Продукція > SQS

Automotive Connectors SQUIB FEMALE FEMALE

на замовлення 386684 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	24.26 грн
16+	19.94 грн
100+	13.48 грн
500+	11.56 грн
1000+	9.63 грн
2500+	8.83 грн
6500+	7.51 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQS-A03GF-P-P

J.S.T. Deutschland GmbH

Contact SKT Crimp ST Cable Mount 21-23AWG Reel Automotive

товар відсутній

SQS-A03GI-P-P

J.S.T. Deutschland GmbH

Contact Body used with Connectors

товар відсутній

SQS140ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 153A Automotive AEC-Q101 T/R

товар відсутній

SQS140ELNW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 2.53 mohm a. 10V, 3.45 mohm a. 4.5V

на замовлення 4740 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	77.5 грн
10+	63.17 грн
100+	42.78 грн
500+	36.2 грн
1000+	29.49 грн
3000+	27.77 грн
6000+	26.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS140ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

товар відсутній

SQS140ENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 8075 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.22 грн
10+	74.63 грн
100+	50.15 грн
500+	42.51 грн
1000+	34.61 грн
3000+	31.88 грн
6000+	30.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS140ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.26 грн
10+	78.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS141ELNW-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -79A; Idm: -227A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -79A
Pulsed drain current: -227A
Power dissipation: 119W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 141nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SQS141ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS141ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 3810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	60.88 грн
50+	52.31 грн
100+	43.74 грн
500+	39.09 грн
1500+	35.38 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQS141ELNW-T1_GE3

товар відсутній

SQS141ELNW-T1_GE3

на замовлення 3810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	43.74 грн
500+	39.09 грн
1500+	35.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQS141ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 10305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	71.37 грн
10+	57.6 грн
100+	38.99 грн
500+	37.53 грн
3000+	31.88 грн
6000+	31.22 грн
9000+	30.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V

товар відсутній

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 6550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	70.72 грн
12+	62.37 грн
100+	47.76 грн
500+	35.15 грн
1000+	23.44 грн
5000+	22.74 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQS142ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 24434 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.03 грн
10+	58.06 грн
100+	34.41 грн
500+	28.76 грн
1000+	25.18 грн
3000+	21.32 грн
6000+	20.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V

на замовлення 3044 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.7 грн
10+	59.3 грн
100+	45.48 грн
500+	33.74 грн
1000+	26.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS142ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - AUTOMOTIVE N-CH 40 V (D-S) MOSFET

на замовлення 6550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.76 грн
500+	35.15 грн
1000+	23.44 грн
5000+	22.74 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQS142ENW-T1/GE3

товар відсутній

SQS142ENW-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 110A; Idm: 271A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 271A
Power dissipation: 113W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQS142ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive AEC-Q101 T/R

товар відсутній

SQS142ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V

товар відсутній

SQS142ENW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 29189 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.56 грн
10+	56.68 грн
100+	33.61 грн
500+	28.1 грн
1000+	24.58 грн
3000+	20.79 грн
6000+	20.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS142ENW-T1_GE3

товар відсутній

SQS142ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 25 V

на замовлення 2958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.54 грн
10+	57.36 грн
100+	43.99 грн
500+	32.63 грн
1000+	26.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS160ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 74261 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.6 грн
10+	57.52 грн
100+	38.93 грн
500+	33.01 грн
1000+	26.9 грн
3000+	25.24 грн
6000+	24.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS164ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 82A T/R

товар відсутній

SQS164ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 11823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.69 грн
10+	50.57 грн
100+	34.21 грн
500+	32.95 грн
3000+	27.97 грн
6000+	27.43 грн
9000+	26.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS16A1001JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 1K OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16A10R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 10 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16A33R0JL

на замовлення 105 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS16A33R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 33 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16A5100JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 510 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16A51R0JSLF

Description: RES ARRAY 8 RES 51 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B-2002JS

