Продукція > NXP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NXPNXP
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXP P89LPC936FDHNXP
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXP ICODE SLIX2-DYMOLUX IDentHF-Label 34x17mm, Pitch 32mm, NXP ICODE SLIX2-DYMO
товар відсутній
NXP P5CC012Картка службова МБ SAM PPO AT УкрКарт (Чип модуль NXP P5CC012)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
NXP(PHILIPS)
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXP3875GRNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SOT23,TO236AB
Frequency: 80MHz
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 200mW
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Pulsed collector current: 0.2A
Current gain: 200...400
Polarisation: bipolar
товар відсутній
NXP3875GRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NXP3875GRNexperiaBipolar Transistors - BJT NXP3875G/SOT23/TO-236AB
на замовлення 14209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18.75 грн
25+ 12.45 грн
100+ 4.92 грн
1000+ 3.12 грн
3000+ 2.86 грн
9000+ 1.99 грн
24000+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
NXP3875GRNEXPERIATrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NXP3875GRNexperiaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NXP3875GRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.4 грн
23+ 12.52 грн
100+ 6.1 грн
500+ 4.78 грн
1000+ 3.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
NXP3875GRNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SOT23,TO236AB
Frequency: 80MHz
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 200mW
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Pulsed collector current: 0.2A
Current gain: 200...400
Polarisation: bipolar
товар відсутній
NXP3875YRNexperiaBipolar Transistors - BJT NXP3875Y/SOT23/TO-236AB
на замовлення 6725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.53 грн
20+ 15.74 грн
100+ 7.31 грн
500+ 4.58 грн
1000+ 3.12 грн
3000+ 2.52 грн
9000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
NXP3875YRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.4 грн
23+ 12.52 грн
100+ 6.1 грн
500+ 4.78 грн
1000+ 3.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
NXP3875YRNexperiaTrans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NXP3875YRNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 50V 0.15A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NXP3875YVLNexperiaBipolar Transistors - BJT NXP3875Y/SOT23/TO-236AB
товар відсутній
NXP6517EL1/139/1A
на замовлення 434 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NXPC0030OmronI/O Power Supply Connection Units
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+5987.07 грн
3+ 5796.34 грн
5+ 5431.02 грн
10+ 4901.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPC0030OmronI/O Power Supply Connection Units
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8187.32 грн
3+ 8116.69 грн
5+ 7137.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPD1000OmronPower Supply
товар відсутній
NXPD1000OmronPower Supply
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11533.27 грн
3+ 11435.4 грн
5+ 10180.21 грн
10+ 9166.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPESD-PROMOKITNXP SemiconductorsDescription: KIT PROMO ESD PROTECT DIODES
товар відсутній
NXPESD1-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT ESD PROTECT DIODES 18VALUES
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXPESD2-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT ESD PROTECT DIODES 18VALUES
товар відсутній
NXPLOGIC1-KITNXP SemiconductorsDescription: KIT LOGIC 10EA OF 17 VAL
товар відсутній
NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 48A
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC106506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPLQSC106506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 48A
товар відсутній
NXPLQSC10650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товар відсутній
NXPLQSC10650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC10650/TO-220AC/STANDARD
товар відсутній
NXPLQSC20650W6QWeenNXPLQSC20650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 48A
товар відсутній
NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC20650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPLQSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 48A
товар відсутній
NXPLQSC20650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товар відсутній
NXPLQSC20650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товар відсутній
NXPLQSC20650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товар відсутній
NXPLQSC20650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товар відсутній
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 30A
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 50A
товар відсутній
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsDescription: NXPLQSC30650WQ TO-247 STANDARD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товар відсутній
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; tube
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Max. off-state voltage: 650V
Max. load current: 30A
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 50A
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
NXPLQSC30650W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPLQSC30650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 30 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+482.12 грн
5+ 434.43 грн
10+ 377.05 грн
50+ 332.13 грн
100+ 297 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPLQSC30650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC30650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPLQSC30650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товар відсутній
NXPLQSC30650WQNXP SemiconductorsNXPLQSC30650WQ
товар відсутній
NXPLQSC30650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товар відсутній
NXPLQSC30650WQWeenNXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товар відсутній
NXPLQSC30650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.95 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товар відсутній
NXPLQSC30650WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPLQSC30650WQ/TO-247/STANDARD M
товар відсутній
NXPMC68040FE33ACypress Semiconductor CorpDescription: MC680MICROPROCESSO32-BIHCMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
NXPMOSFET-DESIGNKITNXP USA Inc.Description: KIT DESIGN MOSFET LFPAK
Packaging: Box
Mounting Type: Surface Mount
Quantity: 180 Pieces (18 Values - 10 Each)
Kit Type: MOSFETs
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NXPPICMG/4USYSTEM-OSPArrowCCP54-NXPPICMG/4USystem
товар відсутній
NXPPICMG/4USYSTEM-OSP-RPRArrowRepair BOM
товар відсутній
NXPS20H100C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
товар відсутній
NXPS20H100C,127WeenRectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
NXPS20H100C,127NXP USA Inc.Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 1110
