Результат пошуку "rf740" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF740PBF
Код товару: 162988 		Siliconix 91054.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 102 шт
очікується: 500 шт
1+55 грн
10+ 49.5 грн
IRF740SPBF IRF740SPBF
Код товару: 154285 		Siliconix sihf740s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: SMD
у наявності: 82 шт
1+85 грн
10+ 77.5 грн
IRF740SPBF IRF740SPBF
Код товару: 32580 		IR sihf740s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/35
Монтаж: SMD
у наявності: 7 шт
1+62 грн
IRF740 IR 91054.pdf IRF740.pdf Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=400V; Id=10A; Pdmax=125W; Rds=0,55 Ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+61.09 грн
10+ 50.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF740 Siliconix 91054.pdf IRF740.pdf N-MOSFET 10A 400V 125W 0.55Ω IRF740 TIRF740
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF740 HXY MOSFET 91054.pdf IRF740.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF740 Siliconix 91054.pdf IRF740.pdf N-MOSFET 10A 400V 125W 0.55Ω IRF740 TIRF740
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7401TR UMW Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7401TR International Rectifier N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7401TR-VB VBsemi N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7403TR Infineon irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c N-MOSFET 8.5A 30V 2.5W 0.022Ω IRF7403 smd TIRF7403
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7403TRPBF IRF7403TRPBF Infineon Technologies irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.18 грн
8000+ 26.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7403TRPBF IRF7403TRPBF Infineon Technologies irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 8069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.38 грн
10+ 55.59 грн
100+ 43.22 грн
500+ 34.39 грн
1000+ 28.01 грн
2000+ 26.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7403TRPBF IRF7403TRPBF Infineon Technologies irf7403.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF7403TRPBF IRF7403TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7403_DataSheet_v01_01_EN-3362845.pdf MOSFET MOSFT 30V 8.5A 22mOhm 38nC
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.14 грн
10+ 60.16 грн
100+ 51.79 грн
4000+ 29.71 грн
8000+ 28.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7404PBF International Rectifier/Infineon irf7404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa31be1ba0 description Р-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6,7 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15; Qg, нКл = 50 @ 4,5 В; Rds = 40 мОм @ 3,2 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 78 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
38+16.68 грн
41+ 15.57 грн
100+ 14.46 грн
Мінімальне замовлення: 38
IRF7404TR International Rectifier P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 40
IRF7404TR International Rectifier P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF Infineon Technologies irf7404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa31be1ba0 description Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.46 грн
8000+ 21.4 грн
12000+ 19.82 грн
28000+ 18.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF Infineon Technologies irf7404.pdf description Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 14867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF Infineon Technologies irf7404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa31be1ba0 description Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 36082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.85 грн
10+ 51.55 грн
100+ 35.67 грн
500+ 27.97 грн
1000+ 23.8 грн
2000+ 21.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7404_DataSheet_v01_01_EN-3363058.pdf description MOSFET MOSFT PCh -20V -6.7A 40mOhm 33.3nC
на замовлення 16391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.33 грн
10+ 36.35 грн
100+ 24.91 грн
500+ 22.54 грн
1000+ 20.5 грн
2000+ 19.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7406PBF International Rectifier/Infineon irf7406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa59a51baa description P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,8 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 45 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 147 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
31+20.39 грн
33+ 19.03 грн
100+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 31
IRF7406TR JGSEMI Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7406TR UMW Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7406TR International Rectifier P-MOSFET 5.8A 30V 2.5W 0.045Ω IRF7406, IRF7406TR , Possible substitute: IRF9335 IRF7406 smd TIRF7406
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7406TRPBF International Rectifier/Infineon irf7406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa59a51baa description P-канальний ПТ; Id = 5.8 А; Ptot, Вт = 2.5; Udss, В = 30; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25 В; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 45 мОм @ 2.8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOIC-8
на замовлення 83 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
15+42.34 грн
16+ 39.51 грн
100+ 36.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF740ALPBF IRF740ALPBF Vishay Semiconductors sihf740a.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET TO-26
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.38 грн
10+ 134.53 грн
100+ 80.18 грн
250+ 79.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ALPBF IRF740ALPBF Vishay Siliconix sihf740a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.5 грн
50+ 151.17 грн
100+ 124.37 грн
500+ 98.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740AP Siliconix N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY IRF740APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.56 грн
