Продукція > SQ3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQ30057D-106.25MHZPLETRONICS06+ ;
на замовлення 4842 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3185Q
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3226220KLB
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3245QIDT
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3300
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3300CAN
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3384P
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3384Q
на замовлення 964 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3384Q95
на замовлення 964 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3410EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
на замовлення 8303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.58 грн
10+ 41.65 грн
100+ 28.87 грн
500+ 22.64 грн
1000+ 19.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3410EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.99 грн
6000+ 17.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3410EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SQ3410EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
товар відсутній
SQ3410EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP
товар відсутній
SQ3410EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SQ3410EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
товар відсутній
SQ3410EV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 8A 5W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 18657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.62 грн
10+ 45.83 грн
100+ 27.17 грн
500+ 22.72 грн
1000+ 19.33 грн
3000+ 16.94 грн
6000+ 16.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3418AEEV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V
товар відсутній
SQ3418AEEV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 36100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.17 грн
10+ 51.79 грн
100+ 35.01 грн
500+ 29.69 грн
1000+ 24.25 грн
3000+ 22.72 грн
6000+ 21.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQ3418AEEV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V
товар відсутній
SQ3418AEEV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
на замовлення 7123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.28 грн
10+ 40.26 грн
100+ 28.63 грн
500+ 25.97 грн
1000+ 23.25 грн
3000+ 21.79 грн
6000+ 21.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3418AEEV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3418AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.026 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.24 грн
13+ 61.48 грн
100+ 47.76 грн
500+ 37.92 грн
1000+ 29.13 грн
3000+ 23.25 грн
6000+ 22.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ3418AEEV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3418AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.026 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.76 грн
500+ 37.92 грн
1000+ 29.13 грн
3000+ 23.25 грн
6000+ 22.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ3418AEEV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3418EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
товар відсутній
SQ3418EEV-T1-GE3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3418EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
товар відсутній
SQ3418EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
товар відсутній
SQ3418EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.65 грн
6000+ 15.19 грн
9000+ 14.06 грн
30000+ 13.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3418EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
на замовлення 32858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.83 грн
10+ 36.53 грн
100+ 25.3 грн
500+ 19.85 грн
1000+ 16.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3418EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.09 грн
6000+ 15.59 грн
9000+ 14.43 грн
30000+ 13.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3418EV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 54636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.58 грн
10+ 41.25 грн
100+ 24.44 грн
500+ 20.46 грн
1000+ 17.4 грн
3000+ 14.75 грн
6000+ 14.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3418EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
на замовлення 35700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.27 грн
10+ 37.57 грн
100+ 25.98 грн
500+ 20.37 грн
1000+ 17.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3419AEEV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 59940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.98 грн
10+ 42.17 грн
100+ 25.04 грн
500+ 20.92 грн
1000+ 18.33 грн
3000+ 15.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3419AEEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.55 грн
10+ 37.36 грн
100+ 25.88 грн
500+ 20.29 грн
1000+ 17.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3419AEEV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3419AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+46.57 грн
19+ 40.54 грн
100+ 31.22 грн
500+ 24.49 грн
1000+ 19.42 грн
3000+ 19.03 грн
Мінімальне замовлення: 16
SQ3419AEEV-T1_GE3VishayAutomotive P-Channel 60 V D-S 175 Degree C Mosfet
товар відсутній
SQ3419AEEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3419AEEV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified
на замовлення 28874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.28 грн
10+ 40.72 грн
100+ 25.04 грн
500+ 20.92 грн
1000+ 17.8 грн
3000+ 15.81 грн
6000+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3419EEV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 7.4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SQ3419EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ3419EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ3419EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
товар відсутній
SQ3419EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.11 грн
10+ 36.19 грн
100+ 25.06 грн
500+ 19.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3419EV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 33986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.58 грн
10+ 40.64 грн
100+ 24.44 грн
500+ 20.46 грн
1000+ 17.4 грн
3000+ 15.21 грн
6000+ 14.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3419EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.48 грн
6000+ 15.04 грн
9000+ 13.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3419EV-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SQ3419EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.13 грн
