НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IHW15N120E1Infineon / IRIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW15N120E1XKSA1
Код товару: 185295
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+208.48 грн
67+ 175.65 грн
71+ 165.94 грн
100+ 137.41 грн
Мінімальне замовлення: 56
IHW15N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+213.21 грн
3+ 185.97 грн
7+ 147.05 грн
18+ 138.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+166.58 грн
10+ 145.41 грн
25+ 138.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.15 грн
30+ 136.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.24 грн
7+ 122.54 грн
18+ 115.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+193.59 грн
10+ 163.1 грн
25+ 154.09 грн
100+ 127.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120E1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW15N120E1XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 156 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.54 грн
10+ 151.13 грн
100+ 115.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW15N120E1XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.75 грн
10+ 160.98 грн
25+ 137.35 грн
100+ 113.04 грн
240+ 111.07 грн
480+ 100.55 грн
1200+ 85.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120RInfineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A
товар відсутній
IHW15N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 15A
товар відсутній
IHW15N120R2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 357W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/282ns
Switching Energy: 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.8Ohm, 15V
Gate Charge: 133 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 357 W
товар відсутній
IHW15N120R2INFINEONMODULE
на замовлення 100084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW15N120R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
товар відсутній
IHW15N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.48 грн
10+ 188.94 грн
25+ 155.1 грн
100+ 132.75 грн
240+ 119.61 грн
480+ 117.64 грн
1200+ 100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3Infineon30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+102.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
IHW15N120R3
Код товару: 140007
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW15N120R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+291.94 грн
3+ 252.51 грн
6+ 185.66 грн
15+ 175.8 грн
IHW15N120R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.29 грн
3+ 202.63 грн
6+ 154.71 грн
15+ 146.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+228.25 грн
10+ 192.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW15N120R3FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 254 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+246.97 грн
10+ 173.99 грн
100+ 131.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.43 грн
30+ 160.6 грн
120+ 137.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 254W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+365.16 грн
36+ 323.6 грн
50+ 286 грн
100+ 249.06 грн
200+ 228.84 грн
Мінімальне замовлення: 32
IHW15N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+197.81 грн
10+ 188.19 грн
25+ 143.92 грн
100+ 131.44 грн
240+ 100.55 грн
1200+ 95.29 грн
2640+ 94.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15T120INF07+;
на замовлення 13680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW15T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 113W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 2.7mJ
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 113 W
товар відсутній
IHW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 113000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N120RInfineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A
товар відсутній
IHW20N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 20A
товар відсутній
IHW20N120R2INFINEON
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R2INFINEONMODULE
на замовлення 100059 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R2INFINEON07+ SOP20
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A 330W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/359ns
Switching Energy: 1.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 143 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 330 W
товар відсутній
IHW20N120R2 (маркування H20R1202)
Код товару: 105788
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N120R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
товар відсутній
IHW20N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
товар відсутній
IHW20N120R3 (маркування H20R1203)
Код товару: 83109
InfineonТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247-3
Vces: 1200 V
Vce: 1,48 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 310 W
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N120R3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.48 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.48
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 310
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1
Код товару: 118248
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/387ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 211 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
товар відсутній
IHW20N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
товар відсутній
IHW20N120R5Infineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N120R5Infineon TechnologiesDescription: IHW20N120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/260ns
Switching Energy: -, 750µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
товар відсутній
IHW20N120R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.58 грн
10+ 205.57 грн
25+ 165.61 грн
100+ 142.61 грн
240+ 134.72 грн
480+ 108.44 грн
1200+ 101.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+230.32 грн
52+ 225.7 грн
Мінімальне замовлення: 51
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+205.69 грн
10+ 202.59 грн
25+ 173.69 грн
50+ 165.75 грн
100+ 137.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+213.94 грн
10+ 209.65 грн
25+ 178.28 грн
50+ 171.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+404.57 грн
Мінімальне замовлення: 29
IHW20N120R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N120R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.55 V, 288 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.09 грн
10+ 189.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+221.52 грн
54+ 218.18 грн
63+ 178.5 грн
100+ 148.37 грн
Мінімальне замовлення: 53
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+319.37 грн
3+ 277.25 грн
5+ 204.55 грн
13+ 193.05 грн
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/260ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.25 грн
30+ 166.78 грн
120+ 142.95 грн
510+ 119.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.14 грн
3+ 222.49 грн
5+ 170.46 грн
13+ 160.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 45840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+155.44 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW20N135R3
Код товару: 133097
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N135R3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+157.34 грн
