Продукція > AIK

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AIKN/A06+
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIK12F02AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK12F02AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK12F02AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
товар відсутній
AIK12F02AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK12N04AN024-2MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
AIK12N04AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK12N04AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK12N04AN024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
AIK12N04AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR M12-S4.0-NF-1030VD
товар відсутній
AIK12N04AP024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AIK12N04AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18F05AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK18F05AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK18F05AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK18F05AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK18N08AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AN024-2MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3765.91 грн
AIK18N08AN024-5MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE CYLINDER
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3934.05 грн
AIK18N08AN024-5MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AN024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4255.96 грн
AIK18N08AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AP024-2MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Nickel-Plated Brass
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13
Indicator: LED
Response Frequency: 500Hz
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4070.58 грн
10+ 3300.81 грн
25+ 3094.53 грн
AIK18N08AP024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4255.96 грн
AIK18N08AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK30F10AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
товар відсутній
AIK30F10AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
товар відсутній
AIK30F10AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
товар відсутній
AIK30F10AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
товар відсутній
AIK30N15AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK30N15AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK30N15AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK30N15AP024-Q65AltechProximity Sensors Proximity Sensor-M30 S15-NF-1030VDC250MA
товар відсутній
AIKB0VENTIONCategory: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt.
Description: Adapter; HDMI 1.4; DVI-I (24+5) socket,HDMI plug; black
Type of transition: adapter
Version: HDMI 1.4
Cable/adapter structure: DVI-I (24+5) socket; HDMI plug
Colour: black
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+173.62 грн
5+ 134.93 грн
7+ 127.32 грн
10+ 116.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB0VENTIONCategory: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt.
Description: Adapter; HDMI 1.4; DVI-I (24+5) socket,HDMI plug; black
Type of transition: adapter
Version: HDMI 1.4
Cable/adapter structure: DVI-I (24+5) socket; HDMI plug
Colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+208.35 грн
5+ 168.14 грн
7+ 152.78 грн
10+ 139.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.49 грн
10+ 218.47 грн
25+ 188.65 грн
100+ 154.11 грн
250+ 152.78 грн
500+ 136.84 грн
1000+ 116.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.87 грн
10+ 196.3 грн
100+ 158.79 грн
500+ 132.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DF5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.58 грн
10+ 270.49 грн
25+ 255.59 грн
100+ 195.13 грн
500+ 160.95 грн
1000+ 148.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.5 грн
2000+ 113.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686020
товар відсутній
AIKB15N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DF5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+195.13 грн
500+ 160.95 грн
1000+ 148.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB15N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+186.82 грн
500+ 154.57 грн
1000+ 137.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686016
товар відсутній
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.87 грн
10+ 196.3 грн
100+ 158.79 грн
500+ 132.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.49 грн
10+ 218.47 грн
25+ 188.65 грн
100+ 154.11 грн
250+ 152.78 грн
500+ 136.84 грн
1000+ 116.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.91 грн
10+ 259.32 грн
25+ 245.16 грн
100+ 186.82 грн
500+ 154.57 грн
1000+ 137.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.5 грн
2000+ 113.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+138.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.19 грн
10+ 236.81 грн
25+ 193.96 грн
100+ 166.06 грн
250+ 156.76 грн
500+ 147.47 грн
1000+ 125.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB20N60CTATMA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.71 грн
10+ 195.98 грн
100+ 157.97 грн
500+ 138.39 грн
1000+ 108.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB20N60CTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.99 грн
10+ 227.02 грн
25+ 214.58 грн
100+ 174.53 грн
250+ 165.58 грн
500+ 148.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKB20N60CTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB20N60CTATMA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.97 грн
500+ 138.39 грн
1000+ 108.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB30N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+173.62 грн
500+ 148.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns
Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
товар відсутній
AIKB30N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.38 грн
10+ 212.37 грн
100+ 173.62 грн
500+ 148.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesSP001612750
товар відсутній
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+337.11 грн
10+ 293.34 грн
25+ 241.13 грн
100+ 207.91 грн
250+ 197.95 грн
500+ 180.01 грн
1000+ 152.78 грн
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns
Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.41 грн
10+ 268.68 грн
25+ 254 грн
100+ 206.57 грн
250+ 195.98 грн
500+ 175.85 грн
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.41 грн
10+ 251.17 грн
100+ 203.18 грн
500+ 169.49 грн
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001612746
товар відсутній
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.86 грн
10+ 284.93 грн
100+ 200.61 грн
500+ 178.69 грн
1000+ 152.78 грн
2000+ 140.82 грн
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB40N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.39 грн
10+ 177.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товар відсутній
AIKB40N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 74A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+177.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товар відсутній
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesLow Loss DuoPack, IGBT in TRENCHSTOPTM, fast recovery anti-parallel diode,Automotive AEC Q101 qualified,650V 20A