NXPS20H100C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
товар відсутній
NXPS20H100CX,127WeenRectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
товар відсутній
NXPS20H100CX,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 mA @ 100 V
товар відсутній
NXPS20H100CX,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
товар відсутній
NXPS20H100CX,127NXP USA Inc.Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 mA @ 100 V
на замовлення 162340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1065+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 1065
NXPS20H110C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOT 110V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 110 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 µA @ 110 V
товар відсутній
NXPS20H110C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers DUAL POWER SCHOTTKY DIODE
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NXPS20H110C,127WeenRectifier Diode Schottky 110V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
NXPS20S100C,127WeenRectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
NXPS20S100C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
товар відсутній
NXPS20S100C,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Power Schottky Diode
товар відсутній
NXPS20S100CX,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 100 V
товар відсутній
NXPS20S100CX,127WeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Power Schottky Diode
товар відсутній
NXPS20S100CX,127WeenRectifier Diode Schottky 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
товар відсутній
NXPS20S110C,127WeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 110V SIL3P
товар відсутній
NXPS2P33Lattice SemiconductorMPEG TS Serial to Parallel Converter ASIC 48pin TQFP*
товар відсутній
NXPSC046506QWeenNXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPSC046506QNexperiaNXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.76 грн
10+ 173.19 грн
100+ 139.22 грн
500+ 107.35 грн
1000+ 89.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 24A
товар відсутній
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC046506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.74 грн
10+ 116.88 грн
100+ 81.04 грн
500+ 67.09 грн
1000+ 55.73 грн
2000+ 53.87 грн
5000+ 52.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
NXPSC046506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 24A
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
NXPSC04650BWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 1.5V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
NXPSC04650BWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 1.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+83.16 грн
5+ 72.43 грн
18+ 54.8 грн
48+ 52.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A D2PAK
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.5 грн
10+ 177.55 грн
100+ 142.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A
товар відсутній
NXPSC04650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A D2PAK
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+121.76 грн
1600+ 97.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
NXPSC04650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650B/D2PAK/STANDARD M
товар відсутній
NXPSC04650BJNXP SemiconductorsNXPSC04650BJ
товар відсутній
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товар відсутній
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+96.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DPAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A
товар відсутній
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 4A; DPAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 24A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NXPSC04650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 16439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.45 грн
10+ 168.9 грн
100+ 135.74 грн
500+ 104.66 грн
1000+ 87.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: -nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.6 грн
10+ 86.44 грн
100+ 72.65 грн
500+ 62.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
NXPSC04650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товар відсутній
NXPSC04650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: -nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.65 грн
500+ 62.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
товар відсутній
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 1.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+107.3 грн
5+ 100.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
NXPSC04650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товар відсутній
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
товар відсутній
NXPSC04650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC04650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: -nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.36 грн
10+ 75.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
NXPSC04650QWeenDiode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товар відсутній
NXPSC04650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 4A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товар відсутній
NXPSC04650QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Max. load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 24A
Max. forward voltage: 1.5V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 24A
товар відсутній
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650X6/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 24A
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
NXPSC04650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.85 грн
10+ 166.2 грн
100+ 133.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC04650XQWeenNXPSC04650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
товар відсутній
NXPSC04650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC04650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
товар відсутній
NXPSC04650XQNXP SemiconductorsNXPSC04650XQ
товар відсутній
NXPSC04650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
товар відсутній
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.65 грн
10+ 219.55 грн
100+ 179.88 грн
500+ 143.71 грн
1000+ 121.2 грн
2000+ 115.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 36A
товар відсутній
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220AC; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 36A
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
NXPSC066506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC066506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.58 грн
10+ 230.9 грн
100+ 189.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+167.23 грн
1600+ 141.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
NXPSC06650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A
товар відсутній
NXPSC06650B6JWeenNXPSC06650B6/D2PAK/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товар відсутній
