Результат пошуку "rfh" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1000uF 10V EZV SMD sizeF 10x10.5 (low imp.) (EZV102M10RF-Hitano) (електролітичний конденсатор SMD) Код товару: 56460 |
Hitano |
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори Ємність: 1000 µF Номін.напруга: 10 V Серія: EZV-SMD низькоімпедансні Темп.діапазон: -40...+105°C Типорозмір,габарити: SMD size F Макс.пульс.струм: 670mA |
у наявності: 986 шт
|
|
|||||||||||||
220uF 50V EZV SMD sizeF 10x10.5 (low imp.) (EZV221M50RF-Hitano) (електролітичний конденсатор SMD) Код товару: 56461 |
Hitano |
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори Ємність: 220 µF Номін.напруга: 50 V Серія: EZV-SMD низькоімпедансні Темп.діапазон: -40...+105°C Типорозмір,габарити: SMD size F Макс.пульс.струм: 670mA |
у наявності: 111 шт
|
|
|||||||||||||
47uF 6,3V size-B 20% (TMCUB0476MTRF-Hitachi) (конденсатор танталовий SMD) Код товару: 46917 |
Hitachi |
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори Ємність: 47 µF Номін.напруга: 6,3 V Точність: ±20% Типорозмір: Size-B |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||
IRFH5010TR2 Код товару: 99485 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 100 A Rds(on), Ohm: 9,0 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4340/65 Монтаж: SMD |
у наявності: 24 шт
|
|
|||||||||||||
IRFH5104TR2 Код товару: 99489 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 40 V Idd,A: 24 A Rds(on), Ohm: 3,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3120/53 Монтаж: SMD |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||
IRFH5215TR2PBF (транзистор) Код товару: 84275 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 150 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1350/21 Монтаж: SMD |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||
IRFH5220TR2 Код товару: 99493 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 99,9 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1380/20 Монтаж: SMD |
у наявності: 2 шт
|
|
|||||||||||||
IRFH7911TR Код товару: 99497 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 10/23 A Rds(on), Ohm: 8.6/3.0 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1060/4450/8.3/34 Монтаж: SMD |
у наявності: 20 шт
|
|
|||||||||||||
RF-H35HI32DS-EF-2N | REFOND |
Category: SMD white LEDs Description: LED; SMD; 2835,PLCC2; white warm; 31÷33(typ)-34.5lm; 3230-3660K Type of diode: LED Mounting: SMD Case: 2835; PLCC2 LED colour: white warm Luminosity: 31...33(typ)-34.5lm Colour temperature: 3230-3660K Min. colour rendering index: 80 Dimensions: 2.8x3.5x0.7mm Viewing angle: 120° LED current: 60mA Front: flat Maximum power: 540mW кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
+1 |
RFH1010J-AYH-MNN | RAYSTAR OPTRONICS |
Category: TFT displays Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; Dim: 235x143x5.05mm Dimensions: 235x143x5.05mm Supply voltage: 4...4.6V DC Interface: MIPI Touchpad: none Display resolution: 1024x600 Luminosity: 1000...1100cd/m2 Number of pins: 30 Window dimensions (H x W): 222.72x125.28mm Colour: RGB Screen size: 10.1" Kind of controller: EK73217BCGA; EK79007AD3 Type of display: TFT Contrast: 800:1 Display features: anti-glare glass Kind of display: graphical Backlight colour: white Illumination: LED Ribbon cable pitch: 0.5mm Connector pinout layout: 1x30 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
RFH700U-AIW-LNN | RAYSTAR OPTRONICS | RFH700U-AIW-LNN TFT displays |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
RF-H0017103 |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RF-H0017128 |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RF-H30HI32DS-EF-2N | RF-H30HI32DS-EF-2N Светодиоды, индикаторы |
на замовлення 5478 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||
RF-H30HI32DS-EF-2N | RF-H30HI32DS-EF-2N Светодиоды, индикаторы |
на замовлення 9416 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||
RF-H30HI32DS-EF-2N | RF-H30HI32DS-EF-2N Светодиоды, индикаторы |
на замовлення 5318 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||
RF-HDT-DVBB-N0 |
на замовлення 10521 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RF-HDT-DVBE-N2 |
на замовлення 1496 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RF-HDT-SJLE-G1 |
на замовлення 257992 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RF-HDT-SNMC-G0 |
на замовлення 367955 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RF-HDT-SNME-G1 |
на замовлення 117231 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFH10N45 |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFH10N50 | HARRIS | TO220/ |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
RFH12N35 |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFH12N40 |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFH25910 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFH25N18 |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFH25N20 |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFH25P08 |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFH25P10 |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFH30N12 |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFH30N15 |
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFH35N08 |
на замовлення 2155 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFH35N10 |
на замовлення 2156 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFH45N05 |
на замовлення 2157 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFH45N05+ |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFH45N06 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFH75N05E |
на замовлення 2158 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFHA1000 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFHA1003 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFHA1020 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFHA1021 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
rfHCS362F-I/SS |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
rfHCS362FT-I/SS |
на замовлення 10800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
rfHCS362G-I/SO |
на замовлення 10800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
rfHCS362GT-I/SO |