03+

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS16B1000FS

на замовлення 77 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS16B1000GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 100 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B1001GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 1K OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B1001JL

на замовлення 320 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS16B1002GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 10K OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B2001GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 2K OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B2200GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 220 OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B47010JL

на замовлення 170 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS16B4701GSLF

Description: RES ARRAY 15 RES 4.7K OHM 16SSOP

товар відсутній

SQS16B4701JL

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS180ELNW

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V

товар відсутній

SQS180ELNW-T1-GE3

Vishay N-CHANNEL 80 V MOSFET PWR

товар відсутній

SQS180ELNW-T1/GE3

MOSFET

товар відсутній

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS180ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 82 A, 0.0053 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	84.2 грн
12+	65.05 грн
100+	46.95 грн
500+	41.86 грн
1000+	32.83 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.88 грн
6000+	26.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS180ELNW-T1_GE3

MOSFET

на замовлення 7144 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.41 грн
10+	61.8 грн
100+	41.85 грн
500+	40.19 грн
3000+	34.14 грн
6000+	33.48 грн
9000+	32.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS180ELNW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 82A

товар відсутній

SQS180ELNW-T1_GE3

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	46.95 грн
500+	41.86 грн
1000+	32.83 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQS180ELNW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3689 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.7 грн
10+	55.01 грн
100+	42.79 грн
500+	34.04 грн
1000+	27.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS180ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS180ENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 8.67 mohm a. 10V

на замовлення 5295 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.77 грн
10+	58.67 грн
100+	39.72 грн
500+	33.68 грн
1000+	28.76 грн
3000+	24.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS180ENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.67mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3092 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.11 грн
10+	52.31 грн
100+	40.66 грн
500+	32.34 грн
1000+	26.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS181ELNW-T1_GE3

MOSFET Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 31 mohm a. 10V, 48 mohm a. 4.5V

на замовлення 12980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.41 грн
10+	61.8 грн
100+	41.85 грн
500+	35.47 грн
1000+	28.9 грн
3000+	25.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS182ELNW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 13.2 mohm a. 10V, 15.6 mohm a. 4.5V

на замовлення 5381 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.3 грн
10+	49.19 грн
100+	33.28 грн
500+	32.02 грн
3000+	27.17 грн
6000+	26.64 грн
9000+	26.11 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS20B-1001FS

на замовлення 51 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS20B1001GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 1K OHM 20SSOP

товар відсутній

SQS20B1002GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 10K OHM 20SSOP

товар відсутній

SQS20B1501GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 1.5K OHM 20SSOP

товар відсутній

SQS20B4701GSLF

Description: RES ARRAY 19 RES 4.7K OHM 20SSOP

товар відсутній

SQS24A1001FS

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQS24B1002GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 10K OHM 24SSOP

товар відсутній

SQS24B4701GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 4.7K OHM 24SSOP

товар відсутній

SQS24B5001GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 5K OHM 24SSOP

товар відсутній

SQS24B5101GSLF

Description: RES ARRAY 23 RES 5.1K OHM 24SSOP

товар відсутній

SQS2C-02H-1A-R

Automotive Connectors RED CPA HOUSING RESTRICTED PART

товар відсутній

SQS2L-02H-1A-Y

Automotive Connectors 2 CIR YELLOW CVR HSG RESTRICTED PART

товар відсутній

SQS2R-02H-2C-D

Automotive Connectors YELLOW FEMALE HSG RESTRICTED PART

товар відсутній

SQS400EN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A TO263

товар відсутній

SQS401EN-T1"BE3

Description: VISHAY - SQS401EN-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 16A, POWERPAK 1212
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 6798 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	69.3 грн
25+	56.63 грн
50+	50.67 грн
100+	40.82 грн
250+	35.13 грн
500+	31.94 грн

