Продукція > IKB

IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A

товар відсутній

IKB03N120H2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKB03N120H2ATMA1

Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W

товар відсутній

IKB03N120H2ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB06N60T

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKB06N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.91 грн
10+	98.5 грн
100+	68.52 грн
250+	63.12 грн
500+	57.06 грн
1000+	48.82 грн
2000+	46.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB06N60T

infineon

07+

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	49.5 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB06N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	125.65 грн
10+	104.95 грн
100+	85 грн
500+	70 грн

Мінімальне замовлення: 6

IKB06N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W

на замовлення 767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.47 грн
10+	88.4 грн
100+	70.38 грн
500+	55.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB06N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85 грн
500+	70 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKB06N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W

товар відсутній

IKB06N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB06N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKB06N60TATMA1

товар відсутній

IKB06N60TATMA1

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A

на замовлення 945 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.91 грн
10+	95.47 грн
100+	68.52 грн
250+	63.12 грн
500+	57.06 грн
1000+	48.82 грн
2000+	46.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB10N60T

INF

TO-263

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKB10N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.13 грн
10+	106.08 грн
100+	73.79 грн
250+	67.86 грн
500+	61.27 грн
1000+	52.44 грн
2000+	49.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB10N60T

Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товар відсутній

IKB10N60TATMA1

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A

на замовлення 894 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.44 грн
10+	103.04 грн
100+	73.79 грн
250+	71.16 грн
500+	61.87 грн
1000+	52.44 грн
2000+	49.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB10N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 694 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	170.73 грн
10+	135.25 грн
25+	121.95 грн
100+	94.02 грн
500+	77.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKB10N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	115.3 грн
5+	96.77 грн
11+	78.24 грн
28+	74.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKB10N60TATMA1

Description: IGBT 600V 20A 110W TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W

товар відсутній

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	78.51 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	53.11 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	97.83 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB10N60TATMA1

Description: IGBT 600V 20A 110W TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W

товар відсутній

IKB10N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB10N60TATMA1

на замовлення 780 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	138.36 грн
5+	120.59 грн
11+	93.89 грн
28+	88.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB15N60T

INF

TO-263

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKB15N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A

на замовлення 1493 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	167.57 грн
10+	132.59 грн
100+	94.87 грн
250+	87.63 грн
500+	79.72 грн
1000+	67.2 грн
2000+	64.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB15N60T

Description: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 220µJ (on), 350µj (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

товар відсутній

IKB15N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 130W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 87nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 848 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	227.05 грн
5+	196.71 грн
7+	149.07 грн
18+	140.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB15N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	72.97 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB15N60TATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB15N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W

на замовлення 1852 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	153.94 грн
10+	122.99 грн
100+	97.88 грн
500+	77.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB15N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB15N60TATMA1

на замовлення 848 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	189.21 грн
5+	157.85 грн
7+	124.22 грн
18+	117.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB15N65EH5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

товар відсутній

IKB15N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W

на замовлення 916 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.14 грн
10+	154.35 грн
100+	122.9 грн
500+	97.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB15N65EH5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 241 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	209.08 грн
10+	171.99 грн
100+	118.59 грн
250+	109.37 грн
500+	100.15 грн
1000+	84.99 грн
2000+	81.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

товар відсутній

IKB15N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A

на замовлення 915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	209.9 грн
10+	147.82 грн
100+	119.73 грн
500+	105 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKB15N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 18A
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	127.18 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB15N65EH5ATMA1

товар відсутній

IKB15N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W

товар відсутній

IKB15N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode

товар відсутній

IKB15N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A

на замовлення 915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	119.73 грн
500+	105 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKB20N60H3

IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	134.52 грн
10+	115.17 грн
100+	83.67 грн
250+	81.7 грн
500+	74.45 грн
1000+	65.89 грн
2000+	64.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB20N60H3ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	220.99 грн
10+	175.9 грн
25+	158.91 грн
100+	131.77 грн
500+	100.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKB20N60H3ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	51.75 грн

Мінімальне замовлення: 12

IKB20N60H3ATMA1

товар відсутній

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB20N60H3ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