10+ 64.35 грн
14+ 57.5 грн
38+ 54.77 грн
250+ 54.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF740APBF Vishay/IR 91051.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 10 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 25; Qg, нКл = 36 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+624 грн
10+ 62.57 грн
100+ 58.11 грн
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY IRF740APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 963 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+90.43 грн
10+ 77.22 грн
14+ 69.01 грн
38+ 65.72 грн
250+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740APBF IRF740APBF Vishay Semiconductors 91051.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.31 грн
10+ 96.74 грн
100+ 71.63 грн
250+ 69.01 грн
1000+ 64.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740APBF IRF740APBF Vishay 91051.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF740APBF IRF740APBF Vishay Siliconix 91051.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.59 грн
50+ 136.04 грн
100+ 111.93 грн
500+ 88.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740APBF-BE3 IRF740APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91051.pdf MOSFET 400V N-CH MOSFET
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.24 грн
10+ 94.47 грн
100+ 65.39 грн
250+ 64.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740APBF-BE3 IRF740APBF-BE3 Vishay Siliconix 91051.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.59 грн
50+ 136.04 грн
100+ 111.93 грн
500+ 88.88 грн
1000+ 75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY IRF740A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.1 грн
5+ 80.78 грн
10+ 71.2 грн
13+ 60.93 грн
36+ 57.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY IRF740A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+100.66 грн
10+ 85.43 грн
13+ 73.11 грн
36+ 69.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay Siliconix sihf740a.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.22 грн
50+ 126.84 грн
100+ 104.35 грн
500+ 82.87 грн
1000+ 70.31 грн
2000+ 66.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay sihf740a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF740ASPBF IRF740ASPBF Vishay Semiconductors sihf740a.pdf MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 35809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.55 грн
10+ 111.1 грн
100+ 83.46 грн
500+ 76.89 грн
1000+ 72.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.19 грн
10+ 130.07 грн
14+ 56.82 грн
39+ 54.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 798 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+194.63 грн
10+ 162.09 грн
14+ 68.18 грн
39+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF Vishay sihf740a.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF Vishay Semiconductors sihf740a.pdf MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.51 грн
10+ 107.32 грн
100+ 79.52 грн
250+ 76.23 грн
800+ 75.58 грн
9600+ 72.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740BPBF IRF740BPBF VISHAY irf740b.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.99 грн
10+ 60.93 грн
16+ 49.97 грн
44+ 47.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF740BPBF IRF740BPBF VISHAY irf740b.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 898 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+87.58 грн
10+ 75.92 грн
16+ 59.97 грн
44+ 56.68 грн
1000+ 54.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740BPBF IRF740BPBF Vishay Semiconductors irf740b.pdf MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.31 грн
10+ 76.33 грн
100+ 52.84 грн
500+ 48.24 грн
1000+ 38.45 грн
2500+ 36.21 грн
5000+ 34.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740BPBF IRF740BPBF Vishay Siliconix irf740b.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.84 грн
50+ 72.74 грн
100+ 57.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY IRF740LC.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.5 грн
10+ 50.66 грн
18+ 43.81 грн
50+ 41.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY IRF740LC.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.66 грн
10+ 60.79 грн
18+ 52.58 грн
50+ 50.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay Siliconix 91053.pdf description Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.23 грн
50+ 146.01 грн
100+ 125.15 грн
500+ 104.4 грн
1000+ 89.39 грн
2000+ 84.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740LCPBF IRF740LCPBF Vishay Semiconductors 91053.pdf description MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.78 грн
10+ 172.32 грн
25+ 114.35 грн
100+ 103.18 грн
500+ 95.29 грн
1000+ 86.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740LCPBF-BE3 IRF740LCPBF-BE3 Vishay / Siliconix 91053.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.78 грн
10+ 172.32 грн
25+ 124.87 грн
100+ 109.75 грн
250+ 108.44 грн
500+ 100.55 грн
1000+ 86.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740LCPBF-BE3 IRF740LCPBF-BE3 Vishay Siliconix 91053.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.23 грн
50+ 146.01 грн
100+ 125.15 грн
500+ 104.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740LCPBF; 10A; 400V; 0,55R; 125W; N-канальний; корпус: ТО220; VISHAY
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
11+64.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY IRF740PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.09 грн
7+ 54.08 грн
10+ 48.6 грн
19+ 43.13 грн
51+ 41.07 грн
250+ 39.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY IRF740PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 996 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.39 грн
10+ 58.33 грн
19+ 51.75 грн
51+ 49.29 грн
250+ 46.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740PBF
Код товару: 162988		 91054.pdf
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 102 шт