на замовлення 10800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RFHJ2B04 | ALCATEL | QFP-48 |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
RFHJ2B04/RFHJ2804 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
CR2032 MFR FH1 | RENATA |
Category: Batteries Description: Battery: lithium; 3V; CR2032,coin; 225mAh; non-rechargeable Type of battery: lithium Rated voltage: 3V Cell size: coin; CR2032 Capacity: 225mAh Battery features: non-rechargeable Body dimensions: Ø20x3.2mm Leads: 2pin; for PCB Mounting: horizontally кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 919 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFH4234TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 22A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 22A Power dissipation: 3.5W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Trade name: FastIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1724 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFH7085TR | International Rectifier |
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFH7440TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 85A Power dissipation: 104W Case: PQFN5X6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3693 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFH7932TR | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFH8316TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 27A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFH8321TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFH9310TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6 Kind of package: reel Drain-source voltage: -30V Drain current: -17A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: PQFN5X6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3612 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFHM8329TRPBF; 16A; 30V; 6,1mR; 2,6W; N-MOSFET; Корпус: PQFN3.3x3.3; Infineon(IRF) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFHM8330TRPBF | Infineon | Транз. Пол. ММ N-MOSFET PQFN-8 SO8 Udss=30V; Id=16A; Pdmax=2,7W; Rds=0,0077 Ohm |
на замовлення 14 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFHM9331TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; 2.8W; PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Case: PQFN3.3X3.3 Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Drain current: -9A Drain-source voltage: -30V Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3895 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
Транзистор IGBT IHW40N60RF(H40RF60) 80A 600V TO-247 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
1000uF 10V EZV SMD sizeF 10x10.5 (low imp.) (EZV102M10RF-Hitano) (електролітичний конденсатор SMD) Код товару: 56460 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: EZV-SMD низькоімпедансні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size F
Макс.пульс.струм: 670mA
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: EZV-SMD низькоімпедансні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size F
Макс.пульс.струм: 670mA
у наявності: 986 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 11 грн |
10+ | 9.9 грн |
100+ | 8.8 грн |
220uF 50V EZV SMD sizeF 10x10.5 (low imp.) (EZV221M50RF-Hitano) (електролітичний конденсатор SMD) Код товару: 56461 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EZV-SMD низькоімпедансні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size F
Макс.пульс.струм: 670mA
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EZV-SMD низькоімпедансні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size F
Макс.пульс.струм: 670mA
у наявності: 111 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 11 грн |
10+ | 9.9 грн |
100+ | 8.8 грн |
47uF 6,3V size-B 20% (TMCUB0476MTRF-Hitachi) (конденсатор танталовий SMD) Код товару: 46917 |
Виробник: Hitachi
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Точність: ±20%
Типорозмір: Size-B
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 6,3 V
Точність: ±20%
Типорозмір: Size-B
у наявності: 1 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5 грн |
IRFH5010TR2 Код товару: 99485 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 9,0 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4340/65
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 100 A
Rds(on), Ohm: 9,0 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4340/65
Монтаж: SMD
у наявності: 24 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 145 грн |
10+ | 137 грн |
IRFH5104TR2 Код товару: 99489 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 3,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3120/53
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 3,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3120/53
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 46.5 грн |
IRFH5215TR2PBF (транзистор) Код товару: 84275 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 150 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1350/21
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 150 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1350/21
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 53 грн |
IRFH5220TR2 Код товару: 99493 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 99,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/20
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 99,9 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/20
Монтаж: SMD
у наявності: 2 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 39 грн |
IRFH7911TR Код товару: 99497 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 10/23 A
Rds(on), Ohm: 8.6/3.0 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1060/4450/8.3/34
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 10/23 A
Rds(on), Ohm: 8.6/3.0 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1060/4450/8.3/34
Монтаж: SMD
у наявності: 20 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 43 грн |
RF-H35HI32DS-EF-2N |
Виробник: REFOND
Category: SMD white LEDs
Description: LED; SMD; 2835,PLCC2; white warm; 31÷33(typ)-34.5lm; 3230-3660K
Type of diode: LED
Mounting: SMD
Case: 2835; PLCC2
LED colour: white warm
Luminosity: 31...33(typ)-34.5lm
Colour temperature: 3230-3660K
