НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HUF40244BTPHILIPS09+
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF65343G3
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75229P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 161050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 381
HUF75229P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75229P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 161050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
457+78.43 грн
Мінімальне замовлення: 457
HUF75229P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75229P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 50V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
HUF75229P3onsemi / FairchildMOSFET 44a 50V N-Ch MOSFET
товар відсутній
HUF75229P3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75305D3ST
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307FAIR03+ SOT-223;
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307D3FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307D3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 15A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товар відсутній
HUF75307D3onsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm
товар відсутній
HUF75307D3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
на замовлення 8653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 642
HUF75307D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
товар відсутній
HUF75307D35T00+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307D38HARRIS
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307D3SFSC08+ TSSOP
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307D3Sonsemi / FairchildMOSFET TO-252
товар відсутній
HUF75307D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
товар відсутній
HUF75307D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
на замовлення 110710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
802+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 802
HUF75307D3STonsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm
товар відсутній
HUF75307D3STHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO252
товар відсутній
HUF75307D3STHARRIS99+
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF75307D3ST_NLonsemi / FairchildMOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET
товар відсутній
HUF75307D3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
995+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 995
HUF75307D3ST_SB78016onsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
HUF75307D3ST_SN00079onsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
HUF75307D3_NLonsemi / FairchildMOSFET 55V,15A,0.090 OHM,NCH ULTRAFET POWER MOSFET
товар відсутній
HUF75307DS3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307DS3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307P3onsemi / FairchildMOSFET TO-220
товар відсутній
HUF75307T3S136INTERSIL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307T3STFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307T3STonsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Ch UltraFET 0.099 Ohm
товар відсутній
HUF75307T3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75307T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 915
HUF75307T3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 5276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 761
HUF75307T3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
HUF75307T3STFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307T3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75307T3ST/5307FAIR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75307T3ST136Harris CorporationDescription: 13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL,
Packaging: Bulk
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 1158
HUF75307T3ST136INTEL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75309D3Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75309D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75309D3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
товар відсутній
HUF75309D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF75309D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75309D3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75309D3Sonsemi / FairchildMOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET
товар відсутній
HUF75309D3SHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
на замовлення 14180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF75309D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75309D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1232+29.6 грн
Мінімальне замовлення: 1232
HUF75309D3STFAIRCHILD
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75309D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF75309D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
товар відсутній
HUF75309D3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
HUF75309P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
на замовлення 10244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 740
HUF75309P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
HUF75309P3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
товар відсутній
HUF75309P3onsemi / FairchildMOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET
товар відсутній
HUF75309P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
товар відсутній
HUF75309P3
Код товару: 189443
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
HUF75309P3_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF75309S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75309S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75309T3STFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75309T3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
товар відсутній
HUF75309T3STFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75321D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
товар відсутній
HUF75321D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
на замовлення 6085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF75321D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75321D3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75321D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75321D3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
товар відсутній
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.06 грн
12500+ 37.52 грн
25000+ 34.91 грн
37500+ 31.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HUF75321D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 15472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.36 грн
10+ 53.18 грн
100+ 41.48 грн
500+ 32.16 грн
1000+ 25.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HUF75321D3STonsemi / FairchildMOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.64 грн
10+ 41.34 грн
100+ 29.81 грн
500+ 26.71 грн
1000+ 23.15 грн
2500+ 22.89 грн
5000+ 22.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF75321D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.22 грн
5000+ 23.99 грн
12500+ 23.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HUF75321D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF75321P
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF75321P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 31A; 93W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 93W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 31A
товар відсутній
HUF75321P3onsemi / FairchildMOSFET 35A 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 106-115 дні (днів)
3+106.2 грн
10+ 84.2 грн
100+ 57.72 грн
500+ 48.94 грн
1000+ 38.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+71.2 грн
Мінімальне замовлення: 200
HUF75321P3FairchildTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A (HUF75321S3S TO263AB *OBSOLETE) (HUF75321D3S TO252AA *OBSOLETE) HUF75321P3 THUF75321p3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF75321P3
Код товару: 53580
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
HUF75321P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75321P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 35 A, 0.034 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+98.81 грн
149+ 77.07 грн
Мінімальне замовлення: 116
HUF75321P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 31A; 93W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 93W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 31A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75321P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.45 грн
10+ 93.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75321P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75321P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75321P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+64.38 грн
Мінімальне замовлення: 563
HUF75321S3onsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF75321S3SHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
991+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 991
HUF75321S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75321S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 760
HUF75321S3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75321S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
843+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 843
HUF75321S3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail
товар відсутній
HUF75321S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
товар відсутній
HUF75321S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75321S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75321S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
962+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 962
HUF75329D3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Rail
товар відсутній
HUF75329D3onsemi / FairchildMOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET
товар відсутній
HUF75329D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
452+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 452
HUF75329D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75329D3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75329D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75329D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75329D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 4250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+68.5 грн
Мінімальне замовлення: 314
HUF75329D3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75329D3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A Rail
товар відсутній
HUF75329D3SON Semiconductor / FairchildMOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET
товар відсутній
HUF75329D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75329D3STFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75329D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF75329D3STonsemi / FairchildMOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.95 грн
10+ 54.24 грн
100+ 41.23 грн
500+ 35.62 грн
1000+ 29.02 грн
2500+ 27.31 грн
5000+ 25.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF75329D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF75329D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75329D3STS2559INTERSILTO-252
на замовлення 19990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75329G3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO-247
товар відсутній
HUF75329P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
HUF75329P3onsemi / FairchildMOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET
товар відсутній
HUF75329P3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+40.6 грн
Мінімальне замовлення: 507
HUF75329P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO220-3
товар відсутній
HUF75329P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 42A TO220-3
товар відсутній
HUF75329P3_NLonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/49A/0.024OHMS N-CHANNEL TO-220AB
товар відсутній
HUF75329S3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
товар відсутній
HUF75329S3Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
HUF75329S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75329S3Sonsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товар відсутній
HUF75329S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75329S3SINTERSIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75329S3SFAIRCHIL09+ DIP
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75329S3STonsemi / FairchildMOSFET TAPE AND REEL HUF75329S3S
товар відсутній
HUF75332P2FSC
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75332P3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 9713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 336
HUF75332P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75332P3onsemi / FairchildMOSFET 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.59 грн
10+ 108.47 грн
100+ 74.54 грн
500+ 63.19 грн
1000+ 54.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75332P3FairchildTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A (HUF75332S3ST *OBSOLETE) HUF75332P3 THUF75332p3
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
HUF75332P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 60A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.87 грн
10+ 96.26 грн
100+ 76.62 грн
500+ 60.85 грн
1000+ 51.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75332P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75332P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 145W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 85nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 145W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.53 грн
4+ 101.69 грн
10+ 85.89 грн
11+ 72.83 грн
31+ 68.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75332P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 145W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 85nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 145W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+151.84 грн
3+ 126.72 грн
10+ 103.06 грн
11+ 87.4 грн
31+ 82.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75332P3
Код товару: 144977
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
HUF75332P3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75332S3onsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товар відсутній
HUF75332S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75332S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75332S3SHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 683
HUF75332S3Sonsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товар відсутній
HUF75332S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75332S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75332S3STonsemi / FairchildMOSFET 60a 55V 0.019 Ohm Logic Level N-Ch
товар відсутній
HUF75332S3STINTERSILSOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75332S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 52A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 23990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+50.91 грн
Мінімальне замовлення: 386
HUF75332S3ST_NLonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF75333P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 41417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 365
HUF75333P3onsemi / FairchildMOSFET TO-220 N-CH 55V 66A
товар відсутній
HUF75333P3FSC06+
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75333P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75333P3
Код товару: 189444
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
HUF75333P3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 66A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 365
HUF75333P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
HUF75333P3_NLonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/66A/0.016 OHMS N-CHANNEL TO 220AB
товар відсутній
HUF75333P3_NS2552Fairchild SemiconductorDescription: 56A, 55V, 0.016 OHM, N CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75333P3_Qonsemi / FairchildMOSFET TO-220 N-CH 55V 66A
товар відсутній
HUF75333S3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
485+44.24 грн
Мінімальне замовлення: 485
HUF75333S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75333S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75333S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75333S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
товар відсутній
HUF75337P3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1312+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 1312
HUF75337S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75337S3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail
товар відсутній
HUF75337S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
товар відсутній
HUF75337S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75337S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75339G3onsemi / FairchildMOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
товар відсутній
HUF75339G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75339G3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 289
HUF75339G3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75339PFAIRCHILDTO-220
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75339P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75339P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.72 грн
50+ 98.74 грн
100+ 81.23 грн
500+ 64.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75339P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+150.95 грн
10+ 113.21 грн
100+ 83.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF75339P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 200W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HUF75339P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 200W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
товар відсутній
HUF75339P3ON-SemicoductorTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 12mOhm; 75A; 200W; -55°C ~ 175°C; HUF75339P3 THUF75339p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
HUF75339P3onsemi / FairchildMOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
на замовлення 375 шт:
термін постачання 122-131 дні (днів)
3+138.52 грн
10+ 113.78 грн
100+ 77.17 грн
250+ 74.54 грн
500+ 64.44 грн
1000+ 53.56 грн
5000+ 51.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75339P3_Qonsemi / FairchildMOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
товар відсутній
HUF75339S3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 70A TO262AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75339S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75339S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75339S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 340
HUF75339S3S_TR4935Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
HUF75343G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75343G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
HUF75343P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75343P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
HUF75343P3onsemi / FairchildMOSFET 75A 55V N-CH MOSFET
товар відсутній
HUF75343P3_NLonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL-TO-220AB
товар відсутній
HUF75343P3_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF75343S3Harris CorporationDescription: 75 A, 55 V, 0.009 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+70.49 грн
Мінімальне замовлення: 278
HUF75343S3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+70.49 грн
Мінімальне замовлення: 278
HUF75343S3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75343S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+108.03 грн
Мінімальне замовлення: 333
HUF75343S3onsemi / FairchildMOSFET 75a 55V 0.009Ohm NCh UltraFET
товар відсутній
HUF75343S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75343S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75343S3Sonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL TO-262AB
товар відсутній
HUF75343S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75343S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75343S3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail
товар відсутній
HUF75343S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75343S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75343S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF75343S3_NLONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75343S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+151.69 грн
Мінімальне замовлення: 238
HUF75343S3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+99.22 грн
Мінімальне замовлення: 198
HUF75344A3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 288.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+97.17 грн
Мінімальне замовлення: 202
HUF75344A3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 288.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75344A3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75344A3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+148.73 грн
Мінімальне замовлення: 242
HUF75344A3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товар відсутній
HUF75344G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+195.25 грн
10+ 180.87 грн
30+ 156.08 грн
120+ 132.74 грн
270+ 115.23 грн
510+ 109.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75344G3
Код товару: 59800
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 6,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3200/14
Монтаж: THT
у наявності 20 шт:
18 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+135 грн
HUF75344G3ON-SemicoductorN-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344G3 THUF75344g
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+151.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75344G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.3 грн
30+ 189.32 грн
120+ 162.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75344G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HUF75344G3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+251.58 грн
10+ 194.61 грн
100+ 145.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75344G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75344G3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 285W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+328.54 грн
5+ 207.21 грн
14+ 188.81 грн
HUF75344G3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 285W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.78 грн
5+ 166.28 грн
14+ 157.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75344G3onsemi / FairchildMOSFET 75a 55V NCh UltraFET
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.63 грн
10+ 207.84 грн
30+ 155.67 грн
120+ 127.96 грн
270+ 118.07 грн
510+ 117.41 грн
1020+ 112.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75344P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75344P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75344P3
Код товару: 191834
IntersilТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: /175
Монтаж: THT
у наявності 40 шт:
40 шт - склад
1+115 грн
10+ 106 грн
HUF75344P3ON-SemicoductorN-MOSFET 75A 55V 285W 0.008Ω HUF75344P3 THUF75344p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+145.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
HUF75344P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 285W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.02 грн
3+ 182.77 грн
6+ 133.3 грн
17+ 126.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75344P3onsemi / FairchildMOSFET 75a 55V NCh UltraFET
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 89-98 дні (днів)
2+205.47 грн
10+ 169.92 грн
50+ 139.18 грн
100+ 119.39 грн
250+ 112.79 грн
500+ 106.2 грн
1000+ 94.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75344P3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 4923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+102.13 грн
Мінімальне замовлення: 194
HUF75344P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75344P3
Код товару: 119353
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: /175
Монтаж: THT
товар відсутній
HUF75344P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 285W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 285W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+262.83 грн
3+ 227.76 грн
6+ 159.96 грн
17+ 151.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75344P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75344P3_NLONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75344P3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 306
HUF75344P3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+78.41 грн
Мінімальне замовлення: 312
HUF75344S3Harris CorporationDescription: 75A, 55V, 0.008 OHM, N-CHANNEL U
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+65.87 грн
Мінімальне замовлення: 296
HUF75344S3SFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75344S3Sonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF75344S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75344S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75344S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75344S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 41485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+46.96 грн
Мінімальне замовлення: 417
HUF75344S3STFairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75344S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75344S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 41485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+71.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
HUF75344S3STonsemi / FairchildMOSFET 55V Single
товар відсутній
HUF75344S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 285W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75345G3onsemi / FairchildMOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET
на замовлення 892 шт:
термін постачання 138-147 дні (днів)
1+310.13 грн
30+ 242.74 грн
120+ 180.73 грн
510+ 153.03 грн
1020+ 139.18 грн
HUF75345G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.38 грн
10+ 268.79 грн
100+ 220.25 грн
HUF75345G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HUF75345G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HUF75345P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+120.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF75345P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 325W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 275nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 325W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+217.54 грн
3+ 187.51 грн
8+ 131.92 грн
20+ 124.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75345P3onsemiDescription: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+87.76 грн
Мінімальне замовлення: 244
HUF75345P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 325W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 275nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 325W
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 75A
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.47 грн
8+ 109.93 грн
20+ 103.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75345P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF75345P3ON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A HUF75345P3 THUF75345p3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
HUF75345P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.67 грн
10+ 137.63 грн
100+ 110.99 грн
500+ 83.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF75345P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75345P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75345P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75345P3ON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A HUF75345P3 THUF75345p3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
HUF75345P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF75345P3
Код товару: 122685
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4000/14
Монтаж: THT
товар відсутній
HUF75345P3onsemi / FairchildMOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.77 грн
10+ 156.26 грн
100+ 111.47 грн
500+ 94.32 грн
1000+ 81.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75345P3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+127.01 грн
Мінімальне замовлення: 169
HUF75345P3_NS2552Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
HUF75345P3_Qonsemi / FairchildMOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET
товар відсутній
HUF75345S3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
товар відсутній
HUF75345S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
товар відсутній
HUF75345S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75345S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
товар відсутній
HUF75345S3Sonsemi / FairchildMOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET
товар відсутній
HUF75345S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75345S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
товар відсутній
HUF75345S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75345S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+532.8 грн
10+ 480.78 грн
25+ 457.65 грн
100+ 395.14 грн
250+ 350.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75345S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
товар відсутній
HUF75345S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75345S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75345S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+573.78 грн
23+ 517.76 грн
25+ 492.86 грн
100+ 425.54 грн
250+ 377.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
HUF75345S3STHARRIS1998
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75345S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
товар відсутній
HUF75345S3STonsemi / FairchildMOSFET 75a 55V 0.007Ohm NCh UltraFET
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 529-538 дні (днів)
1+430.17 грн
10+ 370.17 грн
25+ 311.34 грн
100+ 272.42 грн
800+ 215.69 грн
2400+ 205.8 грн
HUF75345S3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
HUF75531SK8FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75531SK8FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75531SK8TFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 6A 8SOIC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF75542P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.46 грн
10+ 207.98 грн
100+ 170.43 грн
500+ 136.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75542P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75542P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+93.65 грн
124+ 92.35 грн
125+ 91.71 грн
129+ 86.15 грн
500+ 78.18 грн
1000+ 72.35 грн
Мінімальне замовлення: 123
HUF75542P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+203.9 грн
10+ 186.62 грн
25+ 179.05 грн
100+ 149.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75542P3onsemi / FairchildMOSFET 75a 80V N-Ch UltraFET 0.014 Ohm
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.9 грн
10+ 131.23 грн
50+ 112.79 грн
100+ 97.62 грн
1000+ 96.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75542P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+86.96 грн
10+ 85.75 грн
25+ 85.16 грн
100+ 80 грн
500+ 72.6 грн
1000+ 67.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
HUF75542P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75542P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+173.15 грн
Мінімальне замовлення: 208
HUF75542P3
Код товару: 174091
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
HUF75542P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75542P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+219.58 грн
57+ 200.98 грн
60+ 192.82 грн
100+ 160.79 грн
Мінімальне замовлення: 53
HUF75542P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75542P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75542P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
HUF75542P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75542P3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
HUF75542S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75542S3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75542S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+158.35 грн
Мінімальне замовлення: 227
HUF75542S3SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+98.83 грн
Мінімальне замовлення: 205
HUF75542S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75542S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75545PFAIRCHILD04+
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75545P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75545P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75545P3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+93.97 грн
Мінімальне замовлення: 210
HUF75545P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75545P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.5 грн
10+ 170.93 грн
100+ 136.15 грн
500+ 107.19 грн
1000+ 84.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75545P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75545P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 73A
Power dissipation: 270W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.42 грн
7+ 113.37 грн
20+ 107.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75545P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 73A; 270W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 73A
Power dissipation: 270W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+201.56 грн
3+ 171.24 грн
7+ 136.04 грн
20+ 128.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75545P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75545P3onsemi / FairchildMOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.09 грн
10+ 172.19 грн
100+ 118.73 грн
250+ 109.5 грн
500+ 100.26 грн
1000+ 85.09 грн
2500+ 81.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75545P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75545P3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75545P3_Qonsemi / FairchildMOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET
товар відсутній
HUF75545P3_R4932Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
товар відсутній
HUF75545S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
товар відсутній
HUF75545S3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
на замовлення 3713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+57.15 грн
Мінімальне замовлення: 352
HUF75545S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
товар відсутній
HUF75545S3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
товар відсутній
HUF75545S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75545S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
товар відсутній
HUF75545S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75545S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75545S3STonsemi / FairchildMOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.58 грн
10+ 264.73 грн
100+ 184.69 грн
500+ 157.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75545S3ST
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75545S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
товар відсутній
HUF75545S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
HUF75545S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75545S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75545S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
товар відсутній
HUF75545S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75545S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
HUF75545S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+243.33 грн
10+ 204.18 грн
25+ 165.81 грн
100+ 156.27 грн
250+ 117.32 грн
500+ 111.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75545S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75545S3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
HUF7554S3SHarris CorporationDescription: HUF755453S - 75A, 80V, 0.010 OHM
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+92.78 грн
Мінімальне замовлення: 217
HUF75617D3onsemi / FairchildMOSFET 16a 100V N-Ch 0.090Ohm
товар відсутній
HUF75617D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 1110
HUF75617D3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
HUF75617D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75617D3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75617D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75617D3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75617D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75623P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
на замовлення 4811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+35.12 грн
Мінімальне замовлення: 579
HUF75623S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75623S3Sonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF75623S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75623S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75623S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK
товар відсутній
HUF75623S3STonsemi / FairchildMOSFET 22a 100V N-Ch UltraFET
товар відсутній
HUF75631P
на замовлення 569 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75631P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
на замовлення 16024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+81.72 грн
Мінімальне замовлення: 249
HUF75631S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75631S3SFairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263AB)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 398
HUF75631S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75631S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75631S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+147.23 грн
Мінімальне замовлення: 138
HUF75631S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+161.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
HUF75631S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.56 грн
10+ 220.63 грн
100+ 178.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75631S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75631S3STonsemi / FairchildMOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.02 грн
10+ 214.67 грн
25+ 182.05 грн
100+ 160.94 грн
250+ 156.99 грн
500+ 149.07 грн
800+ 127.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75631S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+146.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
HUF75631S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75631S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75631S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75631SK8FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75631SK8FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75631SK8Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V
на замовлення 4484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 317
HUF75631SK8INTERSIL
на замовлення 11835 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75631SK8TFairchildSOP8 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75631SK8TFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOP
товар відсутній
HUF75631SK8TFAIRCHILD0913+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75631SK8TFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75631SK8T_NB82083Fairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+52 грн
Мінімальне замовлення: 392
HUF75637P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 533
HUF75637S3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Bulk
на замовлення 6080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+109.41 грн
Мінімальне замовлення: 185
HUF75637S3SFAIRCHILD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75637S3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail
товар відсутній
HUF75637S3SRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF75637S3SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
товар відсутній
HUF75637S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
HUF75637S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+99.95 грн
Мінімальне замовлення: 204
HUF75637S3_NR4895ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
товар відсутній
HUF75639G3onsemi / FairchildMOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.1 грн
10+ 197.98 грн
30+ 151.05 грн
120+ 139.18 грн
270+ 120.71 грн
510+ 110.15 грн
1020+ 102.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.9 грн
10+ 183.25 грн
100+ 148.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639G3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
HUF75639G3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+258.98 грн
10+ 156.13 грн
100+ 133.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75639G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HUF75639G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HUF75639G3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HUF75639G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HUF75639P
Код товару: 61772
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
HUF75639P3FairchildTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A HUF75639P3 THUF75639p3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
HUF75639P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
HUF75639P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75639P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF75639P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75639P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+154.99 грн
10+ 140.82 грн
100+ 132.25 грн
500+ 106.34 грн
1000+ 76.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75639P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+196.23 грн
3+ 171.24 грн
9+ 118.73 грн
23+ 112.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639P3onsemi / FairchildMOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.53 грн
10+ 141.09 грн
100+ 100.92 грн
250+ 97.62 грн
500+ 87.07 грн
1000+ 73.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75639P3
Код товару: 122687
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 56 A
Rds(on), Ohm: 25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/9,8
Монтаж: THT
товар відсутній
HUF75639P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.39 грн
10+ 134.33 грн
100+ 106.93 грн
500+ 84.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+167.43 грн
100+ 134.49 грн
500+ 110.48 грн
1000+ 88 грн
Мінімальне замовлення: 69
HUF75639P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.42 грн
9+ 98.94 грн
23+ 93.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75639P3-F102ON SemiconductorN-Channel MOSFET
товар відсутній
HUF75639P3-F102onsemi / FairchildMOSFET 100V/53A/0.025 OHM N-CHPWRMOSULTRAFET
товар відсутній
HUF75639P3-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.69 грн
10+ 125.74 грн
100+ 100.03 грн
500+ 79.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639P3-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639P3-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
HUF75639P3-F102ON SemiconductorN-Channel MOSFET
товар відсутній
HUF75639P3..ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639P3.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
HUF75639P3_F102Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
HUF75639P3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75639P3_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF75639SINTERSIL
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75639S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.66 грн
10+ 147.59 грн
100+ 119.35 грн
500+ 99.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
HUF75639S3onsemi / FairchildMOSFET TO-262
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.16 грн
10+ 160.05 грн
50+ 136.54 грн
100+ 112.13 грн
250+ 110.15 грн
500+ 100.26 грн
1000+ 80.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній
HUF75639S3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 5937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+98.6 грн
Мінімальне замовлення: 207
HUF75639S3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-262AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-262AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
HUF75639S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75639S3SFAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75639S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 20586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+100.63 грн
Мінімальне замовлення: 202
HUF75639S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75639S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75639S3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
товар відсутній
HUF75639S3STonsemi / FairchildMOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.16 грн
10+ 156.26 грн
100+ 109.5 грн
800+ 78.49 грн
2400+ 77.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+202.57 грн
10+ 179.78 грн
100+ 147.64 грн
500+ 117.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75639S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.39 грн
800+ 64.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75639S3STFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+86.44 грн
Мінімальне замовлення: 235
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75639S3ST
Код товару: 163634
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
HUF75639S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.53 грн
10+ 136.89 грн
25+ 111.73 грн
100+ 80.39 грн
800+ 64.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+80.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
HUF75639S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.38 грн
10+ 142.5 грн
100+ 113.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639S3STONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
HUF75639S3STONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HUF75639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
HUF75639S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75639S3ST-S2515ON Semiconductor56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
товар відсутній
HUF75639S3STNLFairchild SemiconductorDescription: 56A, 100V, 0.025OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75639S3ST_QFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 56A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+79.01 грн
Мінімальне замовлення: 257
HUF75639S3ST_QONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+116.91 грн
Мінімальне замовлення: 308
HUF75639S3S_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF75639S3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+83.07 грн
Мінімальне замовлення: 245
HUF7563P3TO-220
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75645P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 238nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.79 грн
7+ 122.99 грн
18+ 116.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75645P3onsemi / FairchildMOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.77 грн
10+ 158.54 грн
50+ 135.22 грн
100+ 112.13 грн
250+ 110.81 грн
500+ 99.6 грн
1000+ 89.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75645P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75645P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75645P3 - N CHANNEL MOSFET, 100V, 75A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF75645P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75645P3ON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A HUF75645P3 THUF75645p3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+96.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
HUF75645P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.67 грн
50+ 135.85 грн
100+ 116.44 грн
500+ 97.13 грн
1000+ 83.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75645P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75645P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; 310W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 238nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+218.43 грн
3+ 186.66 грн
7+ 147.59 грн
18+ 139.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75645P3
Код товару: 56156
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
