Продукція > RW4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RW4-002PRO SIGNALDescription: PRO SIGNAL - RW4-002 - UHF-Stecker vernickelt Messing RG59U
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: 0
Steckverbinderausführung: 0
Steckverbindermontage: 0
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Koaxialanschluss: 0
Impedanz: 0
Steckverbindertyp: 0
Produktpalette: 0
Koaxialkabeltypen: 0
productTraceability: No
Frequenz, max.: 0
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.99 грн
10+ 110.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
RW4-002 ZINCPRO SIGNALDescription: PRO SIGNAL - RW4-002 ZINC - UHF-Stecker Zink RG59U
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: 0
Steckverbinderausführung: 0
Steckverbindermontage: 0
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Koaxialanschluss: 0
Impedanz: 0
Steckverbindertyp: 0
Produktpalette: 0
Koaxialkabeltypen: 0
productTraceability: No
Frequenz, max.: 0
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.97 грн
17+ 45.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
RW4032AEssentra ComponentsDescription: WASHER FLAT RETAINING #4 NYLON
товар відсутній
RW4050AEssentra ComponentsDescription: WASHER FLAT RETAINING #4 NYLON
товар відсутній
RW4062AEssentra ComponentsDescription: WASHER FLAT RETAINING #4 NYLON
товар відсутній
RW40B17G201D3MDescription: MICRO-KLEAN RW SERIES FILTER CAR
товар відсутній
RW4125AEssentra ComponentsDescription: WASHER FLAT RETAINING #4 NYLON
товар відсутній
RW437032AEssentra ComponentsDescription: WASHER FLAT RETAINING 7/16 NYLON
товар відсутній
RW437062AEssentra ComponentsDescription: WASHER FLAT RETAINING 7/16 NYLON
товар відсутній
RW471EUROHM470 Ом 100 ШТ. 0805 5 %
на замовлення 52 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
RW4C045BCTCL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -20V -4.5A POWER MOSFET: RW4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
на замовлення 20630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.05 грн
10+ 46.98 грн
100+ 32.52 грн
500+ 25.5 грн
1000+ 21.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
RW4C045BCTCL1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 6215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.3 грн
10+ 53.09 грн
100+ 31.42 грн
500+ 26.3 грн
1000+ 24.25 грн
3000+ 20.66 грн
6000+ 19.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
RW4C045BCTCL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -20V -4.5A POWER MOSFET: RW4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
на замовлення 17765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.39 грн
6000+ 19.51 грн
9000+ 18.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RW4E045AJTCL1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.12 грн
10+ 78.68 грн
100+ 53.27 грн
500+ 44.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
RW4E045AJTCL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.17 грн
10+ 59.78 грн
100+ 46.53 грн
500+ 37.01 грн
1000+ 30.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
RW4E045AJTCL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
товар відсутній
RW4E045ATTCL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
товар відсутній
RW4E045ATTCL1ROHMDescription: ROHM - RW4E045ATTCL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.034 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.55 грн
300+ 24.07 грн
600+ 17.85 грн
1200+ 14.95 грн
2700+ 14.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
RW4E045ATTCL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.74 грн
10+ 42.97 грн
100+ 29.77 грн
500+ 23.34 грн
1000+ 19.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
RW4E045ATTCL1ROHMDescription: ROHM - RW4E045ATTCL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.034 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.4 грн
19+ 40.83 грн
100+ 21.61 грн
500+ 17.02 грн
1000+ 12.65 грн
Мінімальне замовлення: 16
RW4E045ATTCL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -30V -4.5A Power MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.19 грн
10+ 47.82 грн
100+ 28.76 грн
300+ 24.05 грн
900+ 20.46 грн
2400+ 18.2 грн
4800+ 16.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
RW4E065GNTCL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 15 V
товар відсутній
RW4E065GNTCL1ROHM SemiconductorMOSFET Nch 30V 6.5A, HEML1616L7, Power MOSFET.
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.24 грн
10+ 59.66 грн
100+ 40.39 грн
500+ 34.21 грн
1000+ 27.9 грн
3000+ 26.17 грн
6000+ 24.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
RW4E065GNTCL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 15 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.54 грн
10+ 53.14 грн
100+ 41.35 грн
500+ 32.89 грн
1000+ 26.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
RW4E075AJTCL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.76 грн
10+ 62.62 грн
100+ 48.73 грн
500+ 38.76 грн
1000+ 31.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
RW4E075AJTCL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товар відсутній
RW4E075AJTCL1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+79.82 грн
10+ 64.32 грн
100+ 43.58 грн
500+ 36.87 грн
1000+ 33.74 грн
3000+ 28.7 грн
9000+ 26.7 грн
Мінімальне замовлення: 4