Результат пошуку "md1213" : 19
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 74
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 16
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MD1213K6-G | Microchip Technology |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -20°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 13V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 12-QFN (4x4) Rise / Fall Time (Typ): 6ns, 6ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.3V, 1.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 4901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MD1213K6-G | Microchip Technology | Gate Drivers HI SPD DUAL MOSFET DRIVER |
на замовлення 3952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MD1213K6-G | Microchip Technology | Driver 2A 2-OUT High and Low Side Inv 12-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 4495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MD1213K6-G | Microchip Technology | Driver 2A 2-OUT High and Low Side Inv 12-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 4495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MD1213DB1 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
MD1213K6-G |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
PUMD12,115 | Nexperia | Digital Transistors PUMD12/SOT363/SC-88 |
на замовлення 29982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PUMD12,135 | Nexperia | Digital Transistors PUMD12/SOT363/SC-88 |
на замовлення 7690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PUMD12,135 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 8150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MD1213K6-G Код товару: 144488 |
Мікросхеми > Драйвери транзисторів |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
MD1213K6-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET gate driver; QFN12; 2A; Ch: 2; 4.5÷13V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver Case: QFN12 Output current: 2A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Impulse rise time: 6ns Pulse fall time: 6ns Operating voltage: 4.5...13V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MD1213K6-G | Microchip Technology | Driver 2A 2-OUT High and Low Side Inv 12-Pin QFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MD1213K6-G | Microchip Technology | Driver 2A 2-OUT High and Low Side Inv 12-Pin QFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MD1213K6-G | Microchip Technology |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -20°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 13V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 12-QFN (4x4) Rise / Fall Time (Typ): 6ns, 6ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.3V, 1.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MD1213K6-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET gate driver; QFN12; 2A; Ch: 2; 4.5÷13V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver Case: QFN12 Output current: 2A Number of channels: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Impulse rise time: 6ns Pulse fall time: 6ns Operating voltage: 4.5...13V кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MCS0402MD1213BE000 | Vishay | Thin Film Resistors - SMD MCS 0402-25 0.1% AT E0 121K |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MCT0603MD1213BP500 | Vishay / Beyschlag | Thin Film Resistors - SMD MCT 0603-25 0.1% AT P5 121K |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PUMD12,135 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
товар відсутній |
MD1213K6-G |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -20°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 13V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 12-QFN (4x4)
Rise / Fall Time (Typ): 6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.3V, 1.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -20°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 13V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 12-QFN (4x4)
Rise / Fall Time (Typ): 6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.3V, 1.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 142.89 грн |
25+ | 115.04 грн |
100+ | 109.83 грн |
MD1213K6-G |
Виробник: Microchip Technology
Gate Drivers HI SPD DUAL MOSFET DRIVER
Gate Drivers HI SPD DUAL MOSFET DRIVER
на замовлення 3952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 155.64 грн |
10+ | 152.67 грн |
25+ | 111.07 грн |
100+ | 110.41 грн |
MD1213K6-G |
Виробник: Microchip Technology
Driver 2A 2-OUT High and Low Side Inv 12-Pin QFN EP T/R
Driver 2A 2-OUT High and Low Side Inv 12-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 147.39 грн |
10+ | 146.23 грн |
25+ | 143.28 грн |
100+ | 135.31 грн |
250+ | 122.65 грн |
500+ | 115.21 грн |
1000+ | 112.68 грн |
3000+ | 110.08 грн |
MD1213K6-G |
Виробник: Microchip Technology
Driver 2A 2-OUT High and Low Side Inv 12-Pin QFN EP T/R
Driver 2A 2-OUT High and Low Side Inv 12-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
74+ | 157.48 грн |
76+ | 154.3 грн |
100+ | 145.72 грн |
250+ | 132.09 грн |
500+ | 124.07 грн |
1000+ | 121.35 грн |
3000+ | 118.55 грн |
PUMD12,115 |
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PUMD12/SOT363/SC-88
Digital Transistors PUMD12/SOT363/SC-88
на замовлення 29982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 17.86 грн |
29+ | 10.73 грн |
100+ | 4.4 грн |
1000+ | 2.5 грн |
3000+ | 2.17 грн |
9000+ | 1.64 грн |
45000+ | 1.58 грн |
PUMD12,135 |
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PUMD12/SOT363/SC-88
Digital Transistors PUMD12/SOT363/SC-88
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 17.86 грн |
26+ | 12.02 грн |
100+ | 4.8 грн |
1000+ | 2.5 грн |
2500+ | 2.17 грн |
10000+ | 1.64 грн |
20000+ | 1.51 грн |
PUMD12,135 |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 8150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 18.48 грн |
23+ | 12.25 грн |
100+ | 5.98 грн |
500+ | 4.68 грн |
1000+ | 3.25 грн |
2000+ | 2.82 грн |
5000+ | 2.57 грн |
MD1213K6-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; QFN12; 2A; Ch: 2; 4.5÷13V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: QFN12
Output current: 2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Impulse rise time: 6ns
Pulse fall time: 6ns
Operating voltage: 4.5...13V
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; QFN12; 2A; Ch: 2; 4.5÷13V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: QFN12
Output current: 2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Impulse rise time: 6ns
Pulse fall time: 6ns
Operating voltage: 4.5...13V
товар відсутній
MD1213K6-G |
Виробник: Microchip Technology
Driver 2A 2-OUT High and Low Side Inv 12-Pin QFN EP T/R
Driver 2A 2-OUT High and Low Side Inv 12-Pin QFN EP T/R
товар відсутній
MD1213K6-G |
Виробник: Microchip Technology
Driver 2A 2-OUT High and Low Side Inv 12-Pin QFN EP T/R
Driver 2A 2-OUT High and Low Side Inv 12-Pin QFN EP T/R
товар відсутній
MD1213K6-G |
Виробник: Microchip Technology
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -20°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 13V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 12-QFN (4x4)
Rise / Fall Time (Typ): 6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.3V, 1.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -20°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 13V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 12-QFN (4x4)
Rise / Fall Time (Typ): 6ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.3V, 1.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
MD1213K6-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; QFN12; 2A; Ch: 2; 4.5÷13V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: QFN12
Output current: 2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Impulse rise time: 6ns
Pulse fall time: 6ns
Operating voltage: 4.5...13V
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; QFN12; 2A; Ch: 2; 4.5÷13V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: QFN12
Output current: 2A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Impulse rise time: 6ns
Pulse fall time: 6ns
Operating voltage: 4.5...13V
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
MCS0402MD1213BE000 |
Виробник: Vishay
Thin Film Resistors - SMD MCS 0402-25 0.1% AT E0 121K
Thin Film Resistors - SMD MCS 0402-25 0.1% AT E0 121K
товар відсутній
MCT0603MD1213BP500 |
Виробник: Vishay / Beyschlag
Thin Film Resistors - SMD MCT 0603-25 0.1% AT P5 121K
Thin Film Resistors - SMD MCT 0603-25 0.1% AT P5 121K
товар відсутній
PUMD12,135 |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 230MHz, 180MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
товар відсутній