Продукція > RQ1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RQ147M2R2BATME
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1A060ZPTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; Idm: -24A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RQ1A060ZPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 6 V
на замовлення 35921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.51 грн
10+ 53.35 грн
100+ 40.92 грн
500+ 30.36 грн
1000+ 24.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
RQ1A060ZPTRROHM SemiconductorMOSFET RECOMMENDED ALT 755-RF4C050APTR
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.34 грн
10+ 56.91 грн
100+ 34.21 грн
500+ 28.63 грн
1000+ 24.31 грн
3000+ 19.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
RQ1A060ZPTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; Idm: -24A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RQ1A060ZPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 6 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.35 грн
6000+ 21.83 грн
15000+ 21.03 грн
30000+ 18.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ1A060ZPTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1A070APTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 6 V
на замовлення 3473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.33 грн
10+ 45.94 грн
100+ 31.8 грн
500+ 24.93 грн
1000+ 21.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ1A070APTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7A; Idm: -28A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RQ1A070APTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ1A070APTRROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 7A
на замовлення 3682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.83 грн
10+ 51.1 грн
100+ 30.69 грн
500+ 25.71 грн
1000+ 21.79 грн
3000+ 18.6 грн
6000+ 18.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ1A070APTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7A; Idm: -28A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
On-state resistance: 48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RQ1A070ZPFRATRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7A; Idm: -28A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RQ1A070ZPFRATRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -7A; Idm: -28A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RQ1A070ZPHZGTRROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 12V PCH -7A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.54 грн
10+ 59.74 грн
100+ 40.45 грн
500+ 38.99 грн
3000+ 33.08 грн
6000+ 32.42 грн
9000+ 31.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
RQ1A070ZPHZGTRRohm SemiconductorDescription: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
товар відсутній
RQ1A070ZPHZGTRRohm SemiconductorDescription: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
товар відсутній
RQ1A070ZPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ1A070ZPTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1A070ZPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.76 грн
10+ 62.83 грн
100+ 48.86 грн
500+ 38.87 грн
1000+ 31.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
RQ1A070ZPTRROHM SemiconductorMOSFET SW MOSFET MID PWR P-CH 12V -7A
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.47 грн
10+ 67.99 грн
100+ 46.03 грн
500+ 38.99 грн
1000+ 31.75 грн
3000+ 29.83 грн
6000+ 28.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
RQ1C065UNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.55 грн
10+ 36.53 грн
100+ 27.28 грн
500+ 20.12 грн
1000+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ1C065UNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+34.48 грн
352+ 33.1 грн
500+ 31.9 грн
1000+ 29.76 грн
2500+ 26.74 грн
Мінімальне замовлення: 338
RQ1C065UNTRROHM SemiconductorMOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.89 грн
10+ 39.57 грн
100+ 25.71 грн
500+ 20.19 грн
1000+ 15.61 грн
3000+ 13.29 грн
9000+ 12.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ1C065UNTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1C065UNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
товар відсутній
RQ1C065UNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+34.48 грн
352+ 33.1 грн
500+ 31.9 грн
Мінімальне замовлення: 338
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
товар відсутній
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+36.5 грн
333+ 35.04 грн
500+ 33.77 грн
1000+ 31.5 грн
Мінімальне замовлення: 319
RQ1C075UNTRROHM SemiconductorMOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.75 грн
10+ 43.47 грн
100+ 25.84 грн
500+ 21.59 грн
1000+ 18.33 грн
3000+ 16.61 грн
6000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ1C075UNTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
товар відсутній
RQ1C075UNTRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 4471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+29.29 грн
435+ 26.82 грн
448+ 26.02 грн
500+ 24.14 грн
1000+ 21.56 грн
3000+ 19.59 грн
Мінімальне замовлення: 398
RQ1C075UNTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 30A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RQ1C075UNTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 30A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RQ1E050RPFRATRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
RQ1E050RPFRATRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
RQ1E050RPHZGTRROHM SemiconductorMOSFET Pch -30V -5A Small Signal MOSFET: RQ1E050RPHZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.15 грн
10+ 45.15 грн
100+ 26.77 грн
500+ 22.39 грн
1000+ 19 грн
3000+ 17.2 грн
6000+ 16.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ1E050RPTRROHMDescription: ROHM - RQ1E050RPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.61 грн
19+ 40.69 грн
100+ 29.43 грн
500+ 23.18 грн
1000+ 15.46 грн
Мінімальне замовлення: 15
RQ1E050RPTRROHM SemiconductorMOSFET RECOMMENDED ALT 755-RF4E075ATTCR
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.83 грн
10+ 50.42 грн
100+ 34.14 грн
500+ 28.63 грн
1000+ 22.98 грн
3000+ 22.32 грн
6000+ 20.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ1E050RPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.77 грн
10+ 48.92 грн
100+ 38.12 грн
500+ 29.55 грн
1000+ 23.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ1E050RPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товар відсутній
RQ1E050RPTRROHMDescription: ROHM - RQ1E050RPTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.83 грн
500+ 25.95 грн
1000+ 18.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
RQ1E070RPHZGTRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -7A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товар відсутній
RQ1E070RPHZGTRROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 30V PCH -7A
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.77 грн
10+ 59.05 грн
100+ 39.92 грн
500+ 33.88 грн
1000+ 27.57 грн
3000+ 25.97 грн
6000+ 24.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
RQ1E070RPHZGTRRohm SemiconductorDescription: PCH -30V -7A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товар відсутній
RQ1E070RPTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RQ1E070RPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ1E070RPTRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
Pulsed drain current: -28A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RQ1E070RPTRROHM SemiconductorMOSFET MID PWR MOSFET SER
на замовлення 6245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.57 грн
10+ 71.73 грн
100+ 47.43 грн
500+ 40.19 грн
1000+ 32.81 грн
3000+ 30.82 грн
6000+ 29.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
RQ1E070RPTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1E070RPTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
на замовлення 7987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.63 грн
10+ 70.78 грн
100+ 55.19 грн
500+ 42.79 грн
1000+ 33.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
RQ1E075VN TRROHMTSMT8
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1E075XNTCRROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch MOSFET. MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in the
на замовлення 12048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.36 грн
10+ 49.88 грн
100+ 30.09 грн
500+ 25.18 грн
1000+ 21.39 грн
3000+ 18.6 грн
6000+ 18 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ1E075XNTCRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 30A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RQ1E075XNTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 26858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.89 грн
10+ 44.84 грн
100+ 31.07 грн
500+ 24.37 грн
1000+ 20.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
RQ1E075XNTCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.44 грн
6000+ 18.64 грн
9000+ 17.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RQ1E075XNTCRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 30A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RQ1E100XNTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товар відсутній
RQ1E100XNTRROHM SemiconductorMOSFET RECOMMENDED ALT 755-RF4E110BNTR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.94 грн
10+ 60.27 грн
100+ 40.79 грн
500+ 34.61 грн
1000+ 28.16 грн
3000+ 26.44 грн
6000+ 25.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
RQ1R50SHARP0222+
на замовлення 18373 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RQ1V-CH-A115IDECGeneral Purpose Relays Relay PCB SPDT 16A 120VAC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+816.82 грн
10+ 753.97 грн
25+ 583.22 грн
100+ 524.76 грн
250+ 466.31 грн
500+ 437.08 грн
1000+ 407.85 грн
RQ1V-CM-D24IDECDescription: IDEC - RQ1V-CM-D24 - POWER RELAY, SPDT, 24VDC, 12A, PC BOARD
tariffCode: 85364190
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Solder
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Non Latching
Kontaktmaterial: Silver Nickel
Kontaktstrom: 12A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 1.44kohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: -
Relaismontage: Through Hole
Produktpalette: RQ Series
productTraceability: No
Spulenspannung: 24VDC
Kontaktkonfiguration: SPDT
Kontaktspannung V AC: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.91 грн
10+ 312.22 грн
25+ 305.52 грн
50+ 277.47 грн
Мінімальне замовлення: 3