Результат пошуку "irfrc20" : 48
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 239
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 242
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 333
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFRC20 | IR | Транзистор полевой БМ D-Pak Udss=600V; Id=2A; Pdmax=42W; Rds=4,4 Ohm |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20 | Siliconix |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 2A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFRC20 smd TIRFRC20 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V N-CH HEXFET D-PAK |
на замовлення 6709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20PBF-BE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 8877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20TRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20TRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20TRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20TRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp |
на замовлення 10559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20TRLPBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20TRLPBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V N-CH |
на замовлення 5048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20TRLPBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20TRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20TRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20TRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V N-CH HEXFET D-PAK |
на замовлення 4305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20TRPBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V N-CH |
на замовлення 14972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFRC20?94-4787? | IR | TO-252 |
на замовлення 20550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SiHFRC20-E3 | Vishay Siliconix | IRFRC20PBF DPAK=TO-252 |
на замовлення 48 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFRC20PBF Код товару: 110642 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRFRC20TRPBF Код товару: 40234 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRFRC20 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFRC20PBF |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20TRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20TRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20TRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20TRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20TRPBF-BE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20TRPBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20TRPBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20TRRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20TRRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20TRRPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20TRRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V N-CH HEXFET D-PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20TRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20TRPBF-BE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFRC20TRRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
IRFRC20 |
Виробник: IR
Транзистор полевой БМ D-Pak Udss=600V; Id=2A; Pdmax=42W; Rds=4,4 Ohm
Транзистор полевой БМ D-Pak Udss=600V; Id=2A; Pdmax=42W; Rds=4,4 Ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 127.83 грн |
IRFRC20 |
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 2A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFRC20 smd TIRFRC20
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 2A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFRC20 smd TIRFRC20
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 23.09 грн |
IRFRC20PBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 55.28 грн |
11+ | 33.44 грн |
25+ | 29.76 грн |
30+ | 27.05 грн |
75+ | 26.71 грн |
83+ | 25.67 грн |
300+ | 25.25 грн |
IRFRC20PBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.34 грн |
7+ | 41.67 грн |
25+ | 35.71 грн |
30+ | 32.46 грн |
75+ | 32.05 грн |
83+ | 30.8 грн |
300+ | 30.3 грн |
IRFRC20PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 51.73 грн |
13+ | 45.51 грн |
100+ | 34.39 грн |
IRFRC20PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET D-PAK
MOSFET 600V N-CH HEXFET D-PAK
на замовлення 6709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 77.3 грн |
10+ | 62.57 грн |
100+ | 42.35 грн |
500+ | 35.89 грн |
1000+ | 29.23 грн |
3000+ | 27.5 грн |
6000+ | 26.17 грн |
IRFRC20PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
239+ | 49.01 грн |
316+ | 37.03 грн |
IRFRC20PBF-BE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 8877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 125.08 грн |
10+ | 102.62 грн |
100+ | 71.26 грн |
250+ | 65.66 грн |
500+ | 59.4 грн |
1000+ | 57.94 грн |
3000+ | 49.21 грн |
IRFRC20TRLPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
242+ | 48.24 грн |
247+ | 47.37 грн |
500+ | 45.58 грн |
1000+ | 42.12 грн |
2000+ | 40.18 грн |
3000+ | 40.02 грн |
IRFRC20TRLPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 41.72 грн |
18+ | 32.62 грн |
25+ | 31.23 грн |
100+ | 28.71 грн |
250+ | 27.37 грн |
500+ | 27.18 грн |
1000+ | 26.98 грн |
IRFRC20TRLPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
333+ | 35.12 грн |
335+ | 34.88 грн |
338+ | 34.63 грн |
340+ | 33.16 грн |
500+ | 30.49 грн |
1000+ | 29.06 грн |
IRFRC20TRLPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp
MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp
на замовлення 10559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 103.33 грн |
10+ | 57.67 грн |
100+ | 45.02 грн |
3000+ | 44.95 грн |
24000+ | 43.15 грн |
IRFRC20TRLPBF-BE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 46.5 грн |
IRFRC20TRLPBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CH
MOSFET 600V N-CH
на замовлення 5048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113.43 грн |
10+ | 92.66 грн |
100+ | 63.2 грн |
500+ | 53.27 грн |
1000+ | 48.28 грн |
6000+ | 46.48 грн |
9000+ | 44.95 грн |
IRFRC20TRLPBF-BE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 50.08 грн |
IRFRC20TRPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 67.23 грн |
10+ | 52.72 грн |
25+ | 44.12 грн |
34+ | 23.86 грн |
93+ | 22.54 грн |
IRFRC20TRPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.68 грн |
10+ | 65.7 грн |
25+ | 52.94 грн |
34+ | 28.64 грн |
93+ | 27.05 грн |
IRFRC20TRPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET D-PAK
MOSFET 600V N-CH HEXFET D-PAK
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 83.13 грн |
10+ | 66.78 грн |
100+ | 45.22 грн |
500+ | 42.35 грн |
IRFRC20TRPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 40.99 грн |
IRFRC20TRPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 20.28 грн |
IRFRC20TRPBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CH
MOSFET 600V N-CH
на замовлення 14972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 88.57 грн |
10+ | 70.84 грн |
100+ | 47.95 грн |
500+ | 42.35 грн |
SiHFRC20-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
IRFRC20PBF DPAK=TO-252
IRFRC20PBF DPAK=TO-252
на замовлення 48 шт:
термін постачання 5 дні (днів)IRFRC20TRLPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFRC20TRPBF-BE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFRC20TRRPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFRC20TRLPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.3A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRFRC20TRPBF-BE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRFRC20TRRPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 8A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній