Продукція > IGD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IGD-8-326-E1F12-BH-FASemikronIGBT Module Stack
товар відсутній
IGD-8-424-P1F9-BH-FASemikronIGBT MODULE STACK
товар відсутній
IGD01N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
товар відсутній
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I
товар відсутній
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IGD06N60T
Код товару: 94638		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IGD06N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 6A
товар відсутній
IGD06N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IGD06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.36 грн
500+ 39.77 грн
1000+ 27.61 грн
5000+ 27.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IGD06N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 136ns
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.72 грн
10+ 48.97 грн
100+ 37.79 грн
500+ 32.01 грн
1000+ 26.09 грн
2500+ 23.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IGD06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+74.46 грн
12+ 62.96 грн
100+ 48.36 грн
500+ 39.77 грн
1000+ 27.61 грн
5000+ 27.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.34 грн
5000+ 24.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+79.21 грн
10+ 67.59 грн
25+ 66.91 грн
50+ 63.86 грн
100+ 46.13 грн
250+ 43.84 грн
500+ 37.39 грн
1000+ 29.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
IGD06N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 136ns
товар відсутній
IGD06N60TATMA1InfineonIGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C   IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
товар відсутній
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.71 грн
10+ 92.96 грн
100+ 64.21 грн
250+ 59.28 грн
500+ 53.76 грн
1000+ 46.07 грн
3000+ 43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IGD10N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.21 грн
10+ 78.15 грн
100+ 55.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
товар відсутній
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT6 Trench and Field-stop Technology
товар відсутній
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.88 грн
10+ 145.86 грн
100+ 100.55 грн
250+ 92.66 грн
500+ 84.12 грн
1000+ 72.95 грн
3000+ 67.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesSP004275478
товар відсутній
IGD10N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 75W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 23A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.22 грн
10+ 131.44 грн
100+ 104.62 грн
500+ 83.07 грн
1000+ 70.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.53 грн
10+ 126.99 грн
100+ 101.09 грн
500+ 80.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.75 грн
10+ 140.57 грн
100+ 97.26 грн
250+ 90.04 грн
500+ 81.49 грн
1000+ 70.98 грн
3000+ 65.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesSP004275482
товар відсутній
IGD15N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
товар відсутній
IGD15N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.53 грн
10+ 85.52 грн
100+ 60.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT6 Trench and Field-stop Technology
товар відсутній
IGD515E07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGD515EIPower IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 12V ~ 16V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.9V, 3.8V
Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11631.82 грн
10+ 9520.58 грн
IGD515EIPower IntegrationsGate Drivers IGBT Gate Drive Core IGBT Driver
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12634.83 грн
10+ 10586.07 грн
IGD515EI-34Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
товар відсутній
IGD515EI-34Power IntegrationsGate Drivers IGD515EI-34 IGBT Driver
товар відсутній
IGD515EI1-34Power IntegrationsGate Drivers
товар відсутній
IGD615A07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGD616Power IntegrationsPower Management Modules Single-Ch SCALE-1 IGBT Driver
товар відсутній
IGD616Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
товар відсутній
IGD616IC1Power IntegrationsDescription: POWER MODULE GATE DRVR
товар відсутній
IGD616IT1Power IntegrationsPower Management Modules Single-Ch 15V IGBT Driver
товар відсутній
IGD616IT1Power IntegrationsDescription: POWER MODULE GATE DRVR
товар відсутній
IGD616NT1Power IntegrationsDescription: POWER MODULE GATE DRVR
товар відсутній
IGD616NT1Power IntegrationsPower Management Modules IGD616 IGBT Driver
товар відсутній