23+ 25.5 грн
25+ 24.92 грн
100+ 20.76 грн
250+ 14.38 грн
Мінімальне замовлення: 22
SQ3419EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 72881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.72 грн
10+ 37.43 грн
100+ 24.44 грн
500+ 20.46 грн
1000+ 17.4 грн
3000+ 15.48 грн
6000+ 14.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3419EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3419EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.83 грн
10+ 36.53 грн
100+ 25.3 грн
500+ 19.83 грн
1000+ 16.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3419EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ3419EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.84 грн
500+ 21.73 грн
1000+ 15.2 грн
5000+ 13.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ3419EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SQ3419EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3419EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.64 грн
6000+ 15.18 грн
9000+ 14.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3419EV-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -6.9A; Idm: -27A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -6.9A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
SQ3419EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 341
SQ3419EV-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -6.9A; Idm: -27A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -6.9A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SQ3419EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.97 грн
18+ 42.92 грн
100+ 28.84 грн
500+ 21.73 грн
1000+ 15.2 грн
5000+ 13.73 грн
Мінімальне замовлення: 15
SQ3425EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+48.14 грн
10+ 40.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3425EV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 20V (D-S)
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.58 грн
10+ 40.64 грн
100+ 24.44 грн
500+ 20.46 грн
1000+ 17.4 грн
3000+ 15.48 грн
6000+ 14.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3425EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP
товар відсутній
SQ3425EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
товар відсутній
SQ3425EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P Ch -20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.35 грн
10+ 49.27 грн
100+ 32.88 грн
500+ 25.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3425EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.02 грн
10+ 42.9 грн
100+ 32.89 грн
500+ 24.4 грн
1000+ 19.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3426AEEV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 41425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.28 грн
10+ 41.56 грн
100+ 25.04 грн
500+ 20.92 грн
1000+ 17.8 грн
3000+ 15.81 грн
6000+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3426AEEV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3426AEEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.55 грн
10+ 37.36 грн
100+ 25.88 грн
500+ 20.29 грн
1000+ 17.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3426AEEV-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SQ3426AEEV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 30254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.21 грн
10+ 33.99 грн
100+ 22.58 грн
500+ 19.26 грн
1000+ 16.61 грн
3000+ 15.41 грн
6000+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQ3426AEEV-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SQ3426AEEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.02 грн
6000+ 15.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3426CEV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 42mO 10V, 63mO 4.5V
на замовлення 18513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.21 грн
10+ 32.39 грн
100+ 21.06 грн
500+ 16.54 грн
1000+ 13.22 грн
3000+ 11.16 грн
9000+ 10.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQ3426CEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.21 грн
10+ 29.06 грн
100+ 20.2 грн
500+ 14.8 грн
1000+ 12.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQ3426CEV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3426CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+43.96 грн
21+ 36.89 грн
100+ 24.81 грн
500+ 18.13 грн
1000+ 12.9 грн
3000+ 11.75 грн
6000+ 10.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
SQ3426CEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
SQ3426EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
товар відсутній
SQ3426EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
товар відсутній
SQ3426EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ3426EV-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3426EV-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9939
товар відсутній
SQ3426EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.74 грн
10+ 44.08 грн
100+ 33.79 грн
500+ 25.07 грн
1000+ 20.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3426EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
товар відсутній
SQ3426EV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 224712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.32 грн
10+ 45.68 грн
100+ 27.57 грн
500+ 23.05 грн
1000+ 19.6 грн
3000+ 17.14 грн
6000+ 15.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3426EV-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.17 грн
6+ 43.46 грн
25+ 37.03 грн
31+ 31.97 грн
83+ 30.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQ3426EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 59981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.32 грн
10+ 45.68 грн
100+ 27.57 грн
500+ 23.05 грн
1000+ 19.6 грн
3000+ 17.4 грн
6000+ 16.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3426EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
на замовлення 53981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.17 грн
10+ 45.18 грн
100+ 34.65 грн
500+ 25.71 грн
1000+ 20.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3426EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 53390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.88 грн
15+ 51.42 грн
100+ 35.99 грн
500+ 26.43 грн
1000+ 19.86 грн
3000+ 18.08 грн
6000+ 17.76 грн
12000+ 17.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
SQ3426EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.63 грн
6000+ 18.49 грн
15000+ 17.81 грн
30000+ 16.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3426EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ3426EV-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.14 грн
