Результат пошуку "si443" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SI4432 wireless module SI4432 wireless module
Код товару: 84546 		si4430-31-32.pdf Модульні елементи > Радіомодулі
Функціональний опис: Приймач до 1000 метрів модуль; 240-960mhz; Frequency Range: 433.92M; Sensitivity up to-121dBm; Data transfer rate: 0.123-256kbps;
Живлення: 1,8 ... 3,6 V
Тип зв’язку: RF
Частота: 433 MHz
Інтерфейс: FIFO
у наявності: 11 шт
очікується: 50 шт
1+170 грн
SI4430-B1-FM SI4430-B1-FM Silicon Labs Si4430-32-B1_Rev10-10.pdf Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+713.04 грн
10+ 621.05 грн
Si4430BDY-T1-E3 Si4430BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4430bd.pdf MOSFET 30V 20A 0.0045Ohm
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.28 грн
10+ 104.3 грн
100+ 72.29 грн
500+ 60.79 грн
1000+ 57.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
Si4430BDY-T1-E3 Si4430BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4430bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.59 грн
10+ 93.38 грн
100+ 74.32 грн
500+ 59.02 грн
1000+ 50.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4430BDY-T1-GE3 SI4430BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4430bd.pdf MOSFET 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.64 грн
10+ 108.83 грн
100+ 74.92 грн
250+ 72.29 грн
500+ 63.55 грн
1000+ 56.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4431-B1-FM SI4431-B1-FM Silicon Labs Si4430_31_32-1397927.pdf RF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+732.99 грн
10+ 657.52 грн
25+ 466.61 грн
100+ 433.09 грн
250+ 394.31 грн
500+ 354.88 грн
2450+ 354.23 грн
SI4431-B1-FM SI4431-B1-FM SILICON LABS 2244900.pdf Description: SILICON LABS - SI4431-B1-FM - HF-Transceiver, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 30mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -101dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+600.85 грн
10+ 513.11 грн
25+ 425.38 грн
50+ 378.57 грн
100+ 333.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4431-B1-FM SI4431-B1-FM Silicon Labs Si4430-32-B1_Rev10-10.pdf Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.2 грн
10+ 598.39 грн
25+ 543.96 грн
80+ 459.44 грн
230+ 421.15 грн
490+ 382.87 грн
980+ 338.93 грн
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.09 грн
8+ 45.46 грн
22+ 36.35 грн
60+ 34.37 грн
500+ 33.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.51 грн
5+ 56.64 грн
22+ 43.62 грн
60+ 41.24 грн
500+ 40.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4431bd.pdf MOSFET 30V (D-S) 7.5A
на замовлення 16109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.16 грн
10+ 55.55 грн
100+ 37.59 грн
500+ 31.87 грн
1000+ 25.96 грн
2500+ 25.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 39139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.98 грн
10+ 49.91 грн
100+ 38.84 грн
500+ 30.9 грн
1000+ 25.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.01 грн
5000+ 28.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay si4431bd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.45 грн
5000+ 25.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.22 грн
5000+ 24.04 грн
12500+ 22.94 грн
25000+ 21.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431BDY-T1-GE3 SI4431BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4431bd.pdf MOSFET 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V
на замовлення 12679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.29 грн
10+ 61.29 грн
100+ 41.47 грн
500+ 35.23 грн
1000+ 28.65 грн
2500+ 26.48 грн
5000+ 25.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4431BDY-T1-GE3 SI4431BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.96 грн
5000+ 26.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431BDY-T1-GE3 SI4431BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4431bd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 6599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.38 грн
10+ 55.18 грн
100+ 42.9 грн
500+ 34.13 грн
1000+ 27.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 Vishay / Siliconix si4431cd.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 18434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.04 грн
10+ 48.67 грн
100+ 30.49 грн
500+ 26.81 грн
1000+ 23.72 грн
2500+ 22.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 6907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.54 грн
10+ 53.4 грн
100+ 41.56 грн
500+ 33.06 грн
1000+ 26.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4431CDY-T1-E3 SI4431CDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.06 грн
5000+ 25.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.5 грн
12+ 29.98 грн
25+ 27.04 грн
39+ 20.63 грн
106+ 19.5 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.01 грн
7+ 37.37 грн
25+ 32.45 грн
39+ 24.76 грн
106+ 23.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.33 грн
5000+ 16.72 грн
12500+ 15.48 грн
25000+ 14.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.82 грн
500+ 23.96 грн
1000+ 21.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4431cd.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 23531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.06 грн
10+ 44.74 грн
100+ 27.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY 1866582.pdf Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.48 грн
50+ 39.15 грн
100+ 30.82 грн
500+ 23.96 грн
1000+ 21.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 42348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+47.63 грн
10+ 40.25 грн
100+ 27.87 грн
500+ 21.85 грн
1000+ 18.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay si4431cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 Siliconix si4431cd.pdf P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 Vishay TSI4431cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
SI4431DY Fairchild Semiconductor FAIRS43880-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V
на замовлення 9069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 1268
SI4431DY SI4431DY ONSEMI FAIRS43880-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - SI4431DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 9069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1527+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 1527
SI4432-B1-FM SI4432-B1-FM Silicon Labs Si4430-32-B1_Rev10-10.pdf Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+762.09 грн
10+ 672.8 грн
25+ 611.65 грн
80+ 516.61 грн
230+ 473.55 грн
490+ 430.5 грн
980+ 381.1 грн
SI4432-B1-FM SI4432-B1-FM Silicon Labs Si4430_31_32-1397927.pdf RF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+824.23 грн
10+ 738.39 грн
25+ 532.33 грн
100+ 488.29 грн
250+ 443.6 грн
500+ 399.57 грн
2450+ 390.37 грн
SI4432-B1-FMR SI4432-B1-FMR SILICON LABS SILC-S-A0011283301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -121dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+809.48 грн
5+ 746.82 грн
SI4432-B1-FMR SI4432-B1-FMR SILICON LABS SILC-S-A0011283301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -121dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+746.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI4432-V2-FM SI4432-V2-FM Silicon Laboratories si4432.pdf RF ISM Transceiver FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.17 грн
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Vishay / Siliconix si4434ady.pdf MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.31 грн
10+ 115.63 грн
100+ 80.18 грн
250+ 74.26 грн
500+ 67.03 грн
1000+ 57.18 грн
2500+ 54.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4434ady.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.33 грн
5000+ 54.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4434ADY-T1-GE3 SI4434ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4434ady.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 9584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.38 грн
10+ 103.51 грн
100+ 82.35 грн
500+ 65.4 грн
1000+ 55.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4434dy.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.32 грн
5000+ 79.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Vishay Semiconductors si4434dy.pdf MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.32 грн
10+ 185.92 грн
100+ 130.12 грн
500+ 107.12 грн
1000+ 88.72 грн
2500+ 84.78 грн
5000+ 80.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Vishay si4434dy.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4434dy.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 10488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.1 грн
10+ 151.36 грн
100+ 120.46 грн
500+ 95.66 грн
1000+ 81.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4434DY-T1-E3 SI4434DY-T1-E3 Vishay si4434dy.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+153.29 грн
86+ 136.8 грн
100+ 130.98 грн
200+ 125.36 грн
500+ 109.15 грн
Мінімальне замовлення: 76
SI4434DY-T1-GE3 SI4434DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4434dy.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.32 грн
5000+ 79.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4434DY-T1-GE3 SI4434DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4434dy.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 17002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.1 грн
10+ 151.36 грн
100+ 120.46 грн
500+ 95.66 грн
1000+ 81.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4434DY-T1-GE3 SI4434DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4434dy.pdf MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 6499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.98 грн
10+ 160.22 грн
25+ 132.1 грн
100+ 113.04 грн
250+ 107.12 грн
500+ 99.24 грн
1000+ 83.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY SI4435DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.92 грн
39+ 20.69 грн
105+ 19.57 грн
1000+ 18.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY SI4435DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+33.88 грн
10+ 31.05 грн
39+ 24.83 грн
105+ 23.48 грн
1000+ 22.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.19 грн
14+ 44.14 грн
25+ 41.3 грн
100+ 29.71 грн
250+ 27.23 грн
500+ 22.14 грн
1000+ 15.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Vishay si4435ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+47.53 грн
262+ 44.48 грн
351+ 33.18 грн
355+ 31.67 грн
500+ 24.84 грн
1000+ 16.86 грн
Мінімальне замовлення: 245
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 6815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.92 грн
10+ 39.43 грн
100+ 27.29 грн
500+ 21.4 грн
1000+ 18.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.64 грн
500+ 25.6 грн