78+ 149.43 грн
100+ 147.45 грн
Мінімальне замовлення: 74
IHW20N135R3Infineon40A; 1350V; 310W; IGBT w/ Diode   IHW20N135R3 TIHW20n135r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+153.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW20N135R3Infineon TechnologiesDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT W/MONOLT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
Switching Energy: -, 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
товар відсутній
IHW20N135R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.76 грн
10+ 294.75 грн
25+ 241.19 грн
100+ 189.93 грн
240+ 180.73 грн
480+ 169.56 грн
1200+ 162.98 грн
IHW20N135R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N135R3FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 310 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.35
Verlustleistung Pd: 310
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 20A 310W TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
на замовлення 13692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+149.67 грн
Мінімальне замовлення: 132
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+354.6 грн
10+ 301.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 20A 310W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 310 W
товар відсутній
IHW20N135R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.35 грн
10+ 222.2 грн
25+ 182.04 грн
100+ 155.75 грн
240+ 146.55 грн
480+ 138.01 грн
1200+ 118.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5Infineon technologies
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20N135R5 транзистор IGBT 40A ( IHW20N135R5XKSA1)
Код товару: 162475
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N135R5XKSAInfineon TechnologiesDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
товар відсутній
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.29 грн
3+ 202.63 грн
6+ 155.4 грн
15+ 146.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+188.68 грн
10+ 180.04 грн
25+ 167.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.95 грн
10+ 233.53 грн
25+ 171.53 грн
100+ 151.81 грн
240+ 142.61 грн
480+ 137.35 грн
1200+ 108.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+291.94 грн
3+ 252.51 грн
6+ 186.48 грн
15+ 175.8 грн
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 288W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+111.57 грн
Мінімальне замовлення: 105
IHW20N135R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 288 W
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.86 грн
30+ 182.37 грн
120+ 156.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N135R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N135R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 288 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.26 грн
10+ 203.48 грн
100+ 154.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.95 грн
10+ 168.54 грн
25+ 138.67 грн
100+ 118.29 грн
240+ 111.72 грн
480+ 105.15 грн
1200+ 90.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: HOME APPLIANCES 14
Packaging: Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.91 грн
10+ 185.18 грн
100+ 149.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.35 грн
10+ 158.71 грн
100+ 113.69 грн
240+ 108.44 грн
480+ 81.49 грн
1200+ 76.89 грн
2640+ 74.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N65R5Infineon TechnologiesDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 82 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns
Switching Energy: 540µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 257ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+136.29 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW20N65R5XKSA1
Код товару: 182097
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW20N65R5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.26 грн
10+ 181.36 грн
25+ 148.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.12 грн
30+ 142.39 грн
120+ 117.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 257ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW20N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 150W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+139.1 грн
10+ 132.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW20T120INF07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW20T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 20A
товар відсутній
IHW20T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 40A 178W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 28Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 178 W
товар відсутній
IHW25N120MODULE
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW25N120E1Infineon / IRIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.32 грн
10+ 191.97 грн
25+ 150.5 грн
100+ 132.1 грн
240+ 131.44 грн
480+ 103.84 грн
1200+ 97.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+11720.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10882.87 грн
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+142.81 грн
85+ 137.77 грн
Мінімальне замовлення: 82
IHW25N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 147nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Turn-off time: 2004ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 92.4W
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 800µJ (off)
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 231 W
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.11 грн
30+ 164.91 грн
120+ 141.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 147nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Pulsed collector current: 75A
Turn-off time: 2004ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 92.4W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW25N120E1XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 231W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+132.61 грн
10+ 127.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW25N120E1XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW25N120E1XKSA1 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 231 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.74 грн
10+ 170.3 грн
25+ 137.13 грн
240+ 113.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW25N120R2Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW25N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 50A 365W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: -/324ns
Switching Energy: 1.59mJ
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 60.7 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 365 W
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW25N120R2FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 365 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 365
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 365000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N120R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 365000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW25N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW25N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.58 грн
10+ 183.65 грн
25+ 150.5 грн
100+ 128.81 грн
240+ 121.58 грн
480+ 114.35 грн
1200+ 97.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1400V 68A TO247-44
