Результат пошуку "si443" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 1268
Мінімальне замовлення: 1527
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 76
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 245
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 14
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI4432 wireless module Код товару: 84546 |
Модульні елементи > Радіомодулі Функціональний опис: Приймач до 1000 метрів модуль; 240-960mhz; Frequency Range: 433.92M; Sensitivity up to-121dBm; Data transfer rate: 0.123-256kbps; Живлення: 1,8 ... 3,6 V Тип зв’язку: RF Частота: 433 MHz Інтерфейс: FIFO |
у наявності: 11 шт
очікується:
50 шт
|
|
||||||||||||||||
SI4430-B1-FM | Silicon Labs |
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 900MHz ~ 960MHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm (Max) Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 3 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Si4430BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V 20A 0.0045Ohm |
на замовлення 2365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Si4430BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V |
на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4430BDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V |
на замовлення 2438 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431-B1-FM | Silicon Labs | RF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431-B1-FM | SILICON LABS |
Description: SILICON LABS - SI4431-B1-FM - HF-Transceiver, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.6V, QFN-20 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 30mA Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 13dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung usEccn: 5A991.b.4.b Frequenz, min.: 240MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfangsstrom: 18.5mA Empfindlichkeit (dBm): -101dBm euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 256Kbps productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 930MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431-B1-FM | Silicon Labs |
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm (Max) Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 3 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431BDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 0.9W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431BDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.7A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 0.9W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1462 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V (D-S) 7.5A |
на замовлення 16109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V |
на замовлення 39139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431BDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V |
на замовлення 12679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V |
на замовлення 6599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431CDY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 18434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V |
на замовлення 6907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.2A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 2.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.2A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 2.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1694 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431CDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
SI4431CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431CDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 10269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431CDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 23531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 10269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431CDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V |
на замовлення 42348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431CDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431CDY-T1-GE3 | Siliconix |
P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 Vishay TSI4431cdy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431DY | Fairchild Semiconductor |
Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V |
на замовлення 9069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4431DY | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SI4431DY - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 |
на замовлення 9069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4432-B1-FM | Silicon Labs |
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -121dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 240MHz ~ 930MHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 20dBm (Max) Current - Receiving: 18.5mA Data Rate (Max): 256kbps Current - Transmitting: 85mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 3 Modulation: FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4432-B1-FM | Silicon Labs | RF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4432-B1-FMR | SILICON LABS |
Description: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 85mA Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 20dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme usEccn: 5A991.b.4.b Frequenz, min.: 240MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfangsstrom: 18.5mA Empfindlichkeit (dBm): -121dBm euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 256Kbps productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 930MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 1529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4432-B1-FMR | SILICON LABS |
Description: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 85mA Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 20dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme usEccn: 5A991.b.4.b Frequenz, min.: 240MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfangsstrom: 18.5mA Empfindlichkeit (dBm): -121dBm euEccn: NLR HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 256Kbps productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 930MHz Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 1529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4432-V2-FM | Silicon Laboratories | RF ISM Transceiver FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4434ADY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 4360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4434ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4434ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V |
на замовлення 9584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4434DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4434DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4434DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
SI4434DY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V |
на замовлення 10488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4434DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4434DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4434DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V |
