Результат пошуку "mn300" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1000uF 80V KPO 25x30mm (аудіо-Snap-in) (KPO-080V102MN300-Koshin) (електролітичний конденсатор) Код товару: 34004 |
Koshin |
 Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідніЄмність: 1000 µF Номін.напруга: 80 V Серія: KPO Тип: аудіо, з жорсткими виводами, 85С Темп.діап.: -40...+85°C Габарити: 25x30mm |
у наявності: 3 шт
|
|
|||||||||||||||
| MN3001 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| MN3002 |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| MN3002 | DIP |
на замовлення 112 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MN3004 | 03+ DIP14 |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MN3004 |
на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| MN3005 | PANASONIC | DIP4 |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MN3005 | MN | 00+ DIP8 |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MN3005 | PAN |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MN3005 | PANASONI | DIP8 |
на замовлення 175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MN3006 | PANASONIC |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MN3007 | PANASONIC |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MN3007 | PANASONI | DIP8 |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MN3008 | PANASONIC |
на замовлення 3300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MN3008 | MN | 03+ DIP8 |
на замовлення 56 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MN3008 | PANASONI | 09+ SOP8 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MN3008 | PANASONI | DIP8 |
на замовлення 710 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MN3009 | PANASONI | DIP8 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| MN3009 | PANASONIC |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
ASMN300A058L13 | Siretta | RF Cable Assemblies N-TYPE(F) TO SMA(M) 3M LOW LOSS (SLL200) CABLE ASSEMBLY |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN3006SCA6-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN3519-6 T&R 3K |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
DMN3007LSSQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V |
на замовлення 2309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3008SFG-13 | Diodes Incorporated |
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 77-86 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3008SFG-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A |
на замовлення 2624 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 2919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3009LFV-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V |
на замовлення 4662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3009LFVW-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 2076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3009SFG-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson |
на замовлення 4072 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3009SFGQ-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3009SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 3.4W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3009SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 3.4W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2316 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3009SK3-13 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V |
на замовлення 3517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3009SSS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 5054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NCP3335AMN300R2G | onsemi |
LDO Voltage Regulators ANA 500mA ANY CAP LO IQ LDO |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 140-149 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 1MN3-0001 | AGILENT | QFP |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| NCP700MN300R2G |
|
на замовлення 1218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NCV8570BMN300R2G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
MN3003 Код товару: 88414 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми 8542 39 90 00 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
MN3005 Код товару: 44362 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
MN3006 Код товару: 91723 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми 8542 39 90 00 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
MN3007 Код товару: 24053 |
Panasonic |
Мікросхеми > ЦАП, АЦП, цифрові перетворювачі Корпус: DIP-8 Опис: BBD 1024-STAGE LOW NOISE Роб.темп.,°С: -20…60°C |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
MN3008 Код товару: 116519 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
100uF 450V K3J 25x30mm (snap-in, 105) (K3J-450V101MN300-Koshin) (электролитический конденсатор) Код товару: 33997 |
Koshin |
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні Ємність: 100 µF Номін.напруга: 450 V Серія: K3J Тип: с жесткими выводами, 105С Темп.діап.: -40...+105°C Габарити: 25x30mm |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
120uF 400V K3J 25x30mm (snap-in, 105) (K3J-400V121MN300-Koshin) (електролітичний конденсатор) Код товару: 33999 |
Koshin |
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні Ємність: 120 µF Номін.напруга: 400 V Серія: K3J Тип: з жорсткими виводами, 105С Темп.діап.: -40...+105°C Габарити: 25x30mm |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
180uF 400V K3J 25x30mm (snap-in, 105) (K3J-400V181MN300-Koshin) (електролітичний конденсатор) Код товару: 34000 |
Koshin |
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні Ємність: 180 µF Номін.напруга: 400 V Серія: K3J Тип: з жорсткими виводами, 105С Темп.діап.: -40...+105°C Габарити: 25x30mm |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
|
KAMN3005 (AC30W85-265/5 ) Код товару: 29014 |
Chinfa |
Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі Потужність, W: 30 W Напр. вх., V: 85...256 VAC;120...370 VDC Напр. вих.,VDC: 5 VDC Макс. вих. струм: 6000 mA Корпус, габарити, мм: 89x63,5x25 mm Температура, °C: -40...+85°C |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
| 100B111FMN300XC20 | KYOCERA AVX |
Silicon RF Capacitors / Thin Film |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| 100B111GMN300XC20 | KYOCERA AVX |
Silicon RF Capacitors / Thin Film |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| 100B111JMN300XC20 | KYOCERA AVX |
Silicon RF Capacitors / Thin Film |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| 100B121GMN300XC20 | KYOCERA AVX |
Silicon RF Capacitors / Thin Film |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| 100B121JMN300XC20 | KYOCERA AVX |
Silicon RF Capacitors / Thin Film |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| 100B131JMN300XC20 | KYOCERA AVX |
Silicon RF Capacitors / Thin Film |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| 100B151FMN300XC20 | KYOCERA AVX |
Silicon RF Capacitors / Thin Film |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| 100B151GMN300XC20 | KYOCERA AVX |
Silicon RF Capacitors / Thin Film |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| 100B151JMN300XC20 | KYOCERA AVX |
Silicon RF Capacitors / Thin Film |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| 100B161FMN300XC20 | KYOCERA AVX |
Silicon RF Capacitors / Thin Film |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| 100B161JMN300XC20 | KYOCERA AVX |
Silicon RF Capacitors / Thin Film |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| 100B181FMN300XC20 | KYOCERA AVX |
Silicon RF Capacitors / Thin Film |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| 100B181JMN300 XC20 | KYOCERA AVX |
Silicon RF Capacitors / Thin Film |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| 100B181JMN300XC20 | KYOCERA AVX |
Silicon RF Capacitors / Thin Film |
товар відсутній |
| 1000uF 80V KPO 25x30mm (аудіо-Snap-in) (KPO-080V102MN300-Koshin) (електролітичний конденсатор) Код товару: 34004 |
|
Виробник: Koshin
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 80 V
Серія: KPO
Тип: аудіо, з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 25x30mm
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 80 V
Серія: KPO
Тип: аудіо, з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 25x30mm
у наявності: 3 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 48 грн |
| ASMN300A058L13 |
Виробник: Siretta
RF Cable Assemblies N-TYPE(F) TO SMA(M) 3M LOW LOSS (SLL200) CABLE ASSEMBLY
RF Cable Assemblies N-TYPE(F) TO SMA(M) 3M LOW LOSS (SLL200) CABLE ASSEMBLY
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3020.06 грн |
| 10+ | 2529.89 грн |
| 50+ | 2132.7 грн |
| 100+ | 2101.73 грн |
| DMN3006SCA6-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN3519-6 T&R 3K
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V X4-DSN3519-6 T&R 3K
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.16 грн |
| 10+ | 78.8 грн |
| 3000+ | 28.73 грн |
| 6000+ | 22.8 грн |
| 9000+ | 22.6 грн |
| DMN3007LSSQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.89 грн |
| 10+ | 40.99 грн |
| 100+ | 24.71 грн |
| 500+ | 20.56 грн |
| 1000+ | 17.53 грн |
| 2500+ | 15.02 грн |
| 5000+ | 14.3 грн |
| DMN3008SFG-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.89 грн |
| 10+ | 41.45 грн |
| 100+ | 24.58 грн |
| 500+ | 20.56 грн |
| 1000+ | 17.53 грн |
| 3000+ | 15.48 грн |
| 6000+ | 15.42 грн |
| DMN3008SFG-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.89 грн |
