Результат пошуку "si230" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 476
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 300
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 12000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 748
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 36
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 34
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 300
Мінімальне замовлення: 300
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 35
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 855
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 37
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 3000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI2300DS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2300DS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2300DS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2300DS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301 | BORN |
P-Channel -20V 3A 1V @ 250uA 110m? @ 3A,4.5V 1.25W SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs SI2301 SOT23-3 BORN TSI2301 BORN кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301 3A | kuu semiconductor |
Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; SI2301 3A KUU TSI2301 KUU кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1764 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301BDS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301BDS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 41020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301BDS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301BDS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 531000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301BDS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301BDS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301BDS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301BDS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301BDS-T1-E3 L1.. | Vishay |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301BDS TSI2301bds кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301BDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301BDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301BDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301BDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301BDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
SI2301BDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301BDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301CDS-T1-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301CDS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 142mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 142mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7507 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 507000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 957000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 957000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay |
P-MOSFET 20V 2.3A SI2301CDS SOT23 VISHAY TSI2301cds кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2301S | BORN |
P-Channel -20V 2.3A 1V @ 250uA 210m? @ 1A,2.5V 1W SOT-23 MOSFETs SI2301S SOT23 BORN TSI2301s BORN кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302 | BORN |
N-Channel 20V 3A 1.5V @ 250uA 45m? @ 3A,4.5V 1.25W SOT-23 MOSFETs SI2302 SOT23 BORN TSI2302 BORN кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302 2.9A | kuu semiconductor |
Trans. N-MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55°C ~ 150°C; SI2302 2.9A SOT23 KUU TSI2302 KUU кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 3A; Idm: 10A; 1.25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 8595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 3A; Idm: 10A; 1.25W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 8595 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302CDS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302CDS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302CDS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
SI2302CDS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302CDS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302CDS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.1A Power dissipation: 0.46W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 4883 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.1A Power dissipation: 0.46W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4883 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 981000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
SI2300DS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.18 грн |
SI2300DS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.88 грн |
SI2300DS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
476+ | 24.55 грн |
662+ | 17.65 грн |
716+ | 16.31 грн |
855+ | 13.18 грн |
1170+ | 8.91 грн |
SI2300DS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 23.29 грн |
26+ | 22.8 грн |
100+ | 15.8 грн |
250+ | 13.52 грн |
500+ | 10.88 грн |
1000+ | 7.95 грн |
SI2301 |
Виробник: BORN
P-Channel -20V 3A 1V @ 250uA 110m? @ 3A,4.5V 1.25W SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs SI2301 SOT23-3 BORN TSI2301 BORN
кількість в упаковці: 100 шт
P-Channel -20V 3A 1V @ 250uA 110m? @ 3A,4.5V 1.25W SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs SI2301 SOT23-3 BORN TSI2301 BORN
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 2.77 грн |
SI2301 3A |
Виробник: kuu semiconductor
Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; SI2301 3A KUU TSI2301 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; SI2301 3A KUU TSI2301 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 2.05 грн |
SI2301A-TP |
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 27.35 грн |
18+ | 19.49 грн |
25+ | 16.25 грн |
100+ | 11.62 грн |
118+ | 6.74 грн |
325+ | 6.37 грн |
SI2301A-TP |
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 32.82 грн |
11+ | 24.29 грн |
25+ | 19.5 грн |
100+ | 13.94 грн |
118+ | 8.09 грн |
325+ | 7.64 грн |
SI2301A-TP |
Виробник: Micro Commercial Components
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.23 грн |
SI2301A-TP |
Виробник: Micro Commercial Components
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.73 грн |
9000+ | 8.44 грн |
SI2301A-TP |
Виробник: Micro Commercial Components
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12000+ | 6.38 грн |
SI2301BDS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 10.42 грн |
SI2301BDS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 41020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
