Результат пошуку "ixfh" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IXFH100N25P IXFH100N25P IXYS IXFH100N25P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+802.17 грн
IXFH100N25P IXFH100N25P IXYS IXFH100N25P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+962.61 грн
2+ 673.85 грн
4+ 613.2 грн
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+332.66 грн
3+ 277.81 грн
4+ 220.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+399.19 грн
3+ 346.19 грн
4+ 264.42 грн
10+ 250.64 грн
IXFH10N80P IXFH10N80P IXYS media-3322078.pdf MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+407.29 грн
10+ 347.74 грн
30+ 293.3 грн
120+ 262.15 грн
270+ 247.23 грн
510+ 216.08 грн
1020+ 186.23 грн
IXFH110N10P IXFH110N10P IXYS IXFH110N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.21 грн
3+ 291.33 грн
8+ 275.1 грн
IXFH110N10P IXFH110N10P IXYS IXFH110N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+525.85 грн
3+ 363.04 грн
8+ 330.12 грн
IXFH110N25T IXFH110N25T IXYS IXFH110N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.07 грн
2+ 403.53 грн
6+ 381.9 грн
10+ 377.17 грн
30+ 368.38 грн
IXFH110N25T IXFH110N25T IXYS IXFH110N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+580.88 грн
2+ 502.86 грн
6+ 458.28 грн
10+ 452.6 грн
30+ 442.06 грн
IXFH120N15P IXFH120N15P IXYS IXF_120N15P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+446.95 грн
3+ 373.11 грн
6+ 361.62 грн
10+ 348.1 грн
IXFH120N15P IXFH120N15P IXYS IXF_120N15P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+536.34 грн
3+ 464.96 грн
6+ 433.95 грн
10+ 417.73 грн
IXFH120N15P IXFH120N15P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+395.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH120N15P IXFH120N15P IXYS media-3320782.pdf MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+677.55 грн
10+ 572.36 грн
30+ 451.63 грн
120+ 414.64 грн
270+ 390.63 грн
510+ 365.98 грн
1020+ 337.42 грн
IXFH120N15P IXFH120N15P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+366.93 грн
Мінімальне замовлення: 60
IXFH120N15P IXFH120N15P Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_120n15p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH120N20P IXFH120N20P IXYS IXFH(K)120N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+802.17 грн
2+ 535.34 грн
3+ 534.66 грн
5+ 505.6 грн
IXFH120N20P IXFH120N20P IXYS IXFH(K)120N20P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+962.61 грн
2+ 667.11 грн
3+ 641.59 грн
5+ 606.72 грн
IXFH120N25T IXFH120N25T IXYS IXFH120N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 108ns
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+746.85 грн
2+ 638.08 грн
3+ 621.86 грн
4+ 602.93 грн
IXFH120N25T IXFH120N25T IXYS IXFH120N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 108ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+896.22 грн
2+ 795.14 грн
3+ 746.23 грн
4+ 723.52 грн
10+ 695.94 грн
IXFH120N25X3 IXFH120N25X3 IXYS IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+788.34 грн
2+ 598.87 грн
4+ 566.43 грн
10+ 565.75 грн
IXFH120N25X3 IXFH120N25X3 IXYS IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+946.01 грн
2+ 746.29 грн
4+ 679.72 грн
10+ 678.9 грн
30+ 652.95 грн
IXFH120N25X3 IXFH120N25X3 IXYS media-3320032.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+929.65 грн
10+ 807.42 грн
30+ 645 грн
60+ 644.35 грн
120+ 606.72 грн
270+ 558.7 грн
510+ 527.55 грн
IXFH120N30X3 IXFH120N30X3 IXYS IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 145ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1092.62 грн
2+ 732.71 грн
3+ 692.15 грн
IXFH120N30X3 IXFH120N30X3 IXYS IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1311.14 грн
2+ 913.07 грн
3+ 830.58 грн
IXFH12N120P IXFH12N120P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1154.44 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH12N120P IXFH12N120P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+1070.28 грн
Мінімальне замовлення: 270
IXFH12N120P IXFH12N120P Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh12n120p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH12N90P IXFH12N90P IXYS media-3321172.pdf MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+687.39 грн
10+ 581.31 грн
30+ 458.77 грн
120+ 420.48 грн
270+ 404.26 грн
IXFH130N15X3 IXFH130N15X3 IXYS IXF_130N15X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 80ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+601.27 грн
IXFH130N15X3 IXFH130N15X3 IXYS IXF_130N15X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 80ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+721.52 грн
2+ 552.56 грн
5+ 502.89 грн
30+ 496.4 грн
IXFH140N10P IXFH140N10P IXYS IXFH(T)140N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+561.96 грн
3+ 373.11 грн
6+ 352.84 грн