HUF75645P3-SB82282onsemionsemi
товар відсутній
HUF75645P3-SB82282ON SemiconductorHUF75645P3_SB82282
товар відсутній
HUF75645P3_Qonsemi / FairchildMOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET
товар відсутній
HUF75645S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
375+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 375
HUF75645S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75645S3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail
товар відсутній
HUF75645S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75645S3SFSCTO-263 10+PBF
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75645S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75645S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF75645S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 19150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.77 грн
10+ 169.71 грн
100+ 137.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75645S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+210.84 грн
10+ 178.91 грн
25+ 137.06 грн
100+ 120.84 грн
250+ 96.59 грн
500+ 91.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF75645S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0115 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.55 грн
800+ 97.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
HUF75645S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.77 грн
1600+ 104.53 грн
2400+ 98.42 грн
5600+ 88.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
HUF75645S3STONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 238nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
HUF75645S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75645S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0115 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.74 грн
10+ 169.45 грн
100+ 136.89 грн
500+ 119.55 грн
800+ 97.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75645S3STonsemi / FairchildMOSFET 75a 100V N-Ch UltraFET
на замовлення 12652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.23 грн
10+ 166.88 грн
25+ 143.79 грн
100+ 120.05 грн
250+ 119.39 грн
500+ 112.13 грн
800+ 97.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75645S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+112.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
HUF75645S3ST-F101ON SemiconductorN CHANNEL MOSFET, 100V, 75mA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:75mA, Drain Source Voltage Vds:100V
товар відсутній
HUF75645S3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+281.62 грн
Мінімальне замовлення: 72
HUF75645S3ST_QONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75645S3ST_Q - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+417.33 грн
Мінімальне замовлення: 86
HUF75645S3ST_QFairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 75A, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3790 pF @ 25 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+281.62 грн
Мінімальне замовлення: 72
HUF75645S3S_NL
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75652G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 515W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 475 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7585 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+650.73 грн
10+ 537.17 грн
100+ 447.64 грн
HUF75652G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+430.2 грн
28+ 414.04 грн
50+ 392.54 грн
100+ 355.31 грн
Мінімальне замовлення: 27
HUF75652G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.45 грн
HUF75652G3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 515W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 515W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 475nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
HUF75652G3onsemi / FairchildMOSFET 75a 100VN-Ch MOSFET
на замовлення 890 шт:
термін постачання 184-193 дні (днів)
1+689.51 грн
10+ 581.81 грн
30+ 459.75 грн
120+ 422.15 грн
270+ 397.08 грн
510+ 372.68 грн
1020+ 351.57 грн
HUF75652G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HUF75652G3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75652G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 515
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
HUF75652G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+432.8 грн
10+ 423.75 грн
25+ 416.53 грн
50+ 394.91 грн
100+ 357.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75652G3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 515W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 515W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 475nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HUF75823D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75823D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75823D3SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+62.08 грн
Мінімальне замовлення: 346
HUF75829D3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75829D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
681+52.54 грн
Мінімальне замовлення: 681
HUF75829D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 567
HUF75829D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75829D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75829D3SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
товар відсутній
HUF75829D3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75829D3STON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
товар відсутній
HUF75831SK8TFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 3A 8-SOP
товар відсутній
HUF75831SK8TFAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75831SK8TFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75842P3onsemi / FairchildMOSFET 43a 150V 0.042 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.29 грн
10+ 308.73 грн
100+ 219.65 грн
500+ 180.73 грн
1000+ 170.18 грн
2500+ 166.22 грн
5000+ 164.24 грн
HUF75842P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75842P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
на замовлення 4636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+161.36 грн
Мінімальне замовлення: 125
HUF75842P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75842P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 43
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 230
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
HUF75842P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF75842S3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Bulk
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+106.73 грн
Мінімальне замовлення: 185
HUF75842S3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75842S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+162.05 грн
Мінімальне замовлення: 223
HUF75842S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75842S3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
HUF75842S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75842S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
товар відсутній
HUF75842S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 3509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+81.04 грн
Мінімальне замовлення: 245
HUF75842S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF75852G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75852G3
Код товару: 160801
FairТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 150 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7690/400
у наявності 4 шт:
4 шт - склад
1+590 грн
HUF75852G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+590.08 грн
Мінімальне замовлення: 37
HUF75852G3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75852G3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+867.22 грн
Мінімальне замовлення: 41
HUF75852G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HUF75852G3onsemi / FairchildMOSFET 75a 150V 0.016 Ohm N-Ch MOSFET
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+900.37 грн
10+ 799.51 грн
120+ 598.92 грн
510+ 485.47 грн
HUF75852G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HUF75852G3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
HUF75852G3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 25 V
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+590.08 грн
Мінімальне замовлення: 37
HUF75925D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75925D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75925D3STFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75925D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 11A TO252AA
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF75925P3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 275mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+54.94 грн
Мінімальне замовлення: 390
HUF75925S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75925S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75939P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75939P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 35157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 296
HUF75939P3_F102Fairchild SemiconductorDescription: 22A, 200V, 0.125OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
HUF75939S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75939S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75939S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75939S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+249.36 грн
Мінімальне замовлення: 144
HUF75939S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+163.84 грн
Мінімальне замовлення: 120
HUF75945G3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4023 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+164.82 грн
Мінімальне замовлення: 130
HUF75945P3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
589+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 589
HUF75945S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF75945S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76INTERSIL93+ SOP8P
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76/107DINTERSIL01+ SOP8P
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76009D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76009D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76009D3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76009D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
на замовлення 12359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF76009P3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
на замовлення 7513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
523+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 523
HUF76013D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76013D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 20 V
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1212+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 1212
HUF76013D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76013D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
на замовлення 150700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 1069
HUF76013D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
товар відсутній
HUF76013P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 20A TO220-3
товар відсутній
HUF76013P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 20A TO220-3
на замовлення 5326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+19.54 грн
Мінімальне замовлення: 1110
HUF76013S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76013S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76017D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76017D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76017T3STFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76017T3STFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76105DK8INTERSIL
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76105DK8FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76105DK8FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76105DK8TINTERSIL9948+
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76105SK8FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76105SK8INTERSIL
