Результат пошуку "ll4007" : 12
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 375
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||
---|---|---|---|---|---|---|---|
LL4007 | LGE |
1A; 1000V; packaging: reel; LL4007 MELF diode rectifying DP LL4007 кількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
LL4007; (1A 1000V); SMD диод YANGJIE корпус: MELF (круглый) |
на замовлення 19121 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||
LL4007G | KEXIN | 09+ |
на замовлення 100018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
SM4007/LL4007 | TOSHIBA |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||
LL4007 Код товару: 186503 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні |
товар відсутній
|
|||||
LL4007G (диод) Код товару: 48886 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||||
LL4007G L0 | Taiwan Semiconductor | Diode Small Signal Switching Si 1KV 1A 2-Pin MELF T/R |
товар відсутній |
||||
LL4007G L0 | Taiwan Semiconductor | Diode Small Signal Switching Si 1KV 1A 2-Pin MELF T/R |
товар відсутній |
||||
LL4007G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1A MELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||
LL4007G L0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A MELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
||||
LL4007G L0G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 1KV 1A 2-Pin MELF T/R |
товар відсутній |
||||
LL4007G L2 | Taiwan Semiconductor | Diode Small Signal Switching 1KV 1A 2-Pin MELF T/R |
товар відсутній |
LL4007 |
Виробник: LGE
1A; 1000V; packaging: reel; LL4007 MELF diode rectifying DP LL4007
кількість в упаковці: 5000 шт
1A; 1000V; packaging: reel; LL4007 MELF diode rectifying DP LL4007
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 1.52 грн |
LL4007; (1A 1000V); SMD диод YANGJIE корпус: MELF (круглый) |
на замовлення 19121 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
375+ | 1.77 грн |
LL4007 Код товару: 186503 |
товар відсутній
LL4007G L0 |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Small Signal Switching Si 1KV 1A 2-Pin MELF T/R
Diode Small Signal Switching Si 1KV 1A 2-Pin MELF T/R
товар відсутній
LL4007G L0 |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Small Signal Switching Si 1KV 1A 2-Pin MELF T/R
Diode Small Signal Switching Si 1KV 1A 2-Pin MELF T/R
товар відсутній
LL4007G L0 |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
LL4007G L0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
LL4007G L0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 1KV 1A 2-Pin MELF T/R
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 1KV 1A 2-Pin MELF T/R
товар відсутній
LL4007G L2 |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Small Signal Switching 1KV 1A 2-Pin MELF T/R
Diode Small Signal Switching 1KV 1A 2-Pin MELF T/R
товар відсутній