1000+ 20.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.95 грн
5000+ 16.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.47 грн
16+ 47.7 грн
100+ 29.64 грн
500+ 25.6 грн
1000+ 20.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI4432 wireless module
Код товару: 84546		 si4430-31-32.pdf
SI4432 wireless module
Модульні елементи > Радіомодулі
Функціональний опис: Приймач до 1000 метрів модуль; 240-960mhz; Frequency Range: 433.92M; Sensitivity up to-121dBm; Data transfer rate: 0.123-256kbps;
Живлення: 1,8 ... 3,6 V
Тип зв’язку: RF
Частота: 433 MHz
Інтерфейс: FIFO
у наявності: 11 шт
очікується: 50 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+170 грн
SI4430-B1-FM Si4430-32-B1_Rev10-10.pdf
SI4430-B1-FM
Виробник: Silicon Labs
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+713.04 грн
10+ 621.05 грн
Si4430BDY-T1-E3 si4430bd.pdf
Si4430BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 20A 0.0045Ohm
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.28 грн
10+ 104.3 грн
100+ 72.29 грн
500+ 60.79 грн
1000+ 57.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
Si4430BDY-T1-E3 si4430bd.pdf
Si4430BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.59 грн
10+ 93.38 грн
100+ 74.32 грн
500+ 59.02 грн
1000+ 50.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4430BDY-T1-GE3 si4430bd.pdf
SI4430BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.64 грн
10+ 108.83 грн
100+ 74.92 грн
250+ 72.29 грн
500+ 63.55 грн
1000+ 56.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4431-B1-FM Si4430_31_32-1397927.pdf
SI4431-B1-FM
Виробник: Silicon Labs
RF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+732.99 грн
10+ 657.52 грн
25+ 466.61 грн
100+ 433.09 грн
250+ 394.31 грн
500+ 354.88 грн
2450+ 354.23 грн
SI4431-B1-FM 2244900.pdf
SI4431-B1-FM
Виробник: SILICON LABS
Description: SILICON LABS - SI4431-B1-FM - HF-Transceiver, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 30mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -101dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+600.85 грн
10+ 513.11 грн
25+ 425.38 грн
50+ 378.57 грн
100+ 333.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4431-B1-FM Si4430-32-B1_Rev10-10.pdf
SI4431-B1-FM
Виробник: Silicon Labs
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+678.2 грн
10+ 598.39 грн
25+ 543.96 грн
80+ 459.44 грн
230+ 421.15 грн
490+ 382.87 грн
980+ 338.93 грн
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+67.09 грн
8+ 45.46 грн
22+ 36.35 грн
60+ 34.37 грн
500+ 33.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.51 грн
5+ 56.64 грн
22+ 43.62 грн
60+ 41.24 грн
500+ 40.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V (D-S) 7.5A
на замовлення 16109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.16 грн
10+ 55.55 грн
100+ 37.59 грн
500+ 31.87 грн
1000+ 25.96 грн
2500+ 25.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 39139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.98 грн
10+ 49.91 грн
100+ 38.84 грн
500+ 30.9 грн
1000+ 25.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.01 грн
5000+ 28.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.45 грн
5000+ 25.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.22 грн
5000+ 24.04 грн
12500+ 22.94 грн
25000+ 21.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431BDY-T1-GE3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V
на замовлення 12679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.29 грн
10+ 61.29 грн
100+ 41.47 грн
500+ 35.23 грн
1000+ 28.65 грн
2500+ 26.48 грн
5000+ 25.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4431BDY-T1-GE3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.96 грн
5000+ 26.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431BDY-T1-GE3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 6599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.38 грн
10+ 55.18 грн
100+ 42.9 грн
500+ 34.13 грн
1000+ 27.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4431CDY-T1-E3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 18434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.04 грн
10+ 48.67 грн
100+ 30.49 грн
500+ 26.81 грн
1000+ 23.72 грн
2500+ 22.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4431CDY-T1-E3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 6907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.54 грн
10+ 53.4 грн
100+ 41.56 грн
500+ 33.06 грн
1000+ 26.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4431CDY-T1-E3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.06 грн
5000+ 25.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+57.5 грн
12+ 29.98 грн
25+ 27.04 грн
39+ 20.63 грн
106+ 19.5 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.01 грн
7+ 37.37 грн
25+ 32.45 грн
39+ 24.76 грн
106+ 23.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.33 грн
5000+ 16.72 грн
12500+ 15.48 грн
25000+ 14.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+30.82 грн
500+ 23.96 грн
1000+ 21.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 23531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.06 грн
10+ 44.74 грн
100+ 27.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4431CDY-T1-GE3 1866582.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+47.48 грн
50+ 39.15 грн
100+ 30.82 грн
500+ 23.96 грн