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-44
Td (on/off) @ 25°C: -/195ns
Switching Energy: -, 110µJ (off)
Test Condition: 25V, 25A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.63 грн
30+ 150.86 грн
120+ 129.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N100RInfineon TechnologiesDescription: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/846ns
Switching Energy: 2.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 209 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 412 W
товар відсутній
IHW30N100TINFINEONMODULE
на замовлення 100059 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N100TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/546ns
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 217 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 412 W
товар відсутній
IHW30N100TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 412000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.06 грн
10+ 297.02 грн
25+ 244.48 грн
100+ 211.62 грн
240+ 200.44 грн
480+ 180.07 грн
1200+ 164.96 грн
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.06 грн
10+ 297.02 грн
25+ 244.48 грн
100+ 235.93 грн
240+ 200.44 грн
480+ 180.07 грн
1200+ 164.96 грн
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.92 грн
10+ 252.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 180nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.1kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 470ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 166W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.11 грн
3+ 254.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N110R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 333 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+374.51 грн
10+ 286.05 грн
100+ 210.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+326.22 грн
43+ 272.43 грн
Мінімальне замовлення: 36
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/350ns
Switching Energy: 1.15mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+287.21 грн
10+ 232.28 грн
100+ 187.93 грн
IHW30N110R3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.1kV; 30A; 166W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 180nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.1kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 470ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 166W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+373.34 грн
3+ 317.35 грн
4+ 265.34 грн
10+ 251.38 грн
IHW30N110R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TO-247-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
товар відсутній
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+183.18 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.35 грн
10+ 222.2 грн
25+ 182.04 грн
100+ 155.75 грн
240+ 146.55 грн
480+ 138.01 грн
1200+ 118.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+258.07 грн
51+ 230.13 грн
53+ 215.63 грн
100+ 177.48 грн
Мінімальне замовлення: 46
IHW30N110R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N110R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.1 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.19 грн
10+ 294.89 грн
25+ 253.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/350ns
Gate Charge: 240 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.97 грн
30+ 188.01 грн
120+ 161.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N110R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1100V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+239.64 грн
10+ 213.84 грн
25+ 213.69 грн
50+ 200.22 грн
100+ 164.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N120RInfineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A
товар відсутній
IHW30N120R2INFINEONMODULE
на замовлення 100152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N120R2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 60A 390W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/792ns
Switching Energy: 3.1mJ
Test Condition: 600V, 30A, 28Ohm, 15V
Gate Charge: 198 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 390 W
товар відсутній
IHW30N120R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 30A
товар відсутній
IHW30N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW30N120R3Infineon technologies
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 60A 349W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: -/326ns
Switching Energy: 1.47mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 263 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.49 грн
10+ 296.97 грн
25+ 288.6 грн
50+ 270.46 грн
100+ 244.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N120R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 349
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+332.22 грн
37+ 319.82 грн
38+ 310.8 грн
50+ 291.26 грн
100+ 263.79 грн
Мінімальне замовлення: 36
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW30N120R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+397.82 грн
46+ 253.34 грн
57+ 204.85 грн
Мінімальне замовлення: 30
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.02 грн
10+ 241.09 грн
25+ 166.93 грн
100+ 147.87 грн
240+ 143.27 грн
480+ 140.64 грн
1200+ 112.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+203.6 грн
10+ 186.02 грн
25+ 174.85 грн
100+ 157.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 363ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/330ns
Switching Energy: 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.71 грн
30+ 184.58 грн
120+ 158.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 363ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+219.27 грн
59+ 200.33 грн
62+ 188.3 грн
100+ 169.22 грн
Мінімальне замовлення: 54
IHW30N120R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N120R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+376.73 грн
10+ 303.74 грн
25+ 192.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R3Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N135R3Infineon TechnologiesDescription: REVERSE CONDUCTING IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/337ns
Switching Energy: 1.93mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 263 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IHW30N135R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+446.23 грн
10+ 396.02 грн
25+ 325.31 грн
100+ 281.94 грн
IHW30N135R3
Код товару: 187683
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+213.42 грн
Мінімальне замовлення: 55
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.43 грн
10+ 346.9 грн
25+ 287.19 грн
100+ 253.68 грн
IHW30N135R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N135R3FKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 349 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 349
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.35
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+198.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 60A 349W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/337ns
Switching Energy: 1.93mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 263 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IHW30N135R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+204.21 грн
62+ 190.39 грн