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76105SK8FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76105SK8TFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 919
HUF76107D35STFSC210
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76107D3SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 701
HUF76107D3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76107D3SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76107D3SFAIRCHILDTO252
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76107D3STINTERSIL92 TO-252
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76107D3STFSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76107D3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 919
HUF76107P3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 701
HUF76112SK8Intersil99+
на замовлення 12774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76112SK8INTERSIL
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76113INTERSIL93+ SOP8P
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76113FAIR03+ SOT-223;
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76113DHARRIS00+ SOP
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76113DK8FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76113DK8INTERSIL
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76113DK8Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76113DK8FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76113DK8TFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: US8
Part Status: Active
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 592
HUF76113SK8FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76113SK8FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76113SK8Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: US8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 25 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 503
HUF76113T3STFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76113T3STHarris CorporationDescription: 4.7 A, 30 V, 0.031 OHM, N-CHANNE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+35.9 грн
Мінімальне замовлення: 544
HUF76113T3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76113T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+55.5 грн
Мінімальне замовлення: 654
HUF76113T3STFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76121D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76121D3FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76121D3FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76121D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76121D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76121D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
781+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 781
HUF76121D3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76121D3SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 650
HUF76121D3STFAI09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76121D3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 76888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 683
HUF76121P3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 26402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 701
HUF76121P3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76121S3Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
634+33.54 грн
Мінімальне замовлення: 634
HUF76121S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76121S3SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 430
HUF76121S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76121S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76121S3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76121S3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
516+70.29 грн
Мінімальне замовлення: 516
HUF76121S3STFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76121S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 606
HUF76121S3STFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76121SK8HAR1997 SOP
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76127S3S
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76129HARRISTO220/
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76129D
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76129D3FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76129D3FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76129D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76129D3SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V
на замовлення 24723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+42.1 грн
Мінімальне замовлення: 513
HUF76129D3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76129D3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V
на замовлення 42200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 533
HUF76129P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
HUF76129P3INTERSIL1999
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76129P3Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 24775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 365
HUF76129S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76129S3SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 468
HUF76129S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76129S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76129S3STFAIRCHILD
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76129S3STFAIRTO263/2.5
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76129S3STFAIRCHLD
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76131INTERSIL01+ SOP8P
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76131SK8Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76131SK8TFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 25 V
на замовлення 10025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 567
HUF76131SK8T_NB82084Fairchild SemiconductorDescription: 10A, 30V, 0.017OHM, N CHANNEL ,
товар відсутній
HUF76132P3Fairchild SemiconductorDescription: 75A, 30V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 307
HUF76132SINTERSIL2001
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76132S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76132S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76132S3SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+69.92 грн
Мінімальне замовлення: 307
HUF76132S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76132S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+69.92 грн
Мінімальне замовлення: 307
HUF76132SK8INTERSIL
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76132SK8FAIRCHILDSO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76132SK8FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76137P
на замовлення 24050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76137P3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 13040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+64.93 грн
Мінімальне замовлення: 329
HUF76137S3SHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+137.71 грн
Мінімальне замовлення: 197
HUF76137S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76137S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76137S3ST
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76139P3INTERSIL00+
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76139P3INTERSIL00+
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76139P3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 12841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+73.49 грн
Мінімальне замовлення: 293
HUF76139P3-NS2552ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 75A
товар відсутній
HUF76139P3_NS2552Fairchild SemiconductorDescription: 75A, 30V, 0.01OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
HUF76139SHARRIS1998
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76139S3Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+80.38 грн
Мінімальне замовлення: 247
HUF76139S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76139S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76139S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76139S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76139S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 729
HUF76139S3ST
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76139S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 606
HUF76139S3STKONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76139S3STK - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 800
HUF76139S3STKFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 606
HUF76143PINTELSIL2001
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76143P3
на замовлення 537 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76143P3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 108627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+49.95 грн
Мінімальне замовлення: 430
HUF76143S
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76143S309+
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76143S3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 75A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+53.51 грн
Мінімальне замовлення: 398
HUF76143S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76143S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 423
HUF76145P3onsemi / FairchildMOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch
товар відсутній
HUF76145S3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76145S3onsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF76145S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76145S3SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+146.98 грн
Мінімальне замовлення: 146
HUF76145S3SINTERSIL
на замовлення 64800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76145S3Sonsemi / FairchildMOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch
товар відсутній
HUF76145S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76145S3STonsemi / FairchildMOSFET 75a 30V 0.0045 Ohm Logic Level N-Ch
товар відсутній
HUF76145S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76145S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+103.59 грн
Мінімальне замовлення: 348
HUF76145S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+74.21 грн
Мінімальне замовлення: 290
HUF76407DFairchild04+05+ TO-251(IPAK)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76407D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
товар відсутній
HUF76407D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
на замовлення 22053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
802+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 802
HUF76407D3FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76407D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76407D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76407D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1686+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 1686
HUF76407D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 19076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1401+13.8 грн
Мінімальне замовлення: 1401
HUF76407D3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76407D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF76407D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HUF76407D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HUF76407D3STONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
HUF76407D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF76407D3STonsemi / FairchildMOSFET 11a 60V 0.107 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.1 грн
10+ 51.88 грн
100+ 38.92 грн
500+ 34.76 грн
1000+ 27.7 грн
2500+ 26.78 грн
5000+ 26.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
HUF76407D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 4976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.64 грн
10+ 55.72 грн
100+ 43.3 грн
500+ 34.44 грн
1000+ 28.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF76407D3STONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