10+ 34.87 грн
25+ 30.86 грн
31+ 26.64 грн
83+ 25.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3427AEEV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.58 грн
10+ 41.52 грн
100+ 28.75 грн
500+ 22.54 грн
1000+ 19.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3427AEEV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 149455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.94 грн
10+ 38.81 грн
100+ 25.57 грн
500+ 22.65 грн
1000+ 19.79 грн
3000+ 17.6 грн
6000+ 16.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ3427AEEV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.91 грн
6000+ 17.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3427AEEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.91 грн
6000+ 17.25 грн
9000+ 15.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3427AEEV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3427AEEV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 620714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.09 грн
10+ 46.22 грн
100+ 27.83 грн
500+ 23.25 грн
1000+ 19.79 грн
3000+ 17.6 грн
6000+ 16.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3427AEEV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3427AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.079 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 19490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.22 грн
500+ 24.22 грн
1000+ 20.44 грн
5000+ 18.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ3427AEEV-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: -5.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSOP6
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
товар відсутній
SQ3427AEEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.58 грн
10+ 41.52 грн
100+ 28.75 грн
500+ 22.54 грн
1000+ 19.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3427AEEV-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: -5.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSOP6
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SQ3427AEEV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3427AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.079 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 19490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.54 грн
15+ 50.15 грн
100+ 31.22 грн
500+ 24.22 грн
1000+ 20.44 грн
5000+ 18.52 грн
Мінімальне замовлення: 13
SQ3427EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
товар відсутній
SQ3427EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
товар відсутній
SQ3427EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
товар відсутній
SQ3427EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
товар відсутній
SQ3427EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
товар відсутній
SQ3427EV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 113735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.58 грн
10+ 40.64 грн
100+ 24.44 грн
500+ 20.46 грн
1000+ 17.4 грн
3000+ 14.95 грн
6000+ 14.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3427EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3427EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.079 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.38 грн
18+ 43.74 грн
100+ 27.42 грн
500+ 21.31 грн
1000+ 14.88 грн
5000+ 13.48 грн
Мінімальне замовлення: 15
SQ3427EV-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 5W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -5.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSOP6
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.44 грн
11+ 33.77 грн
25+ 30.45 грн
37+ 22.07 грн
100+ 20.9 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3427EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.64 грн
6000+ 15.18 грн
9000+ 14.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3427EV-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -21A
Power dissipation: 5W
Gate charge: 22nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -5.3A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TSOP6
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.53 грн
7+ 42.08 грн
25+ 36.53 грн
37+ 26.49 грн
100+ 25.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQ3427EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 452505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.58 грн
10+ 40.64 грн
100+ 24.44 грн
500+ 20.46 грн
1000+ 17.4 грн
3000+ 15.48 грн
6000+ 14.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3427EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3427EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.079 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.42 грн
500+ 21.31 грн
1000+ 14.88 грн
5000+ 13.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ3427EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.83 грн
10+ 36.53 грн
100+ 25.3 грн
500+ 19.83 грн
1000+ 16.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3427EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3442EV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
товар відсутній
SQ3442EV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ3442EV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
товар відсутній
SQ3456BEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ3456BEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
товар відсутній
SQ3456BEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ3456BEV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 7.8A 4W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SQ3456BEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3456BEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
товар відсутній
SQ3456CEVVishayTrans MOSFET N-CH 30V 7.8A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+16.54 грн
38+ 15.43 грн
50+ 14.38 грн
Мінімальне замовлення: 35
SQ3456CEVVishayTrans MOSFET N-CH 30V 7.8A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ3456CEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3456CEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.08 грн
10+ 31.62 грн
100+ 23.6 грн
500+ 17.4 грн
1000+ 13.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ3456CEV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET Automotive N-Channel 30V 175C MOSFET 35mO 10V, 52mO 4.5V
на замовлення 5759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
10+ 31.24 грн
100+ 20.26 грн
500+ 15.94 грн
1000+ 12.75 грн
3000+ 10.76 грн
9000+ 9.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQ3456EV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 30V 6TSOP
товар відсутній