IXFH140N10P IXFH140N10P IXYS IXFH(T)140N10P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+674.35 грн
3+ 464.96 грн
6+ 423.4 грн
IXFH140N10P IXFH140N10P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH140N10P IXFH140N10P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.79 грн
10+ 277.1 грн
25+ 260.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH140N10P IXFH140N10P IXYS media-3322022.pdf MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+536.74 грн
10+ 491.76 грн
30+ 367.92 грн
120+ 345.21 грн
270+ 337.42 грн
IXFH140N20X3 IXFH140N20X3 IXYS IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+788.34 грн
2+ 579.27 грн
4+ 547.5 грн
30+ 540.07 грн
IXFH140N20X3 IXFH140N20X3 IXYS IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+946.01 грн
2+ 721.86 грн
4+ 657 грн
30+ 648.08 грн
IXFH140N20X3 IXFH140N20X3 IXYS media-3323286.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+929.65 грн
10+ 836.52 грн
30+ 645 грн
60+ 643.7 грн
120+ 619.04 грн
270+ 561.29 грн
510+ 534.69 грн
IXFH14N60P IXFH14N60P IXYS IXFA(H,P)14N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH14N80P IXFH14N80P IXYS IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.86 грн
3+ 298.76 грн
8+ 282.54 грн
IXFH14N80P IXFH14N80P IXYS IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+539.83 грн
3+ 372.3 грн
8+ 339.05 грн
IXFH14N80P IXFH14N80P IXYS media-3319887.pdf MOSFET DIODE Id14 BVdass800
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+542.04 грн
10+ 458.18 грн
30+ 361.43 грн
120+ 331.58 грн
270+ 327.69 грн
IXFH150N15P IXFH150N15P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+615.58 грн
10+ 577.35 грн
IXFH150N20T IXFH150N20T IXYS IXFH(T)150N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+890.25 грн
3+ 782.05 грн
IXFH150N20T IXFH150N20T IXYS IXFH(T)150N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1068.3 грн
3+ 974.56 грн
30+ 924.67 грн
IXFH150N25X3 IXFH150N25X3 IXYS IXFH150N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+995.8 грн
2+ 732.71 грн
3+ 692.15 грн
IXFH150N25X3 IXFH150N25X3 IXYS IXFH150N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1194.96 грн
2+ 913.07 грн
3+ 830.58 грн
30+ 816.79 грн
IXFH15N100Q3 IXFH15N100Q3 IXYS IXF_15N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1120.28 грн
2+ 750.96 грн
3+ 709.73 грн
IXFH15N100Q3 IXFH15N100Q3 IXYS IXF_15N100Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1344.33 грн
2+ 935.81 грн
3+ 851.67 грн
IXFH15N80Q IXFH15N80Q Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1058.34 грн
25+ 964.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
IXFH15N80Q IXFH15N80Q Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1030.43 грн
10+ 982.75 грн
25+ 895.22 грн
IXFH160N15T IXFH160N15T IXYS media-3322618.pdf MOSFET 160 Amps 150V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+812.31 грн
10+ 687.28 грн
30+ 459.42 грн
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2 IXYS IXFH160N15T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 253nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.09 грн
IXFH160N15T2 IXYS/Littelfuse littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh160n15t2_datasheet.pdf.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 160 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25; Qg, нКл = 253 @ 10 В; Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В; Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА; Р, Вт = 880 Вт; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = вивідний; TO-247-3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+161.24 грн
10+ 150.49 грн
100+ 139.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2 IXYS IXFH160N15T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 253nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+609.71 грн
3+ 422 грн
7+ 384.47 грн
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2 IXYS media-3320984.pdf MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+609.42 грн
10+ 554.45 грн
120+ 377.01 грн
270+ 338.72 грн
510+ 338.07 грн
IXFH170N10P IXFH170N10P Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_170n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH170N10P IXFH170N10P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+577.34 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH170N10P IXFH170N10P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+535.25 грн
Мінімальне замовлення: 270
IXFH170N25X3 IXFH170N25X3 IXYS IXFH(K,T)170N25X3_HV.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+960.13 грн
3+ 842.89 грн
IXFH100N25P IXFH100N25P.pdf
IXFH100N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+802.17 грн
IXFH100N25P IXFH100N25P.pdf
IXFH100N25P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+962.61 грн
2+ 673.85 грн
4+ 613.2 грн
IXFH10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+332.66 грн
3+ 277.81 грн
4+ 220.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH10N80P IXFA(H,P,Q)10N80P.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+399.19 грн
3+ 346.19 грн
4+ 264.42 грн
10+ 250.64 грн
IXFH10N80P media-3322078.pdf
IXFH10N80P
Виробник: IXYS
MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+407.29 грн
10+ 347.74 грн
30+ 293.3 грн
120+ 262.15 грн
270+ 247.23 грн
510+ 216.08 грн
1020+ 186.23 грн
IXFH110N10P IXFH110N10P.pdf
IXFH110N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+438.21 грн
3+ 291.33 грн
8+ 275.1 грн
IXFH110N10P IXFH110N10P.pdf
IXFH110N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+525.85 грн
3+ 363.04 грн
8+ 330.12 грн
IXFH110N25T IXFH110N25T.pdf
IXFH110N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+484.07 грн
2+ 403.53 грн
6+ 381.9 грн
10+ 377.17 грн
30+ 368.38 грн
IXFH110N25T IXFH110N25T.pdf
IXFH110N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+580.88 грн
2+ 502.86 грн
6+ 458.28 грн
10+ 452.6 грн
30+ 442.06 грн
IXFH120N15P IXF_120N15P.pdf
IXFH120N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+446.95 грн
3+ 373.11 грн
6+ 361.62 грн
10+ 348.1 грн
IXFH120N15P IXF_120N15P.pdf
IXFH120N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+536.34 грн
3+ 464.96 грн
6+ 433.95 грн
10+ 417.73 грн
IXFH120N15P media.pdf
IXFH120N15P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+395.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH120N15P media-3320782.pdf
IXFH120N15P
Виробник: IXYS
MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+677.55 грн
10+ 572.36 грн
30+ 451.63 грн
120+ 414.64 грн
270+ 390.63 грн
510+ 365.98 грн
1020+ 337.42 грн
IXFH120N15P media.pdf
IXFH120N15P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+366.93 грн
Мінімальне замовлення: 60
IXFH120N15P te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_120n15p_datasheet.pdf.pdf
IXFH120N15P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH120N20P IXFH(K)120N20P.pdf
IXFH120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+802.17 грн
2+ 535.34 грн
3+ 534.66 грн
5+ 505.6 грн
IXFH120N20P IXFH(K)120N20P.pdf
IXFH120N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+962.61 грн
2+ 667.11 грн
3+ 641.59 грн
5+ 606.72 грн
IXFH120N25T IXFH120N25T.pdf
IXFH120N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 108ns
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+746.85 грн
2+ 638.08 грн
3+ 621.86 грн
4+ 602.93 грн
IXFH120N25T IXFH120N25T.pdf
IXFH120N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 108ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+896.22 грн
2+ 795.14 грн
3+ 746.23 грн
4+ 723.52 грн
10+ 695.94 грн
IXFH120N25X3 IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf
IXFH120N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+788.34 грн
2+ 598.87 грн
4+ 566.43 грн
10+ 565.75 грн
IXFH120N25X3 IXFH(T,Q)120N25X3_HV.pdf
IXFH120N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+946.01 грн
2+ 746.29 грн
4+ 679.72 грн
10+ 678.9 грн
30+ 652.95 грн
IXFH120N25X3 media-3320032.pdf
IXFH120N25X3
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+929.65 грн
10+ 807.42 грн
30+ 645 грн
60+ 644.35 грн
120+ 606.72 грн
270+ 558.7 грн
510+ 527.55 грн
IXFH120N30X3 IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFH120N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 145ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1092.62 грн
2+ 732.71 грн
3+ 692.15 грн
IXFH120N30X3 IXF_120N30X3_HV.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFH120N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1311.14 грн
2+ 913.07 грн
3+ 830.58 грн
IXFH12N120P media.pdf
IXFH12N120P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+1154.44 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH12N120P media.pdf
IXFH12N120P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
270+1070.28 грн
Мінімальне замовлення: 270
IXFH12N120P te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixfh12n120p_datasheet.pdf.pdf
IXFH12N120P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH12N90P media-3321172.pdf
IXFH12N90P
Виробник: IXYS
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+687.39 грн
10+ 581.31 грн
30+ 458.77 грн
120+ 420.48 грн
270+ 404.26 грн
IXFH130N15X3 IXF_130N15X3.pdf
IXFH130N15X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 80ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+601.27 грн
IXFH130N15X3 IXF_130N15X3.pdf
IXFH130N15X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 80ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+721.52 грн
2+ 552.56 грн
5+ 502.89 грн
30+ 496.4 грн
IXFH140N10P IXFH(T)140N10P.pdf
IXFH140N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+561.96 грн
3+ 373.11 грн
6+ 352.84 грн
IXFH140N10P IXFH(T)140N10P.pdf
IXFH140N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+674.35 грн
3+ 464.96 грн
6+ 423.4 грн
IXFH140N10P media.pdf
IXFH140N10P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH140N10P media.pdf
IXFH140N10P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+284.79 грн
10+ 277.1 грн
25+ 260.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH140N10P media-3322022.pdf
IXFH140N10P
Виробник: IXYS
MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+536.74 грн
10+ 491.76 грн
30+ 367.92 грн
120+ 345.21 грн
270+ 337.42 грн
IXFH140N20X3 IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFH140N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+788.34 грн
2+ 579.27 грн
4+ 547.5 грн
30+ 540.07 грн
IXFH140N20X3 IXF_140N20X3_HV.pdf 200VProductBrief.pdf
IXFH140N20X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+946.01 грн
2+ 721.86 грн
4+ 657 грн
30+ 648.08 грн
IXFH140N20X3 media-3323286.pdf
IXFH140N20X3
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+929.65 грн
10+ 836.52 грн
30+ 645 грн
60+ 643.7 грн
120+ 619.04 грн
270+ 561.29 грн
510+ 534.69 грн
IXFH14N60P IXFA(H,P)14N60P.pdf
IXFH14N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH14N80P IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf
IXFH14N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+449.86 грн
3+ 298.76 грн
8+ 282.54 грн
IXFH14N80P IXFH(Q,T)14N80P_S.pdf
IXFH14N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+539.83 грн
3+ 372.3 грн
8+ 339.05 грн
IXFH14N80P media-3319887.pdf
IXFH14N80P
Виробник: IXYS
MOSFET DIODE Id14 BVdass800
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+542.04 грн
10+ 458.18 грн
30+ 361.43 грн
120+ 331.58 грн
270+ 327.69 грн
IXFH150N15P media.pdf
IXFH150N15P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+615.58 грн
10+ 577.35 грн
IXFH150N20T IXFH(T)150N20T.pdf
IXFH150N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+890.25 грн
3+ 782.05 грн
IXFH150N20T IXFH(T)150N20T.pdf
IXFH150N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1068.3 грн
3+ 974.56 грн
30+ 924.67 грн
IXFH150N25X3 IXFH150N25X3.pdf
IXFH150N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+995.8 грн
2+ 732.71 грн
3+ 692.15 грн
IXFH150N25X3 IXFH150N25X3.pdf
IXFH150N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1194.96 грн
2+ 913.07 грн
3+ 830.58 грн
30+ 816.79 грн
IXFH15N100Q3 IXF_15N100Q3.pdf
IXFH15N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1120.28 грн
2+ 750.96 грн
3+ 709.73 грн
IXFH15N100Q3 IXF_15N100Q3.pdf
IXFH15N100Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1344.33 грн
2+ 935.81 грн
3+ 851.67 грн
IXFH15N80Q media.pdf
IXFH15N80Q
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+1058.34 грн
25+ 964.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
IXFH15N80Q media.pdf
IXFH15N80Q
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1030.43 грн
10+ 982.75 грн
25+ 895.22 грн
IXFH160N15T media-3322618.pdf
IXFH160N15T
Виробник: IXYS
MOSFET 160 Amps 150V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+812.31 грн
10+ 687.28 грн
30+ 459.42 грн
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2.pdf
IXFH160N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 253nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+508.09 грн
IXFH160N15T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfh160n15t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS/Littelfuse
N-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 160 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25; Qg, нКл = 253 @ 10 В; Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В; Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА; Р, Вт = 880 Вт; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = вивідний; TO-247-3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+161.24 грн
10+ 150.49 грн
100+ 139.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
IXFH160N15T2 IXFH160N15T2.pdf
IXFH160N15T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 253nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+609.71 грн
3+ 422 грн
7+ 384.47 грн
IXFH160N15T2 media-3320984.pdf
IXFH160N15T2
Виробник: IXYS
MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+609.42 грн
10+ 554.45 грн
120+ 377.01 грн
270+ 338.72 грн
510+ 338.07 грн
IXFH170N10P te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_170n10p_datasheet.pdf.pdf
IXFH170N10P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH170N10P media.pdf
IXFH170N10P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+577.34 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH170N10P media.pdf
IXFH170N10P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
270+535.25 грн
Мінімальне замовлення: 270
IXFH170N25X3 IXFH(K,T)170N25X3_HV.pdf
IXFH170N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+960.13 грн
3+ 842.89 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]