| 10+ | 40.76 грн |
| 100+ | 24.58 грн |
| 500+ | 20.56 грн |
| 1000+ | 17.53 грн |
| 2000+ | 15.88 грн |
| 4000+ | 15.42 грн |
| DMN3008SFGQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.65 грн |
| 10+ | 55.54 грн |
| 100+ | 32.88 грн |
| 500+ | 27.54 грн |
| 1000+ | 23.39 грн |
| 2000+ | 21.28 грн |
| 4000+ | 20.69 грн |
| DMN3009LFV-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.05 грн |
| 11+ | 29.63 грн |
| 100+ | 17.92 грн |
| 500+ | 14.03 грн |
| 1000+ | 11.4 грн |
| 2000+ | 9.75 грн |
| DMN3009LFVW-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.74 грн |
| 10+ | 35.08 грн |
| 100+ | 21.15 грн |
| 500+ | 17.66 грн |
| 1000+ | 15.09 грн |
| 2000+ | 13.37 грн |
| 4000+ | 13.31 грн |
| DMN3009SFG-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.73 грн |
| 10+ | 48.11 грн |
| 100+ | 30.18 грн |
| 500+ | 24.51 грн |
| 1000+ | 20.29 грн |
| 2000+ | 18.32 грн |
| 4000+ | 17.92 грн |
| DMN3009SFGQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.02 грн |
| 10+ | 56.75 грн |
| 100+ | 38.41 грн |
| 500+ | 32.61 грн |
| 1000+ | 27.08 грн |
| 2000+ | 25.83 грн |
| DMN3009SK3-13 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 49.52 грн |
| 16+ | 21.69 грн |
| 25+ | 19.49 грн |
| 53+ | 15.04 грн |
| 146+ | 14.21 грн |
| DMN3009SK3-13 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 59.42 грн |
| 10+ | 27.03 грн |
| 25+ | 23.39 грн |
| 53+ | 18.04 грн |
| 146+ | 17.06 грн |
| DMN3009SK3-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 45.04 грн |
| 10+ | 38.57 грн |
| 100+ | 23.32 грн |
| 500+ | 18.18 грн |
| 1000+ | 15.15 грн |
| 2500+ | 12.78 грн |
| 10000+ | 12.72 грн |
| DMN3009SSS-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 5054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.05 грн |
| 10+ | 34.7 грн |
| 100+ | 20.89 грн |
| 500+ | 17.46 грн |
| 1000+ | 14.82 грн |
| 2500+ | 13.24 грн |
| 5000+ | 13.18 грн |
| NCP3335AMN300R2G |
|
Виробник: onsemi
LDO Voltage Regulators ANA 500mA ANY CAP LO IQ LDO
LDO Voltage Regulators ANA 500mA ANY CAP LO IQ LDO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.61 грн |
| 10+ | 94.71 грн |
| 100+ | 60.22 грн |
| 500+ | 50.4 грн |
| 1000+ | 39.2 грн |
| 3000+ | 37.23 грн |
| NCV8570BMN300R2G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)| MN3007 Код товару: 24053 |
|
Виробник: Panasonic
Мікросхеми > ЦАП, АЦП, цифрові перетворювачі
Корпус: DIP-8
Опис: BBD 1024-STAGE LOW NOISE
Роб.темп.,°С: -20…60°C
Мікросхеми > ЦАП, АЦП, цифрові перетворювачі
Корпус: DIP-8
Опис: BBD 1024-STAGE LOW NOISE
Роб.темп.,°С: -20…60°C
товар відсутній
| 100uF 450V K3J 25x30mm (snap-in, 105) (K3J-450V101MN300-Koshin) (электролитический конденсатор) Код товару: 33997 |
|
Виробник: Koshin
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 450 V
Серія: K3J
Тип: с жесткими выводами, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 25x30mm
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 450 V
Серія: K3J
Тип: с жесткими выводами, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 25x30mm
товар відсутній
| 120uF 400V K3J 25x30mm (snap-in, 105) (K3J-400V121MN300-Koshin) (електролітичний конденсатор) Код товару: 33999 |
|
Виробник: Koshin
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 120 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: K3J
Тип: з жорсткими виводами, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 25x30mm
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 120 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: K3J
Тип: з жорсткими виводами, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 25x30mm
товар відсутній
| 180uF 400V K3J 25x30mm (snap-in, 105) (K3J-400V181MN300-Koshin) (електролітичний конденсатор) Код товару: 34000 |
|
Виробник: Koshin
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 180 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: K3J
Тип: з жорсткими виводами, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 25x30mm
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 180 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: K3J
Тип: з жорсткими виводами, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 25x30mm
товар відсутній
| KAMN3005 (AC30W85-265/5 ) Код товару: 29014 |
|
Виробник: Chinfa
Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
Потужність, W: 30 W
Напр. вх., V: 85...256 VAC;120...370 VDC
Напр. вих.,VDC: 5 VDC
Макс. вих. струм: 6000 mA
Корпус, габарити, мм: 89x63,5x25 mm
Температура, °C: -40...+85°C
Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
Потужність, W: 30 W
Напр. вх., V: 85...256 VAC;120...370 VDC
Напр. вих.,VDC: 5 VDC
Макс. вих. струм: 6000 mA
Корпус, габарити, мм: 89x63,5x25 mm
Температура, °C: -40...+85°C
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]