.1Ω IRFB4020 TIRFB4020 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 92 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4020PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Power dissipation: 100W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4020PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50; Qg, нКл = 29 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В; Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА; Р, Вт = 100; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = Вивідний; TO-220AB |
на замовлення 400 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4020PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4020PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4020PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4020PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4020PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4020PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4110GPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4110GPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4110PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4110PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 310 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4110PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4110PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4110PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4110PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4110PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4110PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4110PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 5238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4110PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4115 | Infineon |
N-MOSFET 104A 150V 380W 0.0093Ω IRFB4115 TIRFB4115 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4115PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 74A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 77nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFB4115PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4115PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4115PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4115PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4115PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4127 | International Rectifier |
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 42 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4127PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 76A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4127PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 76A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 20491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 20491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 20491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4137PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4137PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4137PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4137PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4227PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFB4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 15637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRFB4020PBF Код товару: 55927 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 80 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 80 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/18
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 72 грн |
10+ | 64.7 грн |
IRFB4110PBF Код товару: 42666 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 180 A
Rds(on), Ohm: 4,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності: 167 шт
очікується:
300 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 138 грн |
10+ | 123.2 грн |
100+ | 108.9 грн |
IRFB4227PBF Код товару: 25579 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4600/70
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4600/70
Монтаж: THT
у наявності: 31 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 225 грн |
10+ | 199 грн |
IRFB4410PBF Код товару: 72936 |
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 96 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120
Монтаж: THT
Uds,V: 100 V
Idd,A: 96 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5150/120
Монтаж: THT
у наявності: 109 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 93 грн |
10+ | 87.1 грн |
IRFB4510PBF Код товару: 58620 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 62 A
Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3180/58
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 62 A
Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3180/58
Монтаж: THT
у наявності: 322 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 35 грн |
10+ | 31.5 грн |
100+ | 27.9 грн |
IRFB4710PBF Код товару: 35455 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6160/110
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6160/110
Монтаж: THT
у наявності: 49 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 95 грн |
10+ | 88 грн |
IRFB4019PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 74.62 грн |
10+ | 66.4 грн |
14+ | 57.5 грн |
38+ | 54.08 грн |
IRFB4019PBF |
Виробник: Infineon
Транзистор N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB; HEXFET®
Транзистор N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB; HEXFET®
на замовлення 97 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.39 грн |
10+ | 70.01 грн |
IRFB4019PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFB4019PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
163+ | 71.6 грн |
171+ | 68.3 грн |
192+ | 60.93 грн |
200+ | 56.51 грн |
500+ | 52.23 грн |
1000+ | 46.66 грн |
2000+ | 44.74 грн |
4000+ | 43.99 грн |
IRFB4019PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 130.91 грн |
10+ | 109.33 грн |
100+ | 86.31 грн |
500+ | 71.44 грн |
IRFB4019PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 80.88 грн |
10+ | 74.17 грн |
IRFB4019PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
102+ | 114.8 грн |
129+ | 90.25 грн |
500+ | 76.92 грн |
IRFB4020 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 18A 200V 100W 0.1Ω IRFB4020 TIRFB4020
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 18A 200V 100W 0.1Ω IRFB4020 TIRFB4020
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 67.38 грн |
IRFB4020PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 93.63 грн |
5+ | 78.73 грн |
10+ | 69.83 грн |
14+ | 60.24 грн |
37+ | 56.82 грн |
IRFB4020PBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50; Qg, нКл = 29 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В; Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА; Р, Вт = 100; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = Вивідний; TO-220AB