Min. colour rendering index: 80
Dimensions: 2.8x3.5x0.7mm
Viewing angle: 120°
LED current: 60mA
Front: flat
Maximum power: 540mW
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD white LEDs
Description: LED; SMD; 2835,PLCC2; white warm; 31÷33(typ)-34.5lm; 3230-3660K
Type of diode: LED
Mounting: SMD
Case: 2835; PLCC2
LED colour: white warm
Luminosity: 31...33(typ)-34.5lm
Colour temperature: 3230-3660K
Min. colour rendering index: 80
Dimensions: 2.8x3.5x0.7mm
Viewing angle: 120°
LED current: 60mA
Front: flat
Maximum power: 540mW
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 6.73 грн |
190+ | 1.41 грн |
850+ | 1.09 грн |
2330+ | 1.03 грн |
12000+ | 1.02 грн |
RFH1010J-AYH-MNN |
Виробник: RAYSTAR OPTRONICS
Category: TFT displays
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; Dim: 235x143x5.05mm
Dimensions: 235x143x5.05mm
Supply voltage: 4...4.6V DC
Interface: MIPI
Touchpad: none
Display resolution: 1024x600
Luminosity: 1000...1100cd/m2
Number of pins: 30
Window dimensions (H x W): 222.72x125.28mm
Colour: RGB
Screen size: 10.1"
Kind of controller: EK73217BCGA; EK79007AD3
Type of display: TFT
Contrast: 800:1
Display features: anti-glare glass
Kind of display: graphical
Backlight colour: white
Illumination: LED
Ribbon cable pitch: 0.5mm
Connector pinout layout: 1x30
кількість в упаковці: 1 шт
Category: TFT displays
Description: Display: TFT; 10.1"; 1024x600; Illumin: LED; Dim: 235x143x5.05mm
Dimensions: 235x143x5.05mm
Supply voltage: 4...4.6V DC
Interface: MIPI
Touchpad: none
Display resolution: 1024x600
Luminosity: 1000...1100cd/m2
Number of pins: 30
Window dimensions (H x W): 222.72x125.28mm
Colour: RGB
Screen size: 10.1"
Kind of controller: EK73217BCGA; EK79007AD3
Type of display: TFT
Contrast: 800:1
Display features: anti-glare glass
Kind of display: graphical
Backlight colour: white
Illumination: LED
Ribbon cable pitch: 0.5mm
Connector pinout layout: 1x30
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6113.5 грн |
3+ | 5677.93 грн |
5+ | 5458.58 грн |
RFH700U-AIW-LNN |
Виробник: RAYSTAR OPTRONICS
RFH700U-AIW-LNN TFT displays
RFH700U-AIW-LNN TFT displays
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3344.49 грн |
RF-H30HI32DS-EF-2N |
RF-H30HI32DS-EF-2N Светодиоды, индикаторы
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)RF-H30HI32DS-EF-2N |
RF-H30HI32DS-EF-2N Светодиоды, индикаторы
на замовлення 9416 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)RF-H30HI32DS-EF-2N |
RF-H30HI32DS-EF-2N Светодиоды, индикаторы
на замовлення 5318 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)CR2032 MFR FH1 |
Виробник: RENATA
Category: Batteries
Description: Battery: lithium; 3V; CR2032,coin; 225mAh; non-rechargeable
Type of battery: lithium
Rated voltage: 3V
Cell size: coin; CR2032
Capacity: 225mAh
Battery features: non-rechargeable
Body dimensions: Ø20x3.2mm
Leads: 2pin; for PCB
Mounting: horizontally
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Batteries
Description: Battery: lithium; 3V; CR2032,coin; 225mAh; non-rechargeable
Type of battery: lithium
Rated voltage: 3V
Cell size: coin; CR2032
Capacity: 225mAh
Battery features: non-rechargeable
Body dimensions: Ø20x3.2mm
Leads: 2pin; for PCB
Mounting: horizontally
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 919 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 115.3 грн |
12+ | 88.94 грн |
31+ | 81.53 грн |
200+ | 78.24 грн |
IRFH4234TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 22A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.5W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Trade name: FastIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 22A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.5W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Trade name: FastIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 17.62 грн |
IRFH7085TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 71.31 грн |
IRFH7440TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN5X6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3693 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 110.86 грн |
5+ | 94.93 грн |
12+ | 79.06 грн |
33+ | 74.94 грн |
IRFH7932TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 29.76 грн |
IRFH8316TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 27A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 27A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 133.04 грн |
3+ | 85.52 грн |
10+ | 49.25 грн |
20+ | 47.6 грн |
55+ | 44.97 грн |
100+ | 44.64 грн |
IRFH8321TR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 22.74 грн |
IRFH9310TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Kind of package: reel
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: PQFN5X6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Kind of package: reel
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: PQFN5X6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3612 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 107.32 грн |
5+ | 94.08 грн |
15+ | 67.53 грн |
39+ | 64.24 грн |
IRFHM8329TRPBF; 16A; 30V; 6,1mR; 2,6W; N-MOSFET; Корпус: PQFN3.3x3.3; Infineon(IRF) |
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 666.96 грн |
IRFHM8330TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ N-MOSFET PQFN-8 SO8 Udss=30V; Id=16A; Pdmax=2,7W; Rds=0,0077 Ohm
Транз. Пол. ММ N-MOSFET PQFN-8 SO8 Udss=30V; Id=16A; Pdmax=2,7W; Rds=0,0077 Ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 37.28 грн |
10+ | 30.64 грн |
IRFHM9331TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; 2.8W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: PQFN3.3X3.3
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -9A
Drain-source voltage: -30V
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; 2.8W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: PQFN3.3X3.3
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -9A
Drain-source voltage: -30V
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 30.42 грн |
25+ | 25.74 грн |
47+ | 20.67 грн |
129+ | 19.52 грн |
Транзистор IGBT IHW40N60RF(H40RF60) 80A 600V TO-247 |
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 154.35 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]