748+ | 15.61 грн |
776+ | 15.05 грн |
1000+ | 14.56 грн |
2500+ | 13.63 грн |
5000+ | 12.28 грн |
10000+ | 11.49 грн |
25000+ | 11.24 грн |
SI2301BDS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 14.23 грн |
SI2301BDS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 10.27 грн |
132000+ | 9.38 грн |
264000+ | 8.73 грн |
396000+ | 7.94 грн |
SI2301BDS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 10.71 грн |
SI2301BDS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 10.3 грн |
SI2301BDS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.98 грн |
SI2301BDS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 11.22 грн |
SI2301BDS-T1-E3 L1.. |
Виробник: Vishay
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301BDS TSI2301bds
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301BDS TSI2301bds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 10.67 грн |
SI2301BDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 28.82 грн |
16+ | 22.3 грн |
25+ | 19.56 грн |
79+ | 10.09 грн |
217+ | 9.54 грн |
3000+ | 9.2 грн |
SI2301BDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 34.59 грн |
10+ | 27.8 грн |
25+ | 23.47 грн |
79+ | 12.11 грн |
217+ | 11.45 грн |
3000+ | 11.04 грн |
SI2301BDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 10.88 грн |
SI2301BDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 10.3 грн |
SI2301BDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SI2301BDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 11.69 грн |
SI2301BDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
36+ | 16.48 грн |
38+ | 15.38 грн |
100+ | 12.86 грн |
250+ | 11.84 грн |
SI2301CDS-T1-BE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 11.13 грн |
6000+ | 10.17 грн |
SI2301CDS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.81 грн |
SI2301CDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 10.94 грн |
39+ | 8.92 грн |
100+ | 8.03 грн |
111+ | 7.16 грн |
306+ | 6.77 грн |
3000+ | 6.66 грн |
SI2301CDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7507 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 13.13 грн |
25+ | 11.12 грн |
100+ | 9.64 грн |
111+ | 8.59 грн |
306+ | 8.12 грн |
3000+ | 7.99 грн |
SI2301CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 507000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 10.73 грн |
126000+ | 9.81 грн |
252000+ | 9.13 грн |
378000+ | 8.3 грн |
SI2301CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 957000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.22 грн |
SI2301CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 10.78 грн |
SI2301CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.28 грн |
SI2301CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.8 грн |
SI2301CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 957000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.63 грн |
SI2301CDS-T1-GE3 |
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 6.82 грн |
SI2301S |
Виробник: BORN
P-Channel -20V 2.3A 1V @ 250uA 210m? @ 1A,2.5V 1W SOT-23 MOSFETs SI2301S SOT23 BORN TSI2301s BORN
кількість в упаковці: 100 шт
P-Channel -20V 2.3A 1V @ 250uA 210m? @ 1A,2.5V 1W SOT-23 MOSFETs SI2301S SOT23 BORN TSI2301s BORN
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 2.67 грн |
SI2302 |
Виробник: BORN
N-Channel 20V 3A 1.5V @ 250uA 45m? @ 3A,4.5V 1.25W SOT-23 MOSFETs SI2302 SOT23 BORN TSI2302 BORN
кількість в упаковці: 100 шт
N-Channel 20V 3A 1.5V @ 250uA 45m? @ 3A,4.5V 1.25W SOT-23 MOSFETs SI2302 SOT23 BORN TSI2302 BORN
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 2.39 грн |
SI2302 2.9A |
Виробник: kuu semiconductor
Trans. N-MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55°C ~ 150°C; SI2302 2.9A SOT23 KUU TSI2302 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
Trans. N-MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55°C ~ 150°C; SI2302 2.9A SOT23 KUU TSI2302 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 1.95 грн |
SI2302-TP |
Виробник: Micro Commercial Components
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.26 грн |
SI2302-TP |
Виробник: Micro Commercial Components
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.11 грн |
6000+ | 6.06 грн |
9000+ | 5.37 грн |
SI2302-TP |
Виробник: Micro Commercial Components
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.58 грн |
6000+ | 6.53 грн |
9000+ | 5.78 грн |
SI2302A-TP |
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 3A; Idm: 10A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 3A; Idm: 10A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 9.95 грн |
100+ | 8.85 грн |
105+ | 7.89 грн |
280+ | 7.48 грн |
3000+ | 7.34 грн |
SI2302A-TP |
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 3A; Idm: 10A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 3A; Idm: 10A; 1.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8595 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 14.37 грн |
25+ | 12.4 грн |
100+ | 10.62 грн |
105+ | 9.47 грн |
280+ | 8.98 грн |
3000+ | 8.81 грн |
SI2302CDS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.47 грн |
SI2302CDS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
855+ | 13.66 грн |
887+ | 13.17 грн |
1000+ | 12.74 грн |
2500+ | 11.92 грн |
5000+ | 10.74 грн |
10000+ | 10.06 грн |
SI2302CDS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SI2302CDS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 12.7 грн |
SI2302CDS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 23.55 грн |
42+ | 13.95 грн |
100+ | 11.94 грн |
250+ | 9.52 грн |
SI2302CDS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 10.2 грн |
SI2302CDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 29.56 грн |
15+ | 23.47 грн |
25+ | 17.36 грн |
86+ | 9.27 грн |
236+ | 8.78 грн |
SI2302CDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 35.48 грн |
10+ | 29.25 грн |
25+ | 20.84 грн |
86+ | 11.12 грн |
236+ | 10.54 грн |
SI2302CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.76 грн |
SI2302CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 15.79 грн |
SI2302CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 981000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.73 грн |
SI2302CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
37+ | 8.53 грн |
SI2302CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 32.76 грн |
22+ | 27.01 грн |
100+ | 19.18 грн |
500+ | 14.54 грн |
1000+ | 10.94 грн |
3000+ | 7.56 грн |
SI2302CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 11.97 грн |
9000+ | 11.11 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]