Продукція > IGO

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IGO17
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGO60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IGO60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 19A GaN T/R
товар відсутній
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+1099.89 грн
Мінімальне замовлення: 18
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1589.19 грн
IGO60R070D1AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: PG-DSO-20
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate current: 20mA
товар відсутній
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R
товар відсутній
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товар відсутній
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товар відсутній
IGO60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R
товар відсутній
IGO60R070D1AUMA2Infineon TechnologiesSP005557222
товар відсутній
IGO60R070D1AUMA2Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1101.19 грн
10+ 974.29 грн
IGO60R070D1AUMA2INFINEONDescription: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1087.42 грн
50+ 955.67 грн
100+ 865.72 грн
250+ 848.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGO60R070D1AUMA2Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товар відсутній
IGO60R070D1AUMA2Infineon TechnologiesMOSFET HV GAN DISCRETES
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+882.5 грн
10+ 767.11 грн
25+ 648.65 грн
50+ 612.5 грн
100+ 576.36 грн
250+ 558.61 грн
500+ 522.47 грн
IGO60R070D1AUMA2INFINEONDescription: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1245.93 грн
5+ 1167.04 грн
10+ 1087.42 грн
50+ 955.67 грн
100+ 865.72 грн
250+ 848.66 грн
IGO60R070D1E8220AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товар відсутній
IGO7470SANYO
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGOT60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IGOT60R042D1AUMA2Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 19A GaN T/R
товар відсутній
IGOT60R070D1Infineon TechnologiesInfineon GAN HV
товар відсутній
IGOT60R070D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+880.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R
товар відсутній
IGOT60R070D1AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: PG-DSO-20
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Gate current: 20mA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товар відсутній
IGOT60R070D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+898.69 грн
5+ 880.99 грн
IGOT60R070D1AUMA1Infineon Technologies600V enhancement-mode JFET Transistor
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1754.95 грн
10+ 1575.49 грн
25+ 1473.15 грн
50+ 1405.94 грн
100+ 1161.52 грн
250+ 1013.74 грн
500+ 1000.77 грн
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+1111.1 грн
Мінімальне замовлення: 18
IGOT60R070D1AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: PG-DSO-20
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Gate current: 20mA
товар відсутній
IGOT60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товар відсутній
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGOT60R070D1AUMA3
товар відсутній
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1002.87 грн
10+ 871.4 грн
25+ 744.6 грн
50+ 738.68 грн
100+ 647.99 грн
250+ 641.42 грн
500+ 637.48 грн
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+560.9 грн
Мінімальне замовлення: 800
IGOT60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+817.59 грн
50+ 756.45 грн
100+ 671.73 грн
250+ 644.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGOT60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+970.94 грн
5+ 894.26 грн
10+ 817.59 грн
50+ 756.45 грн
100+ 671.73 грн
250+ 644.55 грн
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGOT60R070D1AUMA3
товар відсутній
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+811.85 грн
10+ 689.16 грн
100+ 596 грн
IGOT60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesSP005557207
товар відсутній
IGOT60R070D1E8220AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
товар відсутній
IGOT60R070D1E8237AUMA1Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
IGOT60R070D1E8237AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
товар відсутній