SQ3457EV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 5823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+38.9 грн
10+ 34.15 грн
100+ 22.52 грн
500+ 19.93 грн
1000+ 17.4 грн
3000+ 15.15 грн
6000+ 14.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ3457EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.45 грн
10+ 44.35 грн
100+ 34.02 грн
500+ 25.24 грн
1000+ 20.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3457EV-T1_BE3VISHAYSQ3457EV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SQ3457EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3457EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.64 грн
6000+ 15.18 грн
9000+ 14.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3457EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 17803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.41 грн
50+ 35.92 грн
100+ 27.42 грн
500+ 18.13 грн
1500+ 16.41 грн
Мінімальне замовлення: 17
SQ3457EV-T1_GE3VISHAYSQ3457EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SQ3457EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6.8A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3457EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.83 грн
10+ 36.53 грн
100+ 25.3 грн
500+ 19.83 грн
1000+ 16.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3457EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 17803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.42 грн
500+ 18.13 грн
1500+ 16.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ3457EV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 203399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.21 грн
10+ 33.23 грн
100+ 21.19 грн
500+ 18.33 грн
1000+ 16.14 грн
3000+ 14.95 грн
6000+ 14.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQ3460EV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ3460EV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
товар відсутній
SQ3460EV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQ3460EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3460EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.08 грн
500+ 35.08 грн
1000+ 24.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ3460EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SQ3460EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3460EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.5 грн
12+ 62.67 грн
100+ 45.08 грн
500+ 35.08 грн
1000+ 24.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQ3460EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V 8A 3.6W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.6 грн
10+ 59.35 грн
100+ 40.19 грн
500+ 33.68 грн
1000+ 27.04 грн
3000+ 25.64 грн
6000+ 24.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQ3461EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
товар відсутній
SQ3461EV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 47953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.49 грн
10+ 48.2 грн
100+ 28.56 грн
500+ 23.85 грн
1000+ 20.33 грн
3000+ 17.8 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3461EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
товар відсутній
SQ3461EV-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.6A; 1.67W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6.6A
Power dissipation: 1.67W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SQ3461EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
товар відсутній
SQ3461EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SQ3461EV-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.6A; 1.67W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6.6A
Power dissipation: 1.67W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SQ3461EV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 16631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.49 грн
10+ 47.36 грн
100+ 28.56 грн
500+ 23.85 грн
1000+ 20.33 грн
3000+ 18.07 грн
6000+ 17.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ3461EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SQ3461EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
товар відсутній
SQ3461EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SQ3469EV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SQ3469EV-T1_GE3
товар відсутній
SQ3469EV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6
товар відсутній
SQ3469EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.94 грн
6000+ 13.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3469EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 8655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
10+ 32.8 грн
100+ 22.71 грн
500+ 17.81 грн
1000+ 15.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ3469EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
товар відсутній
SQ3469EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.11 грн
10+ 36.05 грн
100+ 24.97 грн
500+ 19.58 грн
1000+ 16.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3469EV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 8A 5W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.58 грн
10+ 41.25 грн
100+ 24.44 грн
500+ 20.46 грн
1000+ 17.4 грн
3000+ 15.21 грн
6000+ 14.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3481EV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-Channel 30V Automotive MOSFET
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SQ3481EV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 50541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.34 грн
10+ 31.55 грн
100+ 21.72 грн
500+ 19.73 грн
1000+ 17.4 грн
3000+ 15.15 грн
6000+ 14.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQ3481EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
товар відсутній
SQ3481EV-T1_BE3VISHAYSQ3481EV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SQ3481EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
товар відсутній
SQ3481EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
товар відсутній
SQ3481EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP
товар відсутній
SQ3481EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 43768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.58 грн
10+ 40.64 грн
100+ 24.44 грн
500+ 20.46 грн
1000+ 17.4 грн
3000+ 15.15 грн
6000+ 14.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3493EV-T1_GE3VISHAYSQ3493EV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SQ3493EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3493EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 11064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.65 грн
500+ 21.52 грн
1000+ 15.27 грн