товар відсутній
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.01 грн
10+ 328.48 грн
100+ 231.16 грн
500+ 205.26 грн
1000+ 186.66 грн
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686008
товар відсутній
AIKB40N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 74A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+221.31 грн
500+ 193.05 грн
1000+ 152.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.25 грн
10+ 267.43 грн
100+ 216.37 грн
500+ 180.49 грн
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.81 грн
10+ 297.16 грн
25+ 251.09 грн
100+ 208.58 грн
250+ 202.6 грн
500+ 185.99 грн
1000+ 158.76 грн
AIKB40N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+382.27 грн
10+ 273.47 грн
100+ 221.31 грн
500+ 193.05 грн
1000+ 152.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товар відсутній
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686004
товар відсутній
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+234.71 грн
2000+ 211.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.48 грн
10+ 380.42 грн
25+ 330.14 грн
100+ 275.67 грн
250+ 275 грн
500+ 242.45 грн
1000+ 217.88 грн
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.88 грн
10+ 341.54 грн
100+ 284.62 грн
500+ 235.68 грн
AIKB50N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 305W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+305.52 грн
500+ 256.71 грн
1000+ 209.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+234.71 грн
2000+ 211.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686000
товар відсутній
AIKB50N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.67 грн
10+ 360.66 грн
100+ 305.52 грн
500+ 256.71 грн
1000+ 209.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.48 грн
10+ 380.42 грн
25+ 328.14 грн
100+ 275.67 грн
250+ 275 грн
500+ 243.12 грн
1000+ 217.88 грн
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.88 грн
10+ 341.54 грн
100+ 284.62 грн
500+ 235.68 грн
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 0.12mJ (on), 0.09mJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+831.36 грн
10+ 705.5 грн
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesSIC_DISCRETE
товар відсутній
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC_DISCRETE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+911.36 грн
10+ 792.16 грн
20+ 670.24 грн
50+ 632.37 грн
100+ 595.84 грн
200+ 577.24 грн
500+ 540.04 грн
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 0.12mJ (on), 0.09mJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKC76753N/A
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKD31551N/A
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKP20N60CTInfineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 14130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+124.74 грн
Мінімальне замовлення: 160
AIKP20N60CTAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 406 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+330.85 грн
3+ 281.96 грн
5+ 234.98 грн
12+ 222.53 грн
250+ 214.22 грн
AIKP20N60CTAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.71 грн
3+ 226.26 грн
5+ 195.82 грн
12+ 185.44 грн
250+ 178.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
товар відсутній
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
товар відсутній
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKQ100N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+971.03 грн
10+ 843.34 грн
25+ 712.75 грн
50+ 673.56 грн
100+ 633.7 грн
240+ 613.11 грн
480+ 526.76 грн
AIKQ100N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKQ100N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V
Gate Charge: 610 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 714 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+894.59 грн
10+ 791.3 грн
30+ 758.5 грн
120+ 627.17 грн
AIKQ100N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 100A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 68ns
Turn-off time: 321ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
AIKQ100N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 100A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 68ns
Turn-off time: 321ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKQ120N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 772 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+939.86 грн
10+ 831.29 грн
30+ 796.83 грн
120+ 658.87 грн
AIKQ120N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
AIKQ120N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKQ120N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1020.63 грн
10+ 903.69 грн
25+ 759.25 грн
50+ 736 грн
100+ 672.23 грн
240+ 600.49 грн
480+ 573.25 грн
AIKQ120N60CTXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
AIKQ120N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 71ns/244ns
Switching Energy: 6.82mJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 470V, 120A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 731 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 682 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+969.32 грн
10+ 857.86 грн
30+ 822.3 грн
120+ 679.93 грн
AIKQ120N75CP2XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKQ120N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 150 A, 1.3 V, 682 W, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1180.34 грн
10+ 1067.07 грн
25+ 900.9 грн
AIKQ120N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1064.03 грн
10+ 941.88 грн
25+ 791.13 грн
50+ 767.22 грн
100+ 700.79 грн
240+ 686.84 грн
480+ 629.72 грн
AIKQ120N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT and Emitter Controlled Diode Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKQ200N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKQ200N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 750V 200A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 89ns/266ns
Switching Energy: 15.3mJ (on), 7mJ (off)
Gate Charge: 1256 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 576 W
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1368.83 грн
30+ 1092.87 грн
120+ 1024.57 грн
AIKQ200N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1487.16 грн
10+ 1303.21 грн
25+ 1090.05 грн
50+ 1072.11 грн
100+ 991.07 грн
240+ 956.53 грн
480+ 849.59 грн
AIKRI-22X-10LD-3eInfochipsAikri-22X-10LS System on Module - SOM Development Kit 2000MHz CPU Kernel 5.4/Linux/Yocto Dunfell
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35660.14 грн
2+ 33072.69 грн
AIKRI-22X-90AD-4eInfochipsAikri-22X-90AS System on Module - SOM Development Kit 2000MHz CPU Android 12/Kernel 4.19
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+38851.46 грн
2+ 36076.35 грн
AIKRI-22X-90AS-4eInfochipsQCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8472.72 грн
AIKRI-22X-90AS-4-1eInfochipsQCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC, No GPS.
товар відсутній
AIKRI-42X-10LD-3eInfochipsAikri-42X-10LS System on Module - SOM Development Kit 1800MHz/2000MHz CPU Kernel 5.4/Linux/Yocto Dunfell
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35143.24 грн
2+ 32593.43 грн
AIKRI-42X-10LS-3eInfochipsQRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8564.94 грн
AIKRI-42X-10LS-3-1eInfochipsQRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC, No GPS.