очікується: 500 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+55 грн
10+ 49.5 грн
IRF740SPBF
Код товару: 154285		 sihf740s.pdf
IRF740SPBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 A
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: SMD
у наявності: 82 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+85 грн
10+ 77.5 грн
IRF740SPBF
Код товару: 32580		 sihf740s.pdf
IRF740SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/35
Монтаж: SMD
у наявності: 7 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+62 грн
IRF740 91054.pdf IRF740.pdf
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO220AB Udss=400V; Id=10A; Pdmax=125W; Rds=0,55 Ohm
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.09 грн
10+ 50.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF740 91054.pdf IRF740.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 10A 400V 125W 0.55Ω IRF740 TIRF740
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF740 91054.pdf IRF740.pdf
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; IRF740 HXY MOSFET TIRF740 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF740 91054.pdf IRF740.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 10A 400V 125W 0.55Ω IRF740 TIRF740
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7401TR
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7401; IRF7401TR; SP001566310; SP001551308; IRF7401TR UMW TIRF7401 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7401TR
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7401TR-VB
Виробник: VBsemi
N-MOSFET 6.9A 20V 0.022Ω IRF7401 (95/Tube), IRF7401TR(4000/Tape&Reel) IRF7401 TIRF7401
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7403TR irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c
Виробник: Infineon
N-MOSFET 8.5A 30V 2.5W 0.022Ω IRF7403 smd TIRF7403
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF7403TRPBF irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c
IRF7403TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+29.18 грн
8000+ 26.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7403TRPBF irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c
IRF7403TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 8069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.38 грн
10+ 55.59 грн
100+ 43.22 грн
500+ 34.39 грн
1000+ 28.01 грн
2000+ 26.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7403TRPBF irf7403.pdf
IRF7403TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF7403TRPBF Infineon_IRF7403_DataSheet_v01_01_EN-3362845.pdf
IRF7403TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 8.5A 22mOhm 38nC
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.14 грн
10+ 60.16 грн
100+ 51.79 грн
4000+ 29.71 грн
8000+ 28.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7404PBF description irf7404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa31be1ba0
Виробник: International Rectifier/Infineon
Р-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6,7 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15; Qg, нКл = 50 @ 4,5 В; Rds = 40 мОм @ 3,2 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 78 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+16.68 грн
41+ 15.57 грн
100+ 14.46 грн
Мінімальне замовлення: 38
IRF7404TR
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 40
IRF7404TR
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 6.7A 20V 2.5W 0.04Ω IRF7404 smd TIRF7404
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7404TRPBF description irf7404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa31be1ba0
IRF7404TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.46 грн
8000+ 21.4 грн
12000+ 19.82 грн
28000+ 18.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7404TRPBF description irf7404.pdf
IRF7404TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 14867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7404TRPBF description irf7404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa31be1ba0
IRF7404TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 36082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.85 грн
10+ 51.55 грн
100+ 35.67 грн
500+ 27.97 грн
1000+ 23.8 грн
2000+ 21.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7404TRPBF description Infineon_IRF7404_DataSheet_v01_01_EN-3363058.pdf
IRF7404TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT PCh -20V -6.7A 40mOhm 33.3nC
на замовлення 16391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.33 грн
10+ 36.35 грн
100+ 24.91 грн
500+ 22.54 грн
1000+ 20.5 грн
2000+ 19.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7406PBF description irf7406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa59a51baa
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,8 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 45 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 147 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+20.39 грн
33+ 19.03 грн
100+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 31
IRF7406TR
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR JGSEMI TIRF7406 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7406TR
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7406; IRF7406TR; IRF7406GTR; SP001551328; SP001554244; SP001563604; IRF7406TR UMW TIRF7406 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7406TR
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 5.8A 30V 2.5W 0.045Ω IRF7406, IRF7406TR , Possible substitute: IRF9335 IRF7406 smd TIRF7406
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7406TRPBF description irf7406pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa59a51baa
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Id = 5.8 А; Ptot, Вт = 2.5; Udss, В = 30; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ 25 В; Qg, нКл = 59 @ 10 В; Rds = 45 мОм @ 2.8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; SOIC-8