5000+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ3493EV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.58 грн
10+ 41.63 грн
100+ 24.64 грн
500+ 20.66 грн
1000+ 17.54 грн
3000+ 15.88 грн
6000+ 14.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3493EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.99 грн
10+ 37.92 грн
100+ 26.25 грн
500+ 20.58 грн
1000+ 17.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3493EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3493EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 11064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.38 грн
17+ 44.78 грн
100+ 27.65 грн
500+ 21.52 грн
1000+ 15.27 грн
5000+ 14.95 грн
Мінімальне замовлення: 15
SQ3493EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3495EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3495EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.72 грн
500+ 21.59 грн
1000+ 14.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ3495EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.55 грн
10+ 36.95 грн
100+ 25.56 грн
500+ 20.04 грн
1000+ 17.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3495EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3495EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.13 грн
17+ 44.19 грн
100+ 27.72 грн
500+ 21.59 грн
1000+ 14.88 грн
Мінімальне замовлення: 15
SQ3495EV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 14384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.21 грн
10+ 33.38 грн
100+ 21.59 грн
500+ 18.73 грн
1000+ 16.47 грн
3000+ 15.41 грн
6000+ 14.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQ3495EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.81 грн
6000+ 15.33 грн
9000+ 14.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3585EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+116.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3585EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.57A/2.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SQ3585EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.64 грн
10+ 208.54 грн
25+ 172.04 грн
100+ 146.8 грн
250+ 138.83 грн
500+ 130.86 грн
1000+ 111.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQ3585EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.09 грн
10+ 200.66 грн
25+ 189.73 грн
100+ 154.33 грн
250+ 146.41 грн
500+ 131.37 грн
1000+ 108.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQ3985EV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 20V (D-S)
на замовлення 12720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.58 грн
10+ 41.25 грн
100+ 24.44 грн
500+ 20.46 грн
1000+ 17.4 грн
3000+ 15.74 грн
6000+ 14.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3985EV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 131909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.58 грн
10+ 40.64 грн
100+ 24.44 грн
500+ 20.46 грн
1000+ 17.4 грн
3000+ 15.34 грн
6000+ 14.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3985EV-T1_GE3Vishay
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3985EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 6-Pin TSOP
товар відсутній
SQ3987EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 7888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.07 грн
18+ 42.85 грн
100+ 29.73 грн
500+ 21.8 грн
1000+ 19.67 грн
3000+ 19.29 грн
6000+ 18.84 грн
Мінімальне замовлення: 15
SQ3987EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 66742 шт:
термін постачання 551-560 дні (днів)
7+50.37 грн
10+ 43.92 грн
100+ 29.29 грн
500+ 23.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQ3987EV-T1_GE3
Код товару: 174743		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SQ3987EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3987EV-T1_GE3VishayDUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
товар відсутній
SQ3987EV-T1_GE3VishayDUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
товар відсутній
SQ3987EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.73 грн
500+ 21.8 грн
1000+ 19.67 грн
3000+ 19.29 грн
6000+ 18.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQ3987EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.52 грн
10+ 33.21 грн
100+ 23 грн
500+ 18.03 грн
1000+ 15.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ3989EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
товар відсутній
SQ3989EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
товар відсутній
SQ3989EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.08 грн
10+ 31.28 грн
100+ 21.78 грн
500+ 15.96 грн
1000+ 12.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ3989EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQ3989EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET Dual P-Channel 30V TSOP-6
на замовлення 237505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.07 грн
10+ 34.6 грн
100+ 21.06 грн
500+ 16.47 грн
1000+ 13.15 грн
3000+ 11.36 грн
9000+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQ3D02457D6JFA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3D02600B-2JBA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3D02600B2
на замовлення 634 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3D02600B2INE
на замовлення 634 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3D02600B2JBA
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3D02600C2
на замовлення 15121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3D02600C2HBA
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3D02600C2JBA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3D02600C2JBAPb
на замовлення 15121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3D02600C2JBAPb10PF10PPM
на замовлення 15121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3D02600C2JBAPb26MHZ10PF10PPM
на замовлення 15121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3D02600L2LNAQFN??
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3D02600LZLNAEPCOSQFN??
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3O00800DICNC-PMCSAMSUNGN/A
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3U02400D6JFASAMSUNGEMCeramic SMD Crystal 24MHz 3225 �30PPM �30PPM -30 ~ +70C 12pf 60R ESR
товар відсутній
SQ3U02457D6
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3U02457D6JFASAMSUNG08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3U02457D6JFA12PF30PPM
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3U02457D6JFA24.576MHZ12PF30PPM
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3U02600C3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQ3U02600C3HCA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)