63+ 185.81 грн
64+ 177.38 грн
100+ 150.45 грн
Мінімальне замовлення: 58
IHW30N135R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N135R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 330 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 330W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.49 грн
10+ 244.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11024.13 грн
IHW30N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Power dissipation: 165W
Gate charge: 235nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 680ns
Type of transistor: IGBT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.11 грн
3+ 260.14 грн
5+ 188.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/310ns
Switching Energy: 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 330 W
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.99 грн
50+ 208.63 грн
100+ 178.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1
Код товару: 183681
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.19 грн
10+ 256.21 грн
25+ 187.96 грн
100+ 162.98 грн
240+ 158.38 грн
480+ 126.84 грн
1200+ 119.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+151.09 грн
Мінімальне замовлення: 78
IHW30N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Power dissipation: 165W
Gate charge: 235nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-off time: 680ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+373.34 грн
3+ 324.17 грн
5+ 226.73 грн
12+ 214.41 грн
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+353.29 грн
38+ 310.74 грн
50+ 247.4 грн
100+ 237.61 грн
200+ 209.4 грн
Мінімальне замовлення: 33
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+11872.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.62 грн
10+ 176.79 грн
25+ 172.54 грн
50+ 164.71 грн
100+ 139.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW30N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+256.88 грн
10+ 223.9 грн
25+ 213.77 грн
50+ 205.48 грн
100+ 160.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N140R5LXKSA1
Код товару: 196050
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.45 грн
10+ 235.8 грн
25+ 193.21 грн
100+ 165.61 грн
240+ 155.75 грн
480+ 146.55 грн
1200+ 125.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+172.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+185.94 грн
Мінімальне замовлення: 63
IHW30N140R5LXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N140R5LXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 306 W, 1.4 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.4kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.14 грн
10+ 327.33 грн
100+ 275.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1400V 80A TO247-44
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-44
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: -, 140µJ (off)
Test Condition: 25V, 30A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.61 грн
30+ 199.58 грн
120+ 171.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R2
Код товару: 53306
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N160R2Infineon TechnologiesIGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
товар відсутній
IHW30N160R2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 30A; 312W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 312W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 675ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N160R2FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.1 V, 312 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
Verlustleistung Pd: 312
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.6
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/525ns
Switching Energy: 4.37mJ
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.28 грн
10+ 395.68 грн
50+ 371.48 грн
100+ 337.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N160R5FKSA1Infineon TechnologiesIHW30N160R5FKSA1
товар відсутній
IHW30N160R5FKSA1Infineon TechnologiesIHW30N160R5FKSA1
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/290ns
Switching Energy: -, 350µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 263 W
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.62 грн
30+ 244.62 грн
120+ 209.67 грн
510+ 174.91 грн
IHW30N160R5XKSA1
Код товару: 180199
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+521.08 грн
3+ 346.35 грн
8+ 315.45 грн
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.83 грн
10+ 336.32 грн
25+ 240.53 грн
100+ 207.67 грн
240+ 203.73 грн
480+ 159.04 грн
1200+ 149.84 грн
IHW30N160R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+434.23 грн
3+ 277.94 грн
8+ 262.88 грн
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+333.59 грн
38+ 307.88 грн
46+ 256.84 грн
100+ 221.42 грн
240+ 198.73 грн
480+ 164.4 грн
Мінімальне замовлення: 35
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1InfineonReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5 TIHW30n160r5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+312 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Resonant Switching Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+415.8 грн
10+ 298.58 грн
100+ 226.33 грн
500+ 202.63 грн
1000+ 179.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5XKSA1Infineon TechnologiesReverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+391.98 грн
10+ 373.28 грн
25+ 307.03 грн
100+ 255.5 грн
240+ 231.69 грн
480+ 173.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5XKSA1; Reverse conducting IGBT+диод; 39A; 1600V; 131,5W; Корпус: TO-247; Infineon
на замовлення 17 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+325.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IHW30N60TInfineon TechnologiesDescription: IHW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IHW30N60TMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IHW30N65R5Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N65R5Rochester Electronics, LLCDescription: IHW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 228ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 228ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.48 грн
10+ 185.16 грн
25+ 139.98 грн
100+ 119.61 грн
240+ 111.07 грн
480+ 91.35 грн
1200+ 85.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N65R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 176 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.35
Verlustleistung Pd: 176
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
DC-Kollektorstrom: 60
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/220ns
Switching Energy: 850µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.1 грн
30+ 144.45 грн
120+ 123.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N65R6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW30N65R6XKSA1 - IGBT, 65 A, 1.26 V, 163 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.26V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 65A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.98 грн
10+ 134.18 грн
25+ 108.37 грн
240+ 89.68 грн
720+ 80.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/161ns
Switching Energy: 730µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 163 W
товар відсутній
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesReverse-Conducting IGBT with Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesSP005399486