на замовлення 2282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	155.37 грн
10+	124.36 грн
100+	98.96 грн
500+	78.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB20N60H3ATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 170W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HighSpeed 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 40A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	131.77 грн
500+	100.09 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB20N60H3ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	73.78 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB20N60T

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A

на замовлення 843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	162.96 грн
10+	138.66 грн
100+	102.12 грн
250+	100.8 грн
500+	90.92 грн
1000+	83.02 грн
2000+	81.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB20N60T

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IKB20N60TA

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 58 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKB20N60TAATMA1

Description: IGBT 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W

товар відсутній

IKB20N60TAATMA1

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

на замовлення 164 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IKB20N60TAATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB20N60TAATMA1372

Description: IKB20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	121.97 грн
101+	116.52 грн

Мінімальне замовлення: 96

IKB20N60TATMA1

Description: INFINEON - IKB20N60TATMA1 - IGBT, 20 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1641 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	169.99 грн
10+	152.25 грн
100+	125.65 грн
500+	100.89 грн
1000+	91.23 грн

Мінімальне замовлення: 5

IKB20N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	91.51 грн
2000+	83.72 грн
5000+	80.57 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB20N60TATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	101.59 грн
10+	98.12 грн
25+	97.9 грн
100+	93.43 грн
250+	85.67 грн
500+	81.38 грн
1000+	80.51 грн

Мінімальне замовлення: 6

IKB20N60TATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	109.4 грн
111+	105.44 грн
112+	100.62 грн
250+	92.26 грн
500+	87.64 грн
1000+	86.7 грн

Мінімальне замовлення: 107

IKB20N60TATMA1

товар відсутній

IKB20N60TATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	379.98 грн
75+	155.76 грн
79+	147.83 грн
100+	138.71 грн
500+	127.56 грн

Мінімальне замовлення: 31

IKB20N60TATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W

на замовлення 8533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.14 грн
10+	154.21 грн
100+	122.74 грн
500+	97.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB20N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 957 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	281.15 грн
5+	244.6 грн
6+	180.36 грн
15+	170.48 грн

IKB20N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.57 грн
10+	157.71 грн
100+	127.61 грн
500+	106.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB20N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

товар відсутній

IKB20N65EH5ATMA1

на замовлення 957 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	234.29 грн
5+	196.28 грн
6+	150.3 грн
15+	142.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB20N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	167.67 грн
10+	149.37 грн
25+	144.91 грн

Мінімальне замовлення: 4

IKB20N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 38 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W

товар відсутній

IKB20N65EH5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.38 грн
10+	175.78 грн
25+	144.29 грн
100+	123.86 грн
250+	117.28 грн
500+	109.37 грн
1000+	93.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB30N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.73 грн
10+	200.88 грн
100+	162.52 грн
500+	135.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB30N65EH5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	247.51 грн
10+	206.85 грн
25+	174.6 грн
100+	147.58 грн
250+	143.63 грн
500+	131.77 грн
1000+	115.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB30N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 184ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKB30N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	128.45 грн
2000+	116.47 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB30N65EH5ATMA1

TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT

товар відсутній

IKB30N65EH5ATMA1

товар відсутній

IKB30N65ES5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	270.57 грн
10+	223.52 грн
25+	188.43 грн
100+	157.47 грн
250+	152.85 грн
500+	139.68 грн
1000+	118.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB30N65ES5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; 94W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKB30N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB30N65ES5ATMA1

товар відсутній

IKB30N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 3848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	248.73 грн
10+	200.88 грн
100+	162.52 грн
500+	135.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB30N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	128.45 грн
2000+	116.47 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB40N65EF5

Infineon INDUSTRY 14

товар відсутній

IKB40N65EF5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 212ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKB40N65EF5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	147.53 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB40N65EF5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 2195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	316.69 грн
10+	262.91 грн
25+	222.69 грн
100+	185.8 грн
250+	154.17 грн
500+	144.95 грн
1000+	133.75 грн