Мінімальне замовлення: 11

SQS401EN-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK 1212-8

товар відсутній

SQS401EN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS401EN-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.75 грн
6000+	22.7 грн
9000+	21.65 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS401EN-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 987823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.86 грн
10+	51.03 грн
100+	35.01 грн
500+	30.09 грн
1000+	24.51 грн
3000+	23.05 грн
6000+	21.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS401EN-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1875 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 108247 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.64 грн
10+	47.12 грн
100+	36.67 грн
500+	29.17 грн
1000+	23.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS401EN-T1_GE3

MOSFET 40V 16A 62.5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 108781 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQS401EN-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16A; Idm: -64A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS401EN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.75 грн
13+	60.21 грн
100+	45.08 грн
500+	38.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3
Код товару: 183342

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 1921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS401EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3

товар відсутній

SQS401EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS401ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

на замовлення 4830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS401ENW-T1_GE3

MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 141950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.95 грн
10+	67.07 грн
100+	45.5 грн
500+	37.6 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS401ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS405CENW

SQS405CENW

товар відсутній

SQS405CENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS405CENW-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C AEC-Q101

на замовлення 28893 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.62 грн
10+	45.3 грн
100+	26.9 грн
500+	24.18 грн
3000+	20.53 грн
6000+	20.06 грн
9000+	19.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS405CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm

на замовлення 17795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	57.9 грн
16+	48.51 грн
100+	30.18 грн
500+	25.19 грн
1000+	19.74 грн
5000+	18.97 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQS405CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.42 грн
10+	39.72 грн
100+	27.51 грн
500+	21.57 грн
1000+	18.36 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQS405CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS405CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0106ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm

на замовлення 17795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.18 грн
500+	25.19 грн
1000+	19.74 грн
5000+	18.97 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQS405CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS405EN-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS405EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.92 грн
6000+	26.52 грн
9000+	25.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS405EN-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS405EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20778 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.7 грн
10+	55.08 грн
100+	42.84 грн
500+	34.08 грн
1000+	27.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS405EN-T1_GE3

MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified

товар відсутній

SQS405ENW-T1_GE3

товар відсутній

SQS405ENW-T1_GE3

MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQS405ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS405ENW-T1_GE3

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.7 грн
10+	55.08 грн
100+	42.84 грн
500+	34.08 грн
1000+	27.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS407ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS407ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0265
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

SQS407ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 28993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.67 грн
10+	51.2 грн
100+	39.83 грн
500+	31.68 грн
1000+	25.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS407ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4572 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 28993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.89 грн
6000+	24.66 грн
9000+	23.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS407ENW-T1_GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 71948 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.69 грн
10+	51.49 грн
100+	36.07 грн
500+	31.29 грн
1000+	26.11 грн
3000+	25.31 грн
6000+	24.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS411ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	60.36 грн
10+	50.23 грн
100+	34.79 грн
500+	27.28 грн
1000+	23.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS411ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS411ENW-T1_GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

на замовлення 3303 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.56 грн
10+	56.76 грн
100+	33.68 грн
500+	28.1 грн
1000+	23.98 грн
3000+	21.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS411ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS411ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53.6W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm

на замовлення 8402 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	75.26 грн
12+	62.15 грн
100+	44.19 грн
500+	34.67 грн
1000+	27.46 грн
3000+	23.31 грн
6000+	22.8 грн

Мінімальне замовлення: 10

SQS411ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.3mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3191 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS414CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R

товар відсутній

SQS414CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1023 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.64 грн
10+	47.36 грн
100+	31.62 грн
500+	29.36 грн
3000+	29.29 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS414CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

товар відсутній

SQS414CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

товар відсутній

SQS415ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.27 грн
6000+	25.92 грн
9000+	24.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS415ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS415ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm

на замовлення 13083 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	84.2 грн
11+	71.01 грн
100+	51.57 грн
500+	39.58 грн
1000+	30.53 грн
3000+	29.96 грн
6000+	29.25 грн
12000+	28.68 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQS415ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4825 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.26 грн
10+	53.83 грн
100+	41.88 грн
500+	33.31 грн
1000+	27.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS415ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS415ENW-T1_GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs POWERPAK 1212-8W