товар відсутній
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 65A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/161ns
Switching Energy: 730µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 163 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+99.12 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW30N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW30N90RInfineon TechnologiesDescription: IGBT 900V 60A 454W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/511ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 454 W
товар відсутній
IHW30N90RInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 900V 60A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N90RXKInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 900V 60A 454000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N90TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A
товар відсутній
IHW30N90TINF07+;
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW30N90TInfineon TechnologiesDescription: IGBT, 60A, 900V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/556ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 5809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+178.98 грн
Мінімальне замовлення: 113
IHW30N90TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 900V 30A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N90TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A
товар відсутній
IHW30N90TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 900V 60A 428W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/556ns
Switching Energy: 1.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 280 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IHW40N120R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 80A 429W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/336ns
Switching Energy: 2.02mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 335 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 429 W
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 429000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N120R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N120R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.55 V, 429 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 429
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N120R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+462.15 грн
32+ 372.09 грн
50+ 351.31 грн
100+ 290.1 грн
Мінімальне замовлення: 26
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N120R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.55 V, 394 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+374.51 грн
10+ 303 грн
25+ 248.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 4112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.49 грн
10+ 274.34 грн
25+ 202.41 грн
100+ 173.5 грн
240+ 167.58 грн
480+ 131.44 грн
1200+ 124.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/420ns
Switching Energy: 1.6mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.7 грн
30+ 209.07 грн
120+ 179.2 грн
510+ 149.48 грн
1020+ 128 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N120R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 40A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1
Код товару: 175988
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW40N120R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N135R3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1350V 80A 429W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/343ns
Switching Energy: 2.5mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Gate Charge: 365 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 429 W
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 429000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 429000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N135R3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N135R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 429 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 429
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N135R5Infineon TechnologiesInfineon HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 17590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+228.02 грн
10+ 216.18 грн
25+ 206.01 грн
100+ 181.31 грн
240+ 155.35 грн
480+ 139.49 грн
1200+ 133.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+245.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Gate charge: 305nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 0.5µs
Type of transistor: IGBT
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.47 грн
3+ 327.23 грн
4+ 238.23 грн
10+ 225.22 грн
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 17589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+202.41 грн
61+ 193.71 грн
63+ 186.33 грн
100+ 173.58 грн
250+ 155.84 грн
500+ 145.54 грн
1000+ 141.98 грн
2500+ 138.85 грн
5000+ 136.08 грн
Мінімальне замовлення: 58
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 16125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N135R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.71 грн
10+ 260.98 грн
100+ 179.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+321.26 грн
10+ 310.62 грн
25+ 232.65 грн
100+ 199.13 грн
240+ 169.56 грн
480+ 160.35 грн
1200+ 142.61 грн
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1350V 80A 394W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW40N135R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/410ns
Switching Energy: 2mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 305 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.64 грн
30+ 240.72 грн
120+ 206.33 грн
IHW40N135R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 40A; 197W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Power dissipation: 197W
Gate charge: 305nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 120A
Turn-off time: 0.5µs
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+469.77 грн
3+ 407.77 грн
4+ 285.88 грн
10+ 270.27 грн
IHW40N135R5XKSA1 (H40PR5) ; Reverse conducting IGBT+диод; 40(80)A; 1350V; 394W; Корпус: TO-247; Infineon
Код товару: 182017
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
IHW40N135R5XKSA1; Reverse conducting IGBT+диод; 40(80)A; 1350V; 394W; Корпус: TO-247; Infineon
на замовлення 13 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+332.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesHOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.59 грн
10+ 278.12 грн
25+ 228.7 грн
100+ 196.5 грн
240+ 185.33 грн
480+ 174.16 грн
1200+ 149.18 грн
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesDescription: HOME APPLIANCES 14
Packaging: Tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.7 грн
10+ 268.9 грн
100+ 217.55 грн
IHW40N140R5LXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1400V 80A 366W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N60RInfineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.43 грн
10+ 321.96 грн
25+ 264.85 грн
100+ 240.53 грн
240+ 204.39 грн
480+ 195.19 грн
1200+ 178.76 грн
IHW40N60RINFINEONDescription: INFINEON - IHW40N60R - IGBT, 40 A, 2.4 V, 305 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 305