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 18 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 50; Qg, нКл = 29 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 11 A, 10 В; Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА; Р, Вт = 100; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = Вивідний; TO-220AB
на замовлення 400 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 85.57 грн |
10+ | 79.87 грн |
100+ | 74.16 грн |
IRFB4020PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
119+ | 98.38 грн |
140+ | 83.65 грн |
250+ | 82.11 грн |
IRFB4020PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
120+ | 97.12 грн |
150+ | 77.84 грн |
250+ | 71.13 грн |
IRFB4020PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
87+ | 134.41 грн |
91+ | 129.28 грн |
100+ | 124.9 грн |
250+ | 116.79 грн |
500+ | 105.2 грн |
1000+ | 98.51 грн |
IRFB4020PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 107.42 грн |
10+ | 90.18 грн |
100+ | 72.28 грн |
250+ | 63.69 грн |
IRFB4020PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
174+ | 67.24 грн |
177+ | 65.97 грн |
185+ | 63.06 грн |
200+ | 59.79 грн |
500+ | 55.27 грн |
IRFB4020PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 109.33 грн |
10+ | 91.35 грн |
100+ | 77.68 грн |
250+ | 73.52 грн |
IRFB4110GPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 223.38 грн |
3+ | 186.89 грн |
6+ | 145.13 грн |
16+ | 136.91 грн |
IRFB4110GPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 268.06 грн |
3+ | 232.89 грн |
6+ | 174.16 грн |
16+ | 164.3 грн |
IRFB4110PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 272.78 грн |
3+ | 227.28 грн |
5+ | 173.88 грн |
13+ | 164.3 грн |
IRFB4110PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 310 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 327.33 грн |
3+ | 283.22 грн |
5+ | 208.66 грн |
13+ | 197.16 грн |
IRFB4110PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 252.21 грн |
10+ | 233.28 грн |
25+ | 207.76 грн |
100+ | 162.37 грн |
500+ | 142.15 грн |
1000+ | 121.03 грн |
2000+ | 114.22 грн |
IRFB4110PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 306.16 грн |
10+ | 277.48 грн |
25+ | 239.35 грн |
100+ | 177.43 грн |
500+ | 153.73 грн |
1000+ | 127.81 грн |
2000+ | 119.41 грн |
IRFB4110PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 286.77 грн |
10+ | 262.34 грн |
25+ | 229.26 грн |
100+ | 173.19 грн |
500+ | 150.64 грн |
1000+ | 126.27 грн |
IRFB4110PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
33+ | 357.03 грн |
52+ | 228 грн |
64+ | 184.34 грн |
100+ | 166.53 грн |
200+ | 153.33 грн |
500+ | 131.39 грн |
1000+ | 122.25 грн |
IRFB4110PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 308.83 грн |
42+ | 282.52 грн |
48+ | 246.9 грн |
100+ | 186.51 грн |
500+ | 162.23 грн |
1000+ | 135.98 грн |
IRFB4110PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
43+ | 273.44 грн |
47+ | 252.92 грн |
52+ | 225.26 грн |
100+ | 176.04 грн |
500+ | 154.12 грн |
1000+ | 131.23 грн |
2000+ | 123.84 грн |
IRFB4110PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 122.68 грн |
IRFB4110PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
36+ | 329.71 грн |
39+ | 298.82 грн |
46+ | 257.76 грн |
100+ | 191.08 грн |
500+ | 165.56 грн |
1000+ | 137.65 грн |
2000+ | 128.6 грн |
IRFB4115 |
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 218.01 грн |
IRFB4115PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB4115PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
52+ | 227.14 грн |
58+ | 201.13 грн |
60+ | 196.43 грн |
100+ | 167.35 грн |
250+ | 149.71 грн |
IRFB4115PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 209.5 грн |
10+ | 185.51 грн |
25+ | 181.17 грн |
100+ | 154.35 грн |
250+ | 138.08 грн |
IRFB4115PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
62+ | 188.34 грн |
65+ | 181.16 грн |
100+ | 175.02 грн |
250+ | 163.65 грн |
500+ | 147.4 грн |
1000+ | 138.04 грн |
IRFB4115PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 108.11 грн |
IRFB4115PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
32+ | 373.53 грн |
49+ | 237.7 грн |
61+ | 193.07 грн |
100+ | 174.01 грн |
200+ | 160.26 грн |
500+ | 137.21 грн |
1000+ | 128.07 грн |
2000+ | 124.74 грн |
4000+ | 119.75 грн |
IRFB4127 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 148.41 грн |
IRFB4127PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 146.5 грн |
7+ | 127.33 грн |
18+ | 120.49 грн |
IRFB4127PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 214.09 грн |
3+ | 182.56 грн |
7+ | 152.8 грн |
18+ | 144.58 грн |
IRFB4127PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 97.37 грн |
IRFB4127PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
59+ | 198.18 грн |
IRFB4127PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 198.73 грн |
10+ | 173.3 грн |
25+ | 161.74 грн |
100+ | 143.76 грн |
250+ | 123.89 грн |
500+ | 110.2 грн |
1000+ | 81.51 грн |
2000+ | 80.65 грн |
5000+ | 80.53 грн |
IRFB4127PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
66+ | 176.58 грн |
69+ | 170.76 грн |
100+ | 160.08 грн |
200+ | 153.43 грн |
500+ | 133.4 грн |
1000+ | 125.57 грн |
IRFB4127PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
43+ | 276.54 грн |
51+ | 232.38 грн |
54+ | 219.21 грн |
100+ | 181.5 грн |
250+ | 158.38 грн |
500+ | 143.41 грн |
IRFB4127PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
70+ | 167.11 грн |
76+ | 153.6 грн |
80+ | 147.16 грн |
100+ | 134.42 грн |
250+ | 118.57 грн |
500+ | 107.91 грн |
1000+ | 90.48 грн |
IRFB4127PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 256.79 грн |
10+ | 215.78 грн |
25+ | 203.55 грн |
100+ | 168.54 грн |
250+ | 147.07 грн |
500+ | 133.17 грн |
IRFB4127PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
63+ | 187.16 грн |
65+ | 180.04 грн |
100+ | 173.93 грн |
250+ | 162.63 грн |
500+ | 146.49 грн |
1000+ | 137.19 грн |
IRFB4127PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 256.79 грн |
10+ | 215.78 грн |
25+ | 203.55 грн |
100+ | 168.54 грн |
250+ | 147.07 грн |
500+ | 133.17 грн |
1000+ | 112.82 грн |
2000+ | 106.66 грн |
IRFB4137PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 294.68 грн |
43+ | 273.44 грн |
48+ | 244.3 грн |
100+ | 208 грн |
500+ | 175.59 грн |
IRFB4137PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.31 грн |
IRFB4137PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 271.79 грн |
10+ | 252.21 грн |
25+ | 225.33 грн |
100+ | 191.84 грн |
500+ | 161.96 грн |
IRFB4137PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 400.69 грн |
35+ | 339.57 грн |
50+ | 259.04 грн |
100+ | 248.86 грн |
200+ | 216.56 грн |
500+ | 182.95 грн |
1000+ | 178.79 грн |
IRFB4227PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 142.39 грн |
8+ | 108.85 грн |
20+ | 103.37 грн |
IRFB4227PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
83+ | 141.73 грн |
85+ | 137.61 грн |
91+ | 128.22 грн |
100+ | 116.76 грн |
250+ | 105.13 грн |
500+ | 92.21 грн |
1000+ | 78.77 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]