1000+ 21.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 42348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+47.63 грн
10+ 40.25 грн
100+ 27.87 грн
500+ 21.85 грн
1000+ 18.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 Vishay TSI4431cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 30
SI4431DY FAIRS43880-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V
на замовлення 9069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1268+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 1268
SI4431DY FAIRS43880-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SI4431DY
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4431DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 9069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1527+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 1527
SI4432-B1-FM Si4430-32-B1_Rev10-10.pdf
SI4432-B1-FM
Виробник: Silicon Labs
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+762.09 грн
10+ 672.8 грн
25+ 611.65 грн
80+ 516.61 грн
230+ 473.55 грн
490+ 430.5 грн
980+ 381.1 грн
SI4432-B1-FM Si4430_31_32-1397927.pdf
SI4432-B1-FM
Виробник: Silicon Labs
RF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+824.23 грн
10+ 738.39 грн
25+ 532.33 грн
100+ 488.29 грн
250+ 443.6 грн
500+ 399.57 грн
2450+ 390.37 грн
SI4432-B1-FMR SILC-S-A0011283301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4432-B1-FMR
Виробник: SILICON LABS
Description: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -121dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+809.48 грн
5+ 746.82 грн
SI4432-B1-FMR SILC-S-A0011283301-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4432-B1-FMR
Виробник: SILICON LABS
Description: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -121dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+746.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI4432-V2-FM si4432.pdf
SI4432-V2-FM
Виробник: Silicon Laboratories
RF ISM Transceiver FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+466.17 грн
SI4434ADY-T1-GE3 si4434ady.pdf
SI4434ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.31 грн
10+ 115.63 грн
100+ 80.18 грн
250+ 74.26 грн
500+ 67.03 грн
1000+ 57.18 грн
2500+ 54.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4434ADY-T1-GE3 si4434ady.pdf
SI4434ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+58.33 грн
5000+ 54.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4434ADY-T1-GE3 si4434ady.pdf
SI4434ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 9584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.38 грн
10+ 103.51 грн
100+ 82.35 грн
500+ 65.4 грн
1000+ 55.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+85.32 грн
5000+ 79.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.32 грн
10+ 185.92 грн
100+ 130.12 грн
500+ 107.12 грн
1000+ 88.72 грн
2500+ 84.78 грн
5000+ 80.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 10488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+189.1 грн
10+ 151.36 грн
100+ 120.46 грн
500+ 95.66 грн
1000+ 81.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4434DY-T1-E3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
76+153.29 грн
86+ 136.8 грн
100+ 130.98 грн
200+ 125.36 грн
500+ 109.15 грн
Мінімальне замовлення: 76
SI4434DY-T1-GE3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+85.32 грн
5000+ 79.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4434DY-T1-GE3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 17002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+189.1 грн
10+ 151.36 грн
100+ 120.46 грн
500+ 95.66 грн
1000+ 81.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4434DY-T1-GE3 si4434dy.pdf
SI4434DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 6499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.98 грн
10+ 160.22 грн
25+ 132.1 грн
100+ 113.04 грн
250+ 107.12 грн
500+ 99.24 грн
1000+ 83.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+24.92 грн
39+ 20.69 грн
105+ 19.57 грн
1000+ 18.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+33.88 грн
10+ 31.05 грн
39+ 24.83 грн
105+ 23.48 грн
1000+ 22.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4435DDY-T1-E3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+47.19 грн
14+ 44.14 грн
25+ 41.3 грн
100+ 29.71 грн
250+ 27.23 грн
500+ 22.14 грн
1000+ 15.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
SI4435DDY-T1-E3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
245+47.53 грн
262+ 44.48 грн
351+ 33.18 грн
355+ 31.67 грн
500+ 24.84 грн
1000+ 16.86 грн
Мінімальне замовлення: 245
SI4435DDY-T1-E3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 6815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.92 грн
10+ 39.43 грн
100+ 27.29 грн
500+ 21.4 грн
1000+ 18.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4435DDY-T1-E3 VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4435DDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+29.64 грн
500+ 25.6 грн
1000+ 20.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4435DDY-T1-E3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.95 грн
5000+ 16.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435DDY-T1-E3 VISH-S-A0002474556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4435DDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+56.47 грн
16+ 47.7 грн
100+ 29.64 грн
500+ 25.6 грн
1000+ 20.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]