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4
Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 15396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+162.03 грн
Мінімальне замовлення: 121
IHW40N60RFInfineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+355.76 грн
10+ 315.16 грн
25+ 258.93 грн
100+ 214.24 грн
240+ 181.38 грн
480+ 172.18 грн
1200+ 161.01 грн
IHW40N60RF
Код товару: 101823
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+160.17 грн
Мінімальне замовлення: 123
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N60RFFKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 305 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 305
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/175ns
Switching Energy: 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
товар відсутній
IHW40N60RFFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+329.32 грн
Мінімальне замовлення: 36
IHW40N60RFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+164.11 грн
Мінімальне замовлення: 121
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.43 грн
10+ 321.96 грн
25+ 264.85 грн
100+ 229.36 грн
240+ 222.13 грн
480+ 198.47 грн
1200+ 189.93 грн
IHW40N60RFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/193ns
Switching Energy: 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 305 W
товар відсутній
IHW40N60RFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW40N60T
на замовлення 6645 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40N65R5Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.65 грн
10+ 185.92 грн
25+ 153.13 грн
100+ 130.78 грн
240+ 122.24 грн
480+ 116.32 грн
1200+ 99.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/258ns
Switching Energy: 630µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.87 грн
30+ 157.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+255.82 грн
10+ 230.02 грн
25+ 187.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+217.71 грн
62+ 189.01 грн
100+ 180.11 грн
Мінімальне замовлення: 54
IHW40N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 273ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IHW40N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IHW40N65R6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.11 грн
3+ 175.25 грн
6+ 138.28 грн
16+ 130.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesSP005399488
товар відсутній
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Monolithic Integrated Diode
товар відсутній
IHW40N65R6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+252.13 грн
3+ 218.39 грн
6+ 165.94 грн
16+ 156.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.98 грн
10+ 182.9 грн
25+ 147.87 грн
100+ 126.84 грн
240+ 117.64 грн
480+ 97.26 грн
1200+ 91.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 83A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 99 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/211ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 159 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 83 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 210 W
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.92 грн
30+ 150.1 грн
120+ 128.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW40N65R6XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.29 V, 210 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.29V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 83A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.27 грн
10+ 243.29 грн
25+ 199.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW40T120Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T120INF07+;
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
товар відсутній
IHW40T120INFINEONMODULE
на замовлення 100100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
товар відсутній
IHW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+359.07 грн
Мінімальне замовлення: 55
IHW40T60Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 303000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW40T60INF
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW40T60Infineon TechnologiesDescription: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/186ns
Switching Energy: 920µJ
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 303 W
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+161.39 грн
Мінімальне замовлення: 134
IHW40T60Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast Recovery
товар відсутній
IHW40T60FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 80A 303W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/186ns
Switching Energy: 920µJ
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 303 W
товар відсутній
IHW40T60FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 80A 303W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/186ns
Switching Energy: 920µJ
Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 303 W
на замовлення 13929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+204.15 грн
Мінімальне замовлення: 97
IHW40T60FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 303000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW50N65R5Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.05 грн
10+ 219.93 грн
25+ 180.07 грн
100+ 154.44 грн
240+ 145.9 грн
480+ 137.35 грн
1200+ 122.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5Infineon technologies
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns
Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
товар відсутній
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+345.78 грн
38+ 314.42 грн
41+ 288.73 грн
50+ 273.7 грн
100+ 226.75 грн
Мінімальне замовлення: 34
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW50N65R5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW50N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 282W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.98 грн
10+ 293.42 грн
25+ 241.08 грн
240+ 189.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW50N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+394.57 грн
3+ 336.12 грн
4+ 266.98 грн
10+ 252.2 грн
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+321.08 грн
10+ 291.96 грн
25+ 268.11 грн
50+ 254.15 грн
100+ 210.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.81 грн
3+ 269.72 грн
4+ 222.49 грн
10+ 210.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.18 грн
10+ 185.92 грн
25+ 126.84 грн
100+ 123.55 грн
240+ 119.61 грн
480+ 117.64 грн
1200+ 111.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IHW50N65R6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.3 V, 251 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 251
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.38 грн
10+ 263.93 грн
100+ 258.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW50N65R6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.42 грн
10+ 205.57 грн
25+ 168.9 грн
100+ 144.58 грн
240+ 136.04 грн
480+ 126.18 грн
1200+ 109.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 108 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 251 W
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.09 грн
30+ 169.04 грн
120+ 144.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW50N65R6XKSA1Infineon TechnologiesSP005399490
товар відсутній