на замовлення 24038 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.54 грн
10+	59.74 грн
100+	40.45 грн
500+	34.28 грн
1000+	27.9 грн
3000+	26.24 грн
6000+	25.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS420EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS420EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8

товар відсутній

SQS420EN-T1_GE3

MOSFET 20V 8A 18W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 13865 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.9 грн
10+	56.3 грн
100+	38.06 грн
500+	32.28 грн
1000+	26.3 грн
3000+	24.25 грн
6000+	23.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS420EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8

товар відсутній

SQS420EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS423EN-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 5975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQS423EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS423EN-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212

товар відсутній

SQS423EN-T1_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3015 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQS423ENW-T1_GE3

MOSFET 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 2059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.51 грн
10+	53.78 грн
100+	39.32 грн
500+	30.62 грн
1000+	26.04 грн
3000+	20.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS423ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

на замовлення 2674 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS423ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS423ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

товар відсутній

SQS460CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.3 грн
10+	42.14 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS460CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS460EN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8

товар відсутній

SQS460EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 61799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.2 грн
10+	64.07 грн
100+	49.81 грн
500+	39.62 грн
1000+	32.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS460EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.62 грн
6000+	30.83 грн
9000+	29.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS460EN-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V

на замовлення 34072 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.69 грн
10+	50.57 грн
100+	34.21 грн
500+	29.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS460EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS460EN-T1_GE3

MOSFET 60V 8A 39W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 90456 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.12 грн
10+	72.49 грн
100+	48.69 грн
500+	41.25 грн
1000+	33.61 грн
3000+	31.55 грн
6000+	30.09 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS460EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V

на замовлення 5200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.2 грн
10+	64.07 грн
100+	49.81 грн
500+	39.62 грн
1000+	32.27 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS460EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	33.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS460ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS460ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS460ENW-T1_GE3

MOSFET 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 37852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.3 грн
10+	49.81 грн
100+	33.68 грн
500+	28.56 грн
1000+	23.25 грн
3000+	21.85 грн
6000+	20.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS462EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.91 грн
6000+	25.59 грн
9000+	24.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS462EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 12090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.54 грн
10+	53.14 грн
100+	41.34 грн
500+	32.89 грн
1000+	26.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS462EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS462EN-T1_GE3

MOSFET 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 11900 шт:

термін постачання 191-200 дні (днів)

5+	76.49 грн
10+	67.38 грн
100+	45.63 грн
500+	37.73 грн
1000+	29.76 грн
3000+	27.7 грн
6000+	26.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS462EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS462EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.39 грн
10+	51.76 грн
100+	40.24 грн
500+	32.02 грн
1000+	26.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS464EEN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS466EEN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS481ENW-T1_GE3

MOSFET -150V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 172233 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.83 грн
10+	47.67 грн
100+	32.22 грн
500+	27.97 грн
1000+	23.05 грн
3000+	21.12 грн
6000+	20.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS481ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.05 грн
10+	44.28 грн
100+	34.43 грн
500+	27.39 грн
1000+	22.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS481ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS481ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 4.7 A, 0.91 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm

на замовлення 4896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.92 грн
500+	28.85 грн
1000+	20.82 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQS481ENW-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 150V 4.7A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS481ENW-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.095Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.24 грн
6000+	21.32 грн
9000+	20.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS481ENW-T1_GE3

на замовлення 4896 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	63.34 грн
15+	50.15 грн
100+	35.92 грн
500+	28.85 грн
1000+	20.82 грн

Мінімальне замовлення: 12

SQS482EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS482EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V

на замовлення 7987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.2 грн
10+	45.6 грн
100+	35.44 грн
500+	28.19 грн
1000+	22.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS482EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS482EN-T1_GE3

MOSFET 30V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.26 грн
10+	58.74 грн
100+	39.86 грн
500+	32.88 грн
1000+	25.97 грн
3000+	24.25 грн
6000+	22.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS482EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1865 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS482ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS482ENW-T1_GE3

MOSFET 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 3794 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQS484CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W

на замовлення 4517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS484CENW-T1_GE3

N-Channel MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS484CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40V PowerPAK 1212-8W

на замовлення 8997 шт:

термін постачання 378-387 дні (днів)

5+	62.62 грн
10+	54.24 грн
100+	36.33 грн
500+	30.69 грн
1000+	26.3 грн
3000+	21.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS484CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQS484EN-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.61 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS484EN-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V

на замовлення 266620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.79 грн
10+	44.46 грн
100+	31.02 грн
500+	26.77 грн
1000+	22.25 грн
3000+	21.52 грн
6000+	21.19 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS484EN-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 5497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.39 грн
10+	56.05 грн
100+	43.68 грн
500+	33.86 грн
1000+	26.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_GE3

MOSFET 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5377 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.32 грн
10+	65.85 грн
100+	44.64 грн
500+	36.93 грн
1000+	29.16 грн
3000+	27.1 грн
6000+	25.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS484EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

товар відсутній

SQS484EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1855 pF @ 25 V

на замовлення 14249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.57 грн
10+	62.27 грн
100+	48.53 грн
500+	37.62 грн
1000+	29.7 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQS484ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 62.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 62.5
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SQS484ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 34750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.64 грн
10+	49.82 грн
100+	34.49 грн
500+	27.05 грн
1000+	23.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS484ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.69 грн
6000+	20.7 грн
9000+	19.17 грн
30000+	17.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS484ENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS484ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 16 A, 0.0065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 62.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS484ENW-T1_GE3

MOSFET N-Channel 40V PowerPAK 1212-8W

на замовлення 14980 шт:

термін постачання 1195-1204 дні (днів)

5+	69.2 грн
10+	60.27 грн
100+	40.19 грн
500+	31.75 грн
1000+	25.44 грн
3000+	22.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS484ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS486CENW-T1_GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8W, 5.1 m @ 10V, 7.3 m @ 4.5V

товар відсутній

SQS486CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 26800 шт:

термін постачання 702-711 дні (днів)

5+	72.15 грн
10+	62.79 грн
100+	41.85 грн
500+	33.08 грн
1000+	26.5 грн
3000+	23.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS486CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.51 грн
10+	51.9 грн
100+	35.91 грн
500+	28.16 грн
1000+	23.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS486CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.62 грн
6000+	21.54 грн
9000+	19.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS660CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

товар відсутній

SQS660CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQS660CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 71344 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.86 грн
10+	56.99 грн
100+	38 грн
500+	30.09 грн
1000+	24.05 грн
3000+	21.79 грн
9000+	19.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS660CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

товар відсутній

SQS840CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS840CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm

на замовлення 12872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	56.63 грн
16+	47.62 грн
100+	29.58 грн
500+	22.97 грн
1000+	15.27 грн
5000+	14.43 грн

Мінімальне замовлення: 14

SQS840CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS840CENW-T1_GE3

MOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

на замовлення 5386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.45 грн
10+	42.47 грн
100+	25.84 грн
500+	21.59 грн
1000+	18.33 грн
3000+	16.34 грн
6000+	15.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQS840CENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK 1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.71 грн
10+	38.54 грн
100+	26.67 грн
500+	20.91 грн
1000+	17.8 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQS840CENW-T1_GE3

Description: VISHAY - SQS840CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.014 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm

на замовлення 12872 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.27 грн
5000+	14.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS840EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS840EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V

на замовлення 5953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.8 грн
10+	51.76 грн
100+	35.84 грн
500+	28.1 грн
1000+	23.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS840EN-T1_GE3