на замовлення 83 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+42.34 грн
16+ 39.51 грн
100+ 36.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF740ALPBF sihf740a.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET TO-26
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.38 грн
10+ 134.53 грн
100+ 80.18 грн
250+ 79.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ALPBF sihf740a.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.5 грн
50+ 151.17 грн
100+ 124.37 грн
500+ 98.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740AP
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 10A 400V 125W IRF740A TIRF740 a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF740APBF IRF740APBF.pdf
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.56 грн
10+ 64.35 грн
14+ 57.5 грн
38+ 54.77 грн
250+ 54.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF740APBF 91051.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 10 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 25; Qg, нКл = 36 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+624 грн
10+ 62.57 грн
100+ 58.11 грн
IRF740APBF IRF740APBF.pdf
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 963 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+90.43 грн
10+ 77.22 грн
14+ 69.01 грн
38+ 65.72 грн
250+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740APBF 91051.pdf
IRF740APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.31 грн
10+ 96.74 грн
100+ 71.63 грн
250+ 69.01 грн
1000+ 64.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740APBF 91051.pdf
IRF740APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF740APBF 91051.pdf
IRF740APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.59 грн
50+ 136.04 грн
100+ 111.93 грн
500+ 88.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740APBF-BE3 91051.pdf
IRF740APBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V N-CH MOSFET
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.24 грн
10+ 94.47 грн
100+ 65.39 грн
250+ 64.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740APBF-BE3 91051.pdf
IRF740APBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.59 грн
50+ 136.04 грн
100+ 111.93 грн
500+ 88.88 грн
1000+ 75.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ASPBF IRF740A.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.1 грн
5+ 80.78 грн
10+ 71.2 грн
13+ 60.93 грн
36+ 57.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740ASPBF IRF740A.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.66 грн
10+ 85.43 грн
13+ 73.11 грн
36+ 69.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.22 грн
50+ 126.84 грн
100+ 104.35 грн
500+ 82.87 грн
1000+ 70.31 грн
2000+ 66.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF740ASPBF sihf740a.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 35809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+162.55 грн
10+ 111.1 грн
100+ 83.46 грн
500+ 76.89 грн
1000+ 72.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+162.19 грн
10+ 130.07 грн
14+ 56.82 грн
39+ 54.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 798 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.63 грн
10+ 162.09 грн
14+ 68.18 грн
39+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.51 грн
10+ 107.32 грн
100+ 79.52 грн
250+ 76.23 грн
800+ 75.58 грн
9600+ 72.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF740BPBF irf740b.pdf
IRF740BPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+72.99 грн
10+ 60.93 грн
16+ 49.97 грн
44+ 47.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF740BPBF irf740b.pdf
IRF740BPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 898 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.58 грн
10+ 75.92 грн
16+ 59.97 грн
44+ 56.68 грн
1000+ 54.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740BPBF irf740b.pdf
IRF740BPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.31 грн
10+ 76.33 грн
100+ 52.84 грн
500+ 48.24 грн
1000+ 38.45 грн
2500+ 36.21 грн
5000+ 34.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740BPBF irf740b.pdf
IRF740BPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.84 грн
50+ 72.74 грн
100+ 57.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740LCPBF description IRF740LC.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.5 грн
10+ 50.66 грн
18+ 43.81 грн
50+ 41.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF740LCPBF description IRF740LC.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.66 грн
10+ 60.79 грн
18+ 52.58 грн
50+ 50.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.23 грн
50+ 146.01 грн
100+ 125.15 грн
500+ 104.4 грн
1000+ 89.39 грн
2000+ 84.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740LCPBF description 91053.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.78 грн
10+ 172.32 грн
25+ 114.35 грн
100+ 103.18 грн
500+ 95.29 грн
1000+ 86.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740LCPBF-BE3 91053.pdf
IRF740LCPBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.78 грн
10+ 172.32 грн
25+ 124.87 грн
100+ 109.75 грн
250+ 108.44 грн
500+ 100.55 грн
1000+ 86.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740LCPBF-BE3 91053.pdf
IRF740LCPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.23 грн
50+ 146.01 грн
100+ 125.15 грн
500+ 104.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF740LCPBF; 10A; 400V; 0,55R; 125W; N-канальний; корпус: ТО220; VISHAY
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+64.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF740PBF IRF740PBF.pdf
IRF740PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+67.09 грн
7+ 54.08 грн
10+ 48.6 грн
19+ 43.13 грн
51+ 41.07 грн
250+ 39.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF740PBF IRF740PBF.pdf
IRF740PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 996 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.39 грн
10+ 58.33 грн
19+ 51.75 грн
51+ 49.29 грн
250+ 46.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]