на замовлення 17002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4434DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 6499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4435DDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.5A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4435DDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.5A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1635 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4435DDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4435DDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4435DDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
на замовлення 6815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4435DDY-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm |
на замовлення 2006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4435DDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4435DDY-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 11.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm |
на замовлення 2006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
SI4432 wireless module Код товару: 84546 |
Модульні елементи > Радіомодулі
Функціональний опис: Приймач до 1000 метрів модуль; 240-960mhz; Frequency Range: 433.92M; Sensitivity up to-121dBm; Data transfer rate: 0.123-256kbps;
Живлення: 1,8 ... 3,6 V
Тип зв’язку: RF
Частота: 433 MHz
Інтерфейс: FIFO
Функціональний опис: Приймач до 1000 метрів модуль; 240-960mhz; Frequency Range: 433.92M; Sensitivity up to-121dBm; Data transfer rate: 0.123-256kbps;
Живлення: 1,8 ... 3,6 V
Тип зв’язку: RF
Частота: 433 MHz
Інтерфейс: FIFO
у наявності: 11 шт
очікується:
50 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 170 грн |
SI4430-B1-FM |
Виробник: Silicon Labs
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 900MHz ~ 960MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 713.04 грн |
10+ | 621.05 грн |
Si4430BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 20A 0.0045Ohm
MOSFET 30V 20A 0.0045Ohm
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 127.28 грн |
10+ | 104.3 грн |
100+ | 72.29 грн |
500+ | 60.79 грн |
1000+ | 57.44 грн |
Si4430BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.59 грн |
10+ | 93.38 грн |
100+ | 74.32 грн |
500+ | 59.02 грн |
1000+ | 50.08 грн |
SI4430BDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V
MOSFET 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 132.64 грн |
10+ | 108.83 грн |
100+ | 74.92 грн |
250+ | 72.29 грн |
500+ | 63.55 грн |
1000+ | 56.78 грн |
SI4431-B1-FM |
Виробник: Silicon Labs
RF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver
RF Transceiver +13 dBm sub-GHz Transceiver
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 732.99 грн |
10+ | 657.52 грн |
25+ | 466.61 грн |
100+ | 433.09 грн |
250+ | 394.31 грн |
500+ | 354.88 грн |
2450+ | 354.23 грн |
SI4431-B1-FM |
Виробник: SILICON LABS
Description: SILICON LABS - SI4431-B1-FM - HF-Transceiver, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 30mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -101dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: SILICON LABS - SI4431-B1-FM - HF-Transceiver, 240MHz bis 930MHz, FSK, GFSK, OOK, 256kB/s, 13dBm Ausgang, 1.8V bis 3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 30mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 13dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -101dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 600.85 грн |
10+ | 513.11 грн |
25+ | 425.38 грн |
50+ | 378.57 грн |
100+ | 333.65 грн |
SI4431-B1-FM |
Виробник: Silicon Labs
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 13dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 17mA ~ 30mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 678.2 грн |
10+ | 598.39 грн |
25+ | 543.96 грн |
80+ | 459.44 грн |
230+ | 421.15 грн |
490+ | 382.87 грн |
980+ | 338.93 грн |
SI4431BDY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 67.09 грн |
8+ | 45.46 грн |
22+ | 36.35 грн |
60+ | 34.37 грн |
500+ | 33.82 грн |
SI4431BDY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A; 0.9W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.51 грн |
5+ | 56.64 грн |
22+ | 43.62 грн |
60+ | 41.24 грн |
500+ | 40.58 грн |
SI4431BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V (D-S) 7.5A
MOSFET 30V (D-S) 7.5A
на замовлення 16109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 69.16 грн |
10+ | 55.55 грн |
100+ | 37.59 грн |
500+ | 31.87 грн |
1000+ | 25.96 грн |
2500+ | 25.43 грн |
SI4431BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 39139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.98 грн |
10+ | 49.91 грн |
100+ | 38.84 грн |
500+ | 30.9 грн |
1000+ | 25.17 грн |
SI4431BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 19.24 грн |
SI4431BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 31.01 грн |
5000+ | 28.18 грн |
SI4431BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 28.45 грн |
5000+ | 25.86 грн |
SI4431BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 26.22 грн |
5000+ | 24.04 грн |
12500+ | 22.94 грн |
25000+ | 21.48 грн |
SI4431BDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V
MOSFET 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V
на замовлення 12679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.29 грн |
10+ | 61.29 грн |
100+ | 41.47 грн |
500+ | 35.23 грн |
1000+ | 28.65 грн |
2500+ | 26.48 грн |
5000+ | 25.7 грн |
SI4431BDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 28.96 грн |
5000+ | 26.56 грн |
SI4431BDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Description: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 6599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.38 грн |
10+ | 55.18 грн |
100+ | 42.9 грн |
500+ | 34.13 грн |
1000+ | 27.8 грн |
SI4431CDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 18434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 57.04 грн |
10+ | 48.67 грн |
100+ | 30.49 грн |
500+ | 26.81 грн |
1000+ | 23.72 грн |
2500+ | 22.28 грн |
SI4431CDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 6907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.54 грн |
10+ | 53.4 грн |
100+ | 41.56 грн |
500+ | 33.06 грн |
1000+ | 26.93 грн |
SI4431CDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 28.06 грн |
5000+ | 25.73 грн |
SI4431CDY-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 57.5 грн |
12+ | 29.98 грн |
25+ | 27.04 грн |
39+ | 20.63 грн |
106+ | 19.5 грн |
SI4431CDY-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A; 2.7W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 69.01 грн |
7+ | 37.37 грн |
25+ | 32.45 грн |
39+ | 24.76 грн |
106+ | 23.4 грн |
SI4431CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SI4431CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 18.33 грн |
5000+ | 16.72 грн |
12500+ | 15.48 грн |
25000+ | 14.39 грн |
SI4431CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 16.77 грн |
SI4431CDY-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 30.82 грн |
500+ | 23.96 грн |
1000+ | 21.86 грн |
SI4431CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 23531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 52.06 грн |
10+ | 44.74 грн |
100+ | 27.08 грн |
SI4431CDY-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SI4431CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 47.48 грн |
50+ | 39.15 грн |
100+ | 30.82 грн |
500+ | 23.96 грн |
1000+ | 21.86 грн |
SI4431CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 15.87 грн |
SI4431CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
на замовлення 42348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 47.63 грн |
10+ | 40.25 грн |
100+ | 27.87 грн |
500+ | 21.85 грн |
1000+ | 18.6 грн |
SI4431CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 18.27 грн |
SI4431CDY-T1-GE3 |
Виробник: Siliconix
P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 Vishay TSI4431cdy
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 30V 9A 2.5W 32mΩ SI4431CDY-T1-GE3 Vishay TSI4431cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 20.47 грн |
SI4431DY |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V
Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V
на замовлення 9069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1268+ | 15.76 грн |
SI4431DY |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI4431DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - SI4431DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 9069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1527+ | 17.03 грн |
SI4432-B1-FM |
Виробник: Silicon Labs
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20VFQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -121dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 240MHz ~ 930MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 18.5mA
Data Rate (Max): 256kbps
Current - Transmitting: 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 3
Modulation: FSK, GFSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 762.09 грн |
10+ | 672.8 грн |
25+ | 611.65 грн |
80+ | 516.61 грн |
230+ | 473.55 грн |
490+ | 430.5 грн |
980+ | 381.1 грн |
SI4432-B1-FM |
Виробник: Silicon Labs
RF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
RF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 824.23 грн |
10+ | 738.39 грн |
25+ | 532.33 грн |
100+ | 488.29 грн |
250+ | 443.6 грн |
500+ | 399.57 грн |
2450+ | 390.37 грн |
SI4432-B1-FMR |
Виробник: SILICON LABS
Description: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -121dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -121dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 809.48 грн |
5+ | 746.82 грн |
SI4432-B1-FMR |
Виробник: SILICON LABS
Description: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -121dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: SILICON LABS - SI4432-B1-FMR - HF-Transceiver, ISM, 240MHz bis 930MHz, -121dBm, (G)FSK, OOM, 123B/s bis 256kB/s, QFN-20
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Hausautomatisierung, Fernsteuerung und -messung, RKE-Systeme (Remote Keyless Entry), Sicherheitssysteme
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenz, min.: 240MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 18.5mA
Empfindlichkeit (dBm): -121dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: FSK, GFSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 256Kbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 930MHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 746.82 грн |
SI4432-V2-FM |
Виробник: Silicon Laboratories
RF ISM Transceiver FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray
RF ISM Transceiver FSK/GFSK/OOK 3V Automotive 20-Pin QFN EP Tray
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 466.17 грн |
SI4434ADY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 140.31 грн |
10+ | 115.63 грн |
100+ | 80.18 грн |
250+ | 74.26 грн |
500+ | 67.03 грн |
1000+ | 57.18 грн |
2500+ | 54.28 грн |
SI4434ADY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 58.33 грн |
5000+ | 54.06 грн |
SI4434ADY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
Description: MOSFET N-CH 250V 2.8A/4.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 125 V
на замовлення 9584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 129.38 грн |
10+ | 103.51 грн |
100+ | 82.35 грн |
500+ | 65.4 грн |
1000+ | 55.49 грн |
SI4434DY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 85.32 грн |
5000+ | 79.07 грн |
SI4434DY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 209.32 грн |
10+ | 185.92 грн |
100+ | 130.12 грн |
500+ | 107.12 грн |
1000+ | 88.72 грн |
2500+ | 84.78 грн |
5000+ | 80.83 грн |
SI4434DY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SI4434DY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 10488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 189.1 грн |
10+ | 151.36 грн |
100+ | 120.46 грн |
500+ | 95.66 грн |
1000+ | 81.17 грн |
SI4434DY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
76+ | 153.29 грн |
86+ | 136.8 грн |
100+ | 130.98 грн |
200+ | 125.36 грн |
500+ | 109.15 грн |
SI4434DY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 85.32 грн |
5000+ | 79.07 грн |
SI4434DY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 17002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 189.1 грн |
10+ | 151.36 грн |
100+ | 120.46 грн |
500+ | 95.66 грн |
1000+ | 81.17 грн |
SI4434DY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET 250V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 6499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 193.98 грн |
10+ | 160.22 грн |
25+ | 132.1 грн |
100+ | 113.04 грн |
250+ | 107.12 грн |
500+ | 99.24 грн |
1000+ | 83.46 грн |
SI4435DDY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 24.92 грн |
39+ | 20.69 грн |
105+ | 19.57 грн |
1000+ | 18.83 грн |
SI4435DDY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 33.88 грн |
10+ | 31.05 грн |
39+ | 24.83 грн |
105+ | 23.48 грн |
1000+ | 22.59 грн |
SI4435DDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 47.19 грн |
14+ | 44.14 грн |
25+ | 41.3 грн |
100+ | 29.71 грн |
250+ | 27.23 грн |
500+ | 22.14 грн |
1000+ | 15.65 грн |
SI4435DDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
245+ | 47.53 грн |
262+ | 44.48 грн |
351+ | 33.18 грн |
355+ | 31.67 грн |
500+ | 24.84 грн |
1000+ | 16.86 грн |
SI4435DDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 6815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 46.92 грн |
10+ | 39.43 грн |
100+ | 27.29 грн |
500+ | 21.4 грн |
1000+ | 18.21 грн |
SI4435DDY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 29.64 грн |
500+ | 25.6 грн |
1000+ | 20.09 грн |
SI4435DDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 17.95 грн |
5000+ | 16.38 грн |
SI4435DDY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
Description: VISHAY - SI4435DDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 56.47 грн |
16+ | 47.7 грн |
100+ | 29.64 грн |
500+ | 25.6 грн |
1000+ | 20.09 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]