Продукція > MJK

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJK1882-PA881GFTSBT-2S-L3MMT
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJK1882-PA881GFTSBTB-8S-L3MMT
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJK190-PA881GFTSBTMMT08+
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJK190-PA881GFTSBT-4MMT08+
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJK31CTWGonsemiDescription: POWER TRANSISTOR 100 V, 3 A DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.7 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.08 грн
10+ 48.16 грн
100+ 37.41 грн
500+ 29.76 грн
1000+ 24.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJK31CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.86 грн
17+ 45.31 грн
100+ 37.48 грн
500+ 31.34 грн
3000+ 28.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
MJK31CTWGonsemiDescription: POWER TRANSISTOR 100 V, 3 A DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.7 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MJK31CTWGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN BIP LFPAK4 3A 100V TR
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.03 грн
10+ 54.01 грн
100+ 36.6 грн
500+ 31.02 грн
1000+ 26.44 грн
3000+ 22.45 грн
9000+ 22.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJK31CTWGONSEMIDescription: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.7W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.48 грн
500+ 31.34 грн
3000+ 28.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJK741-PA881GFSBT-
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJK741-PA881GFSBT-M-L3MMT08+
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)