IKB40N65EF5ATMA1

Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	243.16 грн
100+	196.6 грн
500+	171.58 грн
1000+	136.2 грн

Мінімальне замовлення: 10

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	342.06 грн
41+	288.76 грн
43+	272.89 грн
100+	225.85 грн
250+	148.82 грн

Мінімальне замовлення: 35

IKB40N65EF5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 83 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 1734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	285.79 грн
10+	230.74 грн
100+	186.65 грн
500+	155.71 грн

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	436.53 грн
32+	368.07 грн
50+	348.22 грн
100+	287.96 грн
200+	250.68 грн
500+	201.54 грн

Мінімальне замовлення: 27

IKB40N65EF5ATMA1

товар відсутній

IKB40N65EF5ATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	341.46 грн
10+	243.16 грн
100+	196.6 грн
500+	171.58 грн
1000+	136.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB40N65EF5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	317.63 грн
10+	268.13 грн
25+	253.39 грн
100+	209.72 грн
250+	138.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB40N65EH5ATMA1

Description: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	341.46 грн
10+	243.16 грн
100+	196.6 грн
500+	171.58 грн
1000+	138.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB40N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

товар відсутній

IKB40N65EH5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	209.22 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB40N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKB40N65EH5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB40N65EH5ATMA1

на замовлення 1067 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	196.6 грн
500+	171.58 грн
1000+	138.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKB40N65EH5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

товар відсутній

IKB40N65EH5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 78 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W

на замовлення 1362 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	285.79 грн
10+	230.74 грн
100+	186.65 грн
500+	155.71 грн

IKB40N65EH5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 175-184 дні (днів)

1+	310.54 грн
10+	256.85 грн
25+	216.1 грн
100+	180.53 грн
250+	175.25 грн
500+	160.76 грн
1000+	137.04 грн

IKB40N65EH5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	456.37 грн
31+	385.92 грн
50+	353.19 грн
100+	338.66 грн
200+	295.86 грн
500+	250.86 грн
1000+	238.1 грн

Мінімальне замовлення: 26

IKB40N65ES5

IGBT Transistors INDUSTRY 14

товар відсутній

IKB40N65ES5ATMA1

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IKB40N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W

на замовлення 9192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	285.79 грн
10+	230.74 грн
100+	186.65 грн
500+	155.71 грн

IKB40N65ES5ATMA1

IGBT Transistors INDUSTRY 14

на замовлення 7688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	310.54 грн
10+	256.85 грн
25+	216.1 грн
100+	180.53 грн
250+	175.25 грн
500+	160.76 грн
1000+	135.72 грн

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	209.22 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB40N65ES5ATMA1

Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A

на замовлення 623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	203.99 грн
500+	172.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

IKB40N65ES5ATMA1

товар відсутній

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	318.35 грн
10+	268.35 грн
25+	263.22 грн
100+	204.21 грн
250+	187.22 грн
500+	166.35 грн
1000+	132.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IKB40N65ES5ATMA1

Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	147.53 грн
2000+	133.77 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	342.84 грн
41+	288.99 грн
42+	283.47 грн
100+	219.92 грн
250+	201.62 грн
500+	179.15 грн
1000+	142.86 грн

Мінімальне замовлення: 35

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IKB40N65ES5ATMA1

на замовлення 623 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	342.2 грн
10+	252.77 грн
100+	203.99 грн
500+	172.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

IKB40N65ES5ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	432.56 грн
31+	384.94 грн
50+	352.2 грн
100+	308.05 грн
200+	283.46 грн
500+	244.06 грн

Мінімальне замовлення: 27

IKBBF

IKBBF RJ45 Cables

на замовлення 23 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	431.93 грн
3+	328.6 грн
9+	310.48 грн
25+	309.6 грн

IKBBG

IKBBG RJ45 Cables

на замовлення 29 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	482.48 грн
3+	370.6 грн
8+	350.01 грн
25+	349.79 грн

IKBBH

IKBBH RJ45 Cables

на замовлення 34 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	488.69 грн
3+	339.31 грн
8+	321.19 грн
25+	320.71 грн

IKBBI