MOSFET 40V 12A 33W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.03 грн
10+	58.44 грн
100+	35.74 грн
500+	29.76 грн
1000+	24.64 грн
3000+	21.99 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS840EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1863 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.8 грн
10+	51.76 грн
100+	35.84 грн
500+	28.1 грн
1000+	23.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS840EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1031 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQS850EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.39 грн
10+	51.9 грн
100+	40.34 грн
500+	32.09 грн
1000+	26.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS850EN-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V

товар відсутній

SQS850EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V

на замовлення 4911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.39 грн
10+	51.9 грн
100+	40.34 грн
500+	32.09 грн
1000+	26.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS850EN-T1_GE3

MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 17114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.19 грн
10+	47.29 грн
100+	33.68 грн
500+	29.69 грн
1000+	25.77 грн
2500+	24.51 грн
5000+	23.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQS850EN-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2021 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS940ELNW-T1/GE3

товар відсутній

SQS944ENW-T1_GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 26294 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.34 грн
10+	53.47 грн
100+	36.2 грн
500+	30.69 грн
1000+	25.04 грн
3000+	23.25 грн
6000+	22.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS966ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26 грн
6000+	23.84 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQS966ENW-T1_GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W

на замовлення 42073 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.9 грн
10+	55.54 грн
100+	38 грн
500+	32.22 грн
1000+	26.24 грн
3000+	24.91 грн
6000+	23.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS966ENW-T1_GE3

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8691 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.23 грн
10+	49.54 грн
100+	38.51 грн
500+	30.64 грн
1000+	24.96 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQS966ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQSA12CENW

Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET AEC-Q101 qualified

товар відсутній

SQSA12CENW-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 26568 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.86 грн
10+	55.38 грн
100+	33.41 грн
500+	27.9 грн
1000+	23.78 грн
3000+	21.12 грн
6000+	20.06 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQSA12CENW-T1_GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQSA12CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQSA12CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.64 грн
10+	49.68 грн
100+	34.42 грн
500+	26.99 грн
1000+	22.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	26.12 грн
6000+	23.96 грн
9000+	22.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQSA70CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 150 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 31563 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.23 грн
10+	49.75 грн
100+	38.71 грн
500+	30.79 грн
1000+	25.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.42 грн
10+	55.63 грн
100+	43.28 грн
500+	34.43 грн
1000+	28.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQSA80ENW-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.22 грн
6000+	26.8 грн
9000+	25.56 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQSA80ENW-T1_GE3

MOSFET 80V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7366 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.41 грн
10+	61.88 грн
100+	41.91 грн
500+	35.54 грн
1000+	28.9 грн
3000+	27.17 грн
6000+	25.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQSA80ENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R

товар відсутній

SQSA82CENW-T1/GE3

товар відсутній

SQSA82CENW-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 35A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQSA82CENW-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 80V 12A Automotive T/R

товар відсутній

SQSA82CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14607 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.39 грн
10+	35.01 грн
100+	24.33 грн
500+	17.83 грн
1000+	14.49 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQSA82CENW-T1_GE3

товар відсутній

SQSA82CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.33 грн
6000+	13.1 грн
9000+	12.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

SQSA82CENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80V (D-S) 175C MOSFET W 37mohms SG

на замовлення 30187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	39.04 грн
100+	25.31 грн
500+	19.93 грн
1000+	15.88 грн
3000+	13.48 грн
9000+	12.16 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQSA84CENW-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 16A; Idm: 54A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 27W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

SQSA84CENW-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET W, 32 mO 10V, 37 mO 4.5V

на замовлення 22788 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.94 грн
10+	37.81 грн
100+	22.45 грн
500+	18.73 грн
1000+	16.34 грн
3000+	13.88 грн
6000+	13.42 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQSA84CENW-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.96 грн
10+	34.39 грн
100+	23.79 грн
500+	18.65 грн
1000+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQSA84CENW-T1_GE3

товар відсутній

SQSA84CENW-T1_GE3