HUF76407DK8FAIRCHILDSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76407DK8onsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF76407DK8FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76407DK8TFAIRCHILDSO-8
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76407DK8TonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
HUF76407DK8TON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.8A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
HUF76407DK8TR4810Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Packaging: Bulk
товар відсутній
HUF76407P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
HUF76407P3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB
товар відсутній
HUF76409D3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 592
HUF76409D3FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76409D3FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76409D3onsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF76409D3Sonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF76409D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76409D3STonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF76409D3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 663
HUF76409D3ST-S2457onsemionsemi
товар відсутній
HUF76409D3ST-SB82270onsemionsemi
товар відсутній
HUF76409D3ST_S2457onsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
HUF76409D3ST_SB82270onsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
HUF76409D3ST_SN00065onsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
HUF76409D3ST_SN00066onsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
HUF76413D3FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76413D3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 606
HUF76413D3FAIRCHILD
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76413D3FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76413D3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76413D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+49.58 грн
Мінімальне замовлення: 728
HUF76413D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76413P3FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76413P3FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76419D3FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76419D3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Rail
товар відсутній
HUF76419D3FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76419D3FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76419D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76419D3SON Semiconductor / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF76419D3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76419D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76419D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76419D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 4274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1210+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 1210
HUF76419D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF76419D3STON Semiconductor / FairchildMOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch
товар відсутній
HUF76419D3STR4921ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76419D3STR4921 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
654+55.5 грн
Мінімальне замовлення: 654
HUF76419D3STR4921Fairchild SemiconductorDescription: 20A, 60V, 0.043OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 544
HUF76419D3ST_NLON Semiconductor / FairchildMOSFET PWR MOS ULTRAFET 60V/20A/0.044 OHMS N-CH LL TO-252AA T&R
товар відсутній
HUF76419P3FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76419P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
товар відсутній
HUF76419P3FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76419S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76419S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76419S3SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
товар відсутній
HUF76419S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
на замовлення 42556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 451
HUF76419S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
HUF76419S3STFAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76419S3STON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
товар відсутній
HUF76419S3ST-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V, 29A, 35mOhm N-Channel Mosfet
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
HUF76419S3ST-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF76419S3ST-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
HUF76419S3ST-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF76419S3ST-QFSC05+;
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76419S3ST-QFSC0546+
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76419S3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
HUF76423D3FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76423D3FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76423D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
на замовлення 6794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF76423D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76423D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76423D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
на замовлення 8936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF76423D3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76423D3ST
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76423P3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 35A TO220-3
товар відсутній
HUF76423P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76423P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 33 A, 0.03 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
HUF76423P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF76423P3FairchildTrans MOSFET N-CH 60V 35A HUF76423P3 THUF76423p3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 30
HUF76423P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 23A; 85W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 23A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
Case: TO220AB
товар відсутній
HUF76423P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 27900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
HUF76423P3onsemi / FairchildMOSFET 20a 60V N-Channel 0.037Ohm
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.74 грн
10+ 85.72 грн
100+ 59.17 грн
500+ 50.2 грн
1000+ 38.46 грн
5000+ 36.61 грн
10000+ 36.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF76423P3Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
товар відсутній
HUF76423P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 23A; 85W; TO220AB
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 23A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 85W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HUF76423P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF76423S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76423S3Sonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF76423S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76423S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+51.37 грн
Мінімальне замовлення: 417
HUF76429D3FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76429D3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76429D3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
508+71.03 грн
Мінімальне замовлення: 508
HUF76429D3FAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76429D3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+50.66 грн
Мінімальне замовлення: 423
HUF76429D3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
товар відсутній
HUF76429D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76429D3SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
товар відсутній
HUF76429D3SON Semiconductor / FairchildMOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
товар відсутній
HUF76429D3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76429D3SFAIRCHILDSOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76429D3STON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
товар відсутній
HUF76429D3STON Semiconductor / FairchildMOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
товар відсутній
HUF76429D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
товар відсутній
HUF76429D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF76429D3ST_NLON Semiconductor / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF76429P
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76429P3FAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76429P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 47A TO-220AB
товар відсутній
HUF76429P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
HUF76429P3Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
HUF76429S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76429S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
товар відсутній
HUF76429S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76429S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76429S3STON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
товар відсутній
HUF76429S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF76429S3STonsemi / FairchildMOSFET 44a 60V 0.025 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.43 грн
10+ 97.85 грн
100+ 71.9 грн
500+ 67.94 грн
800+ 52.5 грн
2400+ 50.86 грн
4800+ 49.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
HUF76429S3STON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
товар відсутній
HUF76429S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF76429S3ST_QFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
товар відсутній
HUF76432P3onsemi / FairchildMOSFET 55a 60V 0.019Ohm Logic Level N-Ch
товар відсутній
HUF76432P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76432P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76432S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76432S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76432S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76432S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 25 V
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+71.35 грн
Мінімальне замовлення: 300
HUF76432S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76432S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+100.63 грн
Мінімальне замовлення: 360
HUF76432S3STR4908Fairchild SemiconductorDescription: 59A, 60V, 0.019OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
HUF76437P3Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 238
HUF76437P3onsemi / FairchildMOSFET TO-220
товар відсутній
HUF76437P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76437P3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+126.53 грн
Мінімальне замовлення: 286
HUF76437S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76437S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76437S3SRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF76437S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76437S3STRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 27282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF76437S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76437S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 27282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
641+56.24 грн
Мінімальне замовлення: 641
HUF76439P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
HUF76439P3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
товар відсутній
HUF76439S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76439S3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail
товар відсутній
HUF76439S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76439S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
товар відсутній
HUF76439S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76439S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF76439S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76439S3STonsemi / FairchildMOSFET 71a 60V 0.014Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.54 грн
10+ 167.64 грн
100+ 117.41 грн
500+ 85.75 грн
800+ 81.79 грн
2400+ 76.51 грн
4800+ 73.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF76439S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF76439S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 25 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.23 грн
10+ 161.4 грн
100+ 129.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF76439S3STFairchildTrans MOSFET N-CH 60V 75A HUF76439S3ST (T&R) , (HUF76439P3 TO220AB *OBSOLETE) HUF76439S3S THUF76439s3s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
HUF76443P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+132 грн
Мінімальне замовлення: 163
HUF76443P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76443S3SFAIRCHILDSOT-263
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76443S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76443S3SFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+119.16 грн
Мінімальне замовлення: 180
HUF76443S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4115 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+117.73 грн
Мінімальне замовлення: 182
HUF76445P3INTERSIL07+ TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76445P3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
товар відсутній
HUF76445S3SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76445S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
товар відсутній
HUF76445S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76445S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76445S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+151.69 грн
Мінімальне замовлення: 238
HUF76445S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF76609D3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
товар відсутній
HUF76609D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
на замовлення 15455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF76609D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
на замовлення 10799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF76609D3SFAIRCHIL0441
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76609D3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76609D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76609D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
915+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 915
HUF76609D3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
товар відсутній
HUF76609D3SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76609D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.21 грн
10+ 58.47 грн
100+ 44.81 грн
500+ 33.24 грн
1000+ 26.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF76609D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF76609D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF76609D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76609D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+43.87 грн
14+ 41.47 грн
100+ 32.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
HUF76609D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF76609D3STonsemi / FairchildMOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate
на замовлення 9111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.71 грн
10+ 41.34 грн
100+ 28.17 грн
500+ 22.76 грн
1000+ 21.17 грн
10000+ 20.58 грн
25000+ 19.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
HUF76609D3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
HUF76619D3onsemi / FairchildMOSFET 18a 100V 0.087 Ohm Logic Level N-Ch
товар відсутній
HUF76619D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V
на замовлення 5406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1031+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 1031
HUF76619D3SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76619D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76619D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1144+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 1144
HUF76619D3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76619D3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76619D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76619D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76629D3onsemi / FairchildMOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch
товар відсутній
HUF76629D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76629D3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
товар відсутній
HUF76629D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
на замовлення 33795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 398
HUF76629D3SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76629D3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76629D3SHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 458
HUF76629D3Sonsemi / FairchildMOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch
товар відсутній
HUF76629D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76629D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 33795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
479+54.46 грн
Мінімальне замовлення: 479
HUF76629D3SFAIRCHILDTO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76629D3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.99 грн
500+ 99.63 грн
2500+ 88.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
HUF76629D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+123.18 грн
10+ 111.97 грн
25+ 111.36 грн
100+ 96.21 грн
250+ 84.92 грн
500+ 74.54 грн
1000+ 71.86 грн
3000+ 69.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF76629D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.68 грн
5000+ 72.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HUF76629D3STonsemi / FairchildMOSFET 20a 100V 0.054 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 7491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.31 грн
10+ 154.74 грн
100+ 107.52 грн
250+ 98.94 грн
500+ 89.71 грн
1000+ 77.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF76629D3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76629D3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.041 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UltraFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.96 грн
10+ 150.95 грн
100+ 110.99 грн
500+ 99.63 грн
2500+ 88.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF76629D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF76629D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
HUF76629D3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+132.66 грн
95+ 120.58 грн
96+ 119.92 грн
107+ 103.61 грн
250+ 91.45 грн
500+ 80.27 грн
1000+ 77.39 грн
3000+ 74.5 грн
Мінімальне замовлення: 87
HUF76629D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
на замовлення 17040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.81 грн
10+ 139.55 грн
100+ 111.09 грн
500+ 88.21 грн
1000+ 74.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF76629D3ST-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF76629D3ST-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
HUF76629D3ST-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
HUF76629D3ST-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET UltraFET Power MOSFET
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
HUF76629D3STNLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76629D3STR4885Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76629D3ST_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF76629D3ST_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF76629D3ST_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
на замовлення 21252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF76629D3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76629DS3Fairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET
товар відсутній
HUF76633P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76633P3onsemi / FairchildMOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch
товар відсутній
HUF76633P3 F085
Код товару: 94093
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
HUF76633P3-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Single NCh 55V 7mOhm Power MOS UltraFET
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
HUF76633P3-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+65.89 грн
Мінімальне замовлення: 300
HUF76633P3-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76633P3-F085 - HUF76633P3-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HUF76633P3-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76633P3-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF76633P3-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
HUF76633P3-R4883ON SemiconductorMOSFET N-CHAN 100V 38A TO-220AB
товар відсутній
HUF76633P3-R4883ON SemiconductorON Semiconductor
товар відсутній
HUF76633P3_NLON Semiconductor / FairchildMOSFET 38A,100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
товар відсутній
HUF76633P3_R4883ON Semiconductor / FairchildON Semiconductor
товар відсутній
HUF76633P3_SN00075ON Semiconductor / FairchildON Semiconductor
товар відсутній
HUF76633S3SON Semiconductor / FairchildMOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch
товар відсутній
HUF76633S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76633S3SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76633S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76633S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76633S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76633S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 12648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 729
HUF76633S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
на замовлення 12648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 606
HUF76633S3STON Semiconductor / FairchildMOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch
товар відсутній
HUF76633S3ST-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF76633S3ST-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET NMOS D2PAK 100V 36 MOHM
товар відсутній
HUF76633S3ST-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
HUF76633S3ST-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF76633S3ST-F085
Код товару: 132414
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
HUF76633S3ST-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
HUF76633S3ST-SB82274onsemionsemi
товар відсутній
HUF76639P3
Код товару: 46829
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
HUF76639P3onsemi / FairchildMOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
товар відсутній
HUF76639P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
HUF76639P3FAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76639P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76639P3_NLonsemi / FairchildMOSFET 100V,50A,0.027 OHM,NCH,LOGIC LEVEL ULTRAFET POWER MOSFET
товар відсутній
HUF76639P3_Qonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
HUF76639S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76639S3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Rail
товар відсутній
HUF76639S3SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76639S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76639S3SFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HUF76639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF76639S3STonsemi / FairchildMOSFET 50A 100V 0.026 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 164-173 дні (днів)
2+161.6 грн
10+ 128.19 грн
100+ 93.66 грн
500+ 86.41 грн
800+ 67.94 грн
2400+ 63.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF76639S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF76639S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
HUF76639S3ST
Код товару: 176379
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
HUF76639S3STFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76639S3ST-F085onsemiDescription: MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76639S3ST-F085onsemiDescription: MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF76639S3ST-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 50A, 100V, 0.026 Ohm N-Channel UltraFET
товар відсутній