NXPSC06650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
товар відсутній
NXPSC06650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
товар відсутній
NXPSC06650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedNXPSC06650B/D2PAK/STANDARD M
товар відсутній
NXPSC06650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товар відсутній
NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.96 грн
10+ 223.36 грн
100+ 182.97 грн
500+ 146.17 грн
1000+ 128.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DPAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A
товар відсутній
NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+141.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NXPSC06650D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 6A; DPAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 36A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NXPSC06650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товар відсутній
NXPSC06650DJWeenNXPSC06650DJ/DPAK/REEL 13\"" Q1/T1
товар відсутній
NXPSC06650QWeenRectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товар відсутній
NXPSC06650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товар відсутній
NXPSC06650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.59 грн
10+ 210.49 грн
100+ 172.44 грн
500+ 137.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC06650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
товар відсутній
NXPSC06650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 6A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товар відсутній
NXPSC06650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 36A
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
NXPSC06650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.46 грн
10+ 233.25 грн
100+ 191.09 грн
500+ 152.66 грн
1000+ 133.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC06650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 36A
товар відсутній
NXPSC06650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC06650XQ/TO220F-2L
товар відсутній
NXPSC06650XQWeenNXPSC06650XQ/TO220F-2L
товар відсутній
NXPSC06650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товар відсутній
NXPSC086506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.63 грн
10+ 279.2 грн
100+ 228.8 грн
500+ 182.78 грн
1000+ 160.36 грн
NXPSC086506QWeEn SemiconductorsNXPSC086506Q THT Schottky diodes
товар відсутній
NXPSC086506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC086506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+228.17 грн
1600+ 192.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsNXPSC08650B6J SMD Schottky diodes
товар відсутній
NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B6/D2PAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товар відсутній
NXPSC08650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK
на замовлення 3165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.3 грн
10+ 314.97 грн
100+ 258.1 грн
NXPSC08650BJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC08650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+187.78 грн
10+ 170.64 грн
100+ 154.25 грн
500+ 141.85 грн
1000+ 121.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
NXPSC08650BJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650B/D2PAK/STANDARD M
товар відсутній
NXPSC08650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK
товар відсутній
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsNXPSC08650D6J SMD Schottky diodes
товар відсутній
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
на замовлення 7184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.96 грн
10+ 307.29 грн
100+ 251.73 грн
500+ 201.11 грн
1000+ 176.43 грн
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товар відсутній
NXPSC08650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+195.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NXPSC08650DJWeenNXPSC08650DJ/DPAK/REEL 13\"" Q1/T1
товар відсутній
NXPSC08650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товар відсутній
NXPSC08650QWeEn SemiconductorsNXPSC08650Q THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+199.41 грн
14+ 192.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC08650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC08650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.25 грн
10+ 207.9 грн
100+ 180.33 грн
500+ 159.15 грн
1000+ 141.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
NXPSC08650QWeEn SemiconductorsRectifiers Silicon Carbide Diode
товар відсутній
NXPSC08650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.9 грн
10+ 298.5 грн
100+ 244.6 грн
500+ 195.41 грн
1000+ 171.43 грн
NXPSC08650X6QWeEn SemiconductorsNXPSC08650X6Q THT Schottky diodes
товар відсутній
NXPSC08650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC08650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
товар відсутній
NXPSC08650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товар відсутній
NXPSC106506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC106506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPSC106506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.67 грн
10+ 324.45 грн
100+ 262.49 грн
500+ 218.97 грн
1000+ 187.49 грн
2000+ 176.54 грн
NXPSC106506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC106506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.21 грн
10+ 153.5 грн
100+ 130.4 грн
500+ 106.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
NXPSC106506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
товар відсутній
NXPSC106506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
товар відсутній
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.54 грн
10+ 369.56 грн
100+ 302.8 грн
NXPSC10650B6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC10650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.35 грн
500+ 114.17 грн
1000+ 96.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650B6/D2PAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товар відсутній
NXPSC10650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+267.69 грн
1600+ 217.4 грн
Мінімальне замовлення: 800
NXPSC10650B6JWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC10650B6J - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 16 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.63 грн
10+ 164.68 грн
100+ 139.35 грн
500+ 114.17 грн
1000+ 96.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
NXPSC10650B6JWeenNXPSC10650B6/D2PAK/REEL 13\"" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товар відсутній
NXPSC10650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товар відсутній
NXPSC10650BJWeEn SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching NXPSC10650B/D2PAK/STANDARD M
товар відсутній
NXPSC10650BJWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited934070005118
товар відсутній
NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 7214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.91 грн
10+ 362.23 грн
100+ 296.81 грн
500+ 237.12 грн
1000+ 199.98 грн
NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+210.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; DPAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
товар відсутній
NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650D6/DPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товар відсутній
NXPSC10650D6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; DPAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 50A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NXPSC10650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650DJ/DPAK/REEL 13" Q1/T1
товар відсутній
NXPSC10650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товар відсутній
NXPSC10650QWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товар відсутній
NXPSC10650QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Diode
товар відсутній
NXPSC10650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.96 грн
10+ 287.15 грн
100+ 232.32 грн
500+ 193.79 грн
1000+ 165.94 грн
NXPSC10650QWeenRectifier Diode Schottky 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товар відсутній
NXPSC10650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
товар відсутній
NXPSC10650X6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220FP-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
NXPSC10650X6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650X6/TO-220F/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPSC10650X6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.22 грн
10+ 365.9 грн
100+ 299.81 грн
500+ 239.52 грн
1000+ 202 грн
2000+ 191.9 грн
NXPSC10650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC10650XQ/TO220F-2L/STANDARD M
товар відсутній
NXPSC10650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товар відсутній
NXPSC126506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC126506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.2 грн
10+ 211.63 грн
100+ 171.39 грн
500+ 141.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
NXPSC126506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.29 грн
10+ 331.64 грн
100+ 268.33 грн
500+ 223.83 грн
NXPSC126506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 72A
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
NXPSC126506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC12650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPSC126506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 72A
товар відсутній
NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 6298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.08 грн
10+ 427.75 грн
100+ 350.51 грн
NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC12650B/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 12A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 72A
товар відсутній
NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+309.86 грн
1600+ 261.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
NXPSC12650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 12A; D2PAK; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 72A
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC16650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 96A
товар відсутній
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220AC; tube
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Case: TO220AC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 96A
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
NXPSC166506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC166506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 26 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 26nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.65 грн
10+ 222.06 грн
100+ 184.8 грн
500+ 152.23 грн
1000+ 125.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
NXPSC166506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.07 грн
10+ 347.49 грн
100+ 289.62 грн
500+ 239.82 грн
1000+ 215.84 грн
2000+ 202.25 грн
NXPSC16650B6JWeenNXPSC16650B/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товар відсутній
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC16650B/TO263/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 16A; D2PAK; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 96A
товар відсутній
NXPSC16650B6JWeEn SemiconductorsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 16A; D2PAK; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 96A
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
NXPSC206506QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.53 грн
10+ 476.54 грн
100+ 394.52 грн
500+ 322.4 грн
1000+ 300 грн
NXPSC206506QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC206506Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 28 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 28nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.75 грн
10+ 277.2 грн
100+ 240.69 грн
500+ 212.42 грн
1000+ 189.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
NXPSC206506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
товар відсутній
NXPSC206506QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 100A
товар відсутній
NXPSC20650QWeEn SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching NXPSC20650/TO-220AC/STANDARD M
товар відсутній
NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 2.1V
Application: automotive industry
товар відсутній
NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsDescription: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NXPSC20650W-AQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC20650W-AQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+388.97 грн
10+ 319.67 грн
100+ 250.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers Dual Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+512.25 грн
10+ 478.96 грн
100+ 415.83 грн
480+ 334.79 грн
NXPSC20650W-AQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
Max. forward voltage: 2.1V
Application: automotive industry
товар відсутній
NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+576.28 грн
10+ 475.98 грн
100+ 396.65 грн
500+ 328.45 грн
NXPSC20650W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - NXPSC20650W6Q - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 16 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 16nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.01 грн
10+ 302.54 грн
100+ 250.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC20650W6/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній
NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
товар відсутній
NXPSC20650W6QWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 50A
товар відсутній
NXPSC20650WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers NXPSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товар відсутній
NXPSC20650WQWeenNXPSC20650WQ/TO-247/STANDARD M
товар відсутній
NXPSC20650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
товар відсутній