товар відсутній
AIKRI-42X-90AD-4eInfochipsDev kit with QCS4290 processor based SoM.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+36266.17 грн
2+ 33675.73 грн
AIKRI-42X-90AS-4eInfochipsQCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9394.16 грн
AIKRI-42X-90AS-4-1eInfochipsQCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC, No GPS.
товар відсутній
AIKRI-51X-65LD-8eInfochipsDev kit with QRB5165 processor based SoM.
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+67054.08 грн
AIKRI-51X-65LS-8eInfochipsQRB5165 processor, Linux OS, 8GB LPDDR5, 64GB UFS.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30932.84 грн
2+ 28611.09 грн
AIKRI-54X-30MS-8eInfochipsQCS5430 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 128GB UFS
товар відсутній
AIKRI-82X-50AD-8eInfochipsDev kit with QCS8250 processor based SoM.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+67089.73 грн
2+ 62034.23 грн
AIKRI-82X-50AS-8eInfochipsQCS8250 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 64GB UFS.
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26758.09 грн
AIKRI-85X-50LS-12-3eInfochipsQCS8550 processor, Linux OS, 12GB LPDDR5, 1TB UFS. For Leica Oscar
товар відсутній
AIKRI-X10-4S-4eInfochipsQCS410 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9041.55 грн
3+ 8395.72 грн
AIKRI-X10-6D-4eInfochipsDev kit with QCS610 processor based SoM.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40879.55 грн
2+ 37837.25 грн
AIKRI-X10-6S-2eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC..
товар відсутній
AIKRI-X10-6S-2-2eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec).
товар відсутній
AIKRI-X10-6S-4eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9070.22 грн
AIKRI-X10-6S-4-2eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec).
товар відсутній
AIKW20N60CTInfineon TechnologiesInfineon DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.91 грн
10+ 388.06 грн
25+ 319.51 грн
100+ 283.64 грн
240+ 258.4 грн
AIKW20N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW30N60CTInfineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKW30N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW30N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW30N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.06 грн
10+ 405.63 грн
25+ 332.79 грн
100+ 286.96 грн
240+ 214.56 грн
1200+ 203.93 грн
AIKW30N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW30N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.6 грн
10+ 377.94 грн
AIKW30N60CTXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW30N60CTXKSA1 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 187W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+564.83 грн
10+ 465.73 грн
25+ 381.52 грн
240+ 353.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKW40N65DF5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
товар відсутній
AIKW40N65DH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+635.47 грн
10+ 566.05 грн
25+ 469.63 грн
100+ 399.88 грн
240+ 381.28 грн
480+ 302.9 грн
AIKW40N65DH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 74 A, 1.66 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.56 грн
5+ 385.25 грн
10+ 356.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKW40N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesAIKW40N65DH5XKSA1
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-Parallel Diode Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW50N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW50N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW50N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW50N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+666.81 грн
10+ 580.12 грн
30+ 553.16 грн
120+ 450.76 грн
270+ 430.5 грн
AIKW50N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+724.59 грн
10+ 611.88 грн
25+ 482.25 грн
100+ 443.06 грн
240+ 365.34 грн
480+ 352.06 грн
AIKW50N65DF5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW50N65DF5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+800.3 грн
10+ 679.59 грн
25+ 562.6 грн
240+ 466.36 грн
AIKW50N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.89 грн
10+ 528.78 грн
30+ 504.17 грн
120+ 410.82 грн
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed fast IGBT Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed fast IGBT
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+660.27 грн
10+ 558.41 грн
25+ 413.17 грн
100+ 388.59 грн
240+ 351.39 грн
480+ 320.84 грн
5040+ 305.56 грн
AIKW50N65DH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+703.67 грн
10+ 594.31 грн
25+ 468.97 грн
100+ 395.9 грн
240+ 341.43 грн
AIKW50N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed fast IGBT Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed fast IGBT
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1
Код товару: 168638		Транзистори > IGBT
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW50N65DH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+777.95 грн
10+ 659.47 грн
25+ 523.85 грн
AIKW50N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed fast IGBT Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N65RF5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/156ns
Switching Energy: 310µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+699.87 грн
10+ 608.7 грн
30+ 580.37 грн
120+ 472.93 грн
AIKW50N65RF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC_DISCRETE
на замовлення 228 шт:
термін постачання 820-829 дні (днів)
1+760.24 грн
10+ 676.81 грн
25+ 561.3 грн
100+ 487.57 грн
240+ 464.98 грн
480+ 369.33 грн
AIKW50N65RF5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
AIKW75N60CTE8188XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
1+833.09 грн
10+ 734.1 грн
25+ 620.42 грн
50+ 595.18 грн
100+ 553.99 грн
240+ 526.09 грн
AIKW75N60CTXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW75N60CTXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Verlustleistung: 428
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+964.98 грн
5+ 888.23 грн
10+ 811.48 грн
50+ 691.94 грн
AIKW75N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній