Продукція > 2V7

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2V7002Konsemionsemi NFET SOT23 60V 115MA 7MO
товар відсутній
2V7002KT1GonsemiMOSFET NFET 60V 115MA 7MO
на замовлення 70592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.92 грн
21+ 14.59 грн
100+ 5.45 грн
1000+ 3.72 грн
3000+ 3.19 грн
9000+ 2.66 грн
24000+ 2.59 грн
Мінімальне замовлення: 15
2V7002KT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
2V7002KT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
2V7002KT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2V7002KT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1430+8.14 грн
1444+ 8.06 грн
1715+ 6.79 грн
2738+ 4.1 грн
Мінімальне замовлення: 1430
2V7002KT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.84 грн
21+ 13.77 грн
100+ 6.7 грн
500+ 5.25 грн
1000+ 3.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
2V7002KT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2V7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
на замовлення 135428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
2V7002KT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+13.92 грн
47+ 12.29 грн
56+ 10.37 грн
105+ 5.32 грн
250+ 4.88 грн
500+ 4.64 грн
1000+ 3.39 грн
3000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 42
2V7002KT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.5 грн
6000+ 3.12 грн
9000+ 2.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2V7002KT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2V7002KT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.19 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
на замовлення 135428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.99 грн
42+ 18.11 грн
109+ 6.85 грн
500+ 6.23 грн
Мінімальне замовлення: 32
2V7002KT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3068+3.8 грн
9000+ 2.96 грн
24000+ 2.95 грн
45000+ 2.62 грн
99000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3068
2V7002KT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.52 грн
9000+ 2.92 грн
24000+ 2.87 грн
45000+ 2.49 грн
99000+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2V7002KT1G 704ON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SOT-23 2V7002KT1G T2V7002K
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 200
2V7002LT1ON SemiconductorSmall Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N-Channel SOT-23
товар відсутній
2V7002LT1G
Код товару: 154370		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
2V7002LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.115A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7.5Ω
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.52 грн
45+ 6.19 грн
100+ 5.27 грн
210+ 4.57 грн
580+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
2V7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2V7002LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2V7002LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 7553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.3 грн
14+ 21.24 грн
100+ 11.26 грн
500+ 6.95 грн
1000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
2V7002LT1GonsemiMOSFET NFET 60V 115MA 7.5O
на замовлення 206323 шт:
термін постачання 747-756 дні (днів)
11+29.53 грн
14+ 22.99 грн
100+ 8.64 грн
1000+ 4.85 грн
3000+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
2V7002LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.115A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7.5Ω
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.43 грн
70+ 4.97 грн
100+ 4.39 грн
210+ 3.81 грн
580+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 40
2V7002LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.72 грн
6000+ 3.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2V7002LT1GON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 2V7002LT1G T2V7002
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
2V7002LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товар відсутній
2V7002LT3GON SemiconductorMOSFET NFET 60V 115MA 7.5O
на замовлення 26128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2V7002LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.59 грн
16+ 17.51 грн
100+ 8.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
2V7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2V7002LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2V7002Wonsemionsemi NFET SC70 60V 115MA 7OHM
товар відсутній
2V7002WT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2V7002WT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
товар відсутній
2V7002WT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.4A; 0.28W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
2V7002WT1GonsemiMOSFET NFET 60V 115MA 7OHM
на замовлення 25325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.26 грн
18+ 17.65 грн
100+ 9.7 грн
1000+ 4.32 грн
3000+ 3.72 грн
9000+ 2.86 грн
24000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
2V7002WT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.4A; 0.28W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2V7002WT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2V7002WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2V7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.19 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 280mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280mW
Bauform - Transistor: SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.92 грн
31+ 24.14 грн
100+ 11.7 грн
500+ 7.2 грн
1000+ 4.54 грн
3000+ 4.45 грн
6000+ 4.36 грн
12000+ 4.27 грн
Мінімальне замовлення: 25
2V7002WT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
2V7002WT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V
товар відсутній
2V7002WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2V7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1.19 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 280mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.2 грн
1000+ 4.54 грн
3000+ 4.45 грн
6000+ 4.36 грн
12000+ 4.27 грн
Мінімальне замовлення: 500