Продукція > TPW

Description: FUSE RECTANGULR 150A 80VDC BLADE

товар відсутній

TPW-150

Specialty Fuses TPW 150 AMP FUSE

товар відсутній

TPW-175

Description: FUSE RECTANGULR 175A 80VDC BLADE

товар відсутній

TPW-175

Specialty Fuses TPW 175 AMP FUSE

товар відсутній

TPW-200

Description: FUSE RECTANGULR 200A 80VDC BLADE

товар відсутній

TPW-200

Specialty Fuses TPW 200 AMP FUSE

товар відсутній

TPW-225

Description: FUSE RECTANGULR 225A 80VDC BLADE

товар відсутній

TPW-225

Eaton - Bussmann Electrical Division

Specialty Fuses TPW 225 AMP FUSE

товар відсутній

TPW-250

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TPW-250

Description: FUSE RECT 250A 80VDC BLADE
Packaging: Bulk
Features: Indicating
Package / Case: Blade Type, Module
Size / Dimension: 2.495" L x 1.459" W x 3.681" H (63.37mm x 37.06mm x 93.50mm)
Fuse Type: Rectangular
Current Rating (Amps): 250A
Mounting Type: Requires Holder
Applications: Telecom
Approval Agency: UR
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 100kA
Voltage Rating - DC: 80 VDC

товар відсутній

TPW-250

Specialty Fuses TPW 250 AMP FUSE

товар відсутній

TPW-400DT-12/24

Tycon Systems

Description: WIND TURBINE, HORIZ, 400W 12/24V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPW-ALPU 160K

Category: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 160mm; W: 50mm; H: 200mm; rigid; 600kg; ALPU
Manufacturer series: ALPU
Material: polyurethane
Base dimensions: 135x110mm
Kind of Bearing: ball bearing
Body material: steel sheet
Height: 200mm
Shore hardness: 94
Version: rigid; with mounting plate
Type of mounting element: transport wheel
Force: 600kg
Wheel diameter: 160mm
Wheel width: 50mm
Mounting holes pitch: 105x80mm
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2481.39 грн
2+	2262.57 грн

TPW-ALPU 160K

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2067.82 грн

TPW-ALPU 200K

Category: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 200mm; W: 50mm; H: 240mm; rigid; 800kg; ALPU
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 200mm
Wheel width: 50mm
Height: 240mm
Version: rigid; with mounting plate
Force: 800kg
Material: polyurethane
Body material: steel sheet
Shore hardness: 94
Manufacturer series: ALPU
Kind of Bearing: ball bearing
Base dimensions: 135x110mm
Mounting holes pitch: 105x80mm

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2309.25 грн

TPW-ALPU 200K

на замовлення 2 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	2771.11 грн

TPW-ZPU 160K

Category: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 160mm; W: 50mm; H: 200mm; rigid; 850kg; ZPU
Manufacturer series: ZPU
Material: polyurethane
Base dimensions: 135x110mm
Kind of Bearing: ball bearing
Body material: steel sheet
Height: 200mm
Shore hardness: 92
Version: rigid; with mounting plate
Type of mounting element: transport wheel
Force: 850kg
Wheel diameter: 160mm
Wheel width: 50mm
Mounting holes pitch: 105x80mm
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

TPW-ZPU 160K

товар відсутній

TPW-ZPU 200K

Category: Wheels
Description: Transport wheel; Ø: 200mm; W: 50mm; H: 240mm; rigid; 100kg; ZPU
Type of mounting element: transport wheel
Wheel diameter: 200mm
Wheel width: 50mm
Height: 240mm
Version: rigid; with mounting plate
Force: 100kg
Material: polyurethane
Body material: steel sheet
Shore hardness: 92
Manufacturer series: ZPU
Kind of Bearing: ball bearing
Base dimensions: 135x110mm
Mounting holes pitch: 105x80mm

товар відсутній

TPW-ZPU 200K

товар відсутній

TPW1500CNH,L1Q

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 18843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	182.12 грн
10+	149.72 грн
100+	103.62 грн
250+	95.65 грн
500+	88.35 грн
5000+	74.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPW1500CNH,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V

на замовлення 7771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	168.14 грн
10+	134.37 грн
100+	106.97 грн
500+	84.94 грн
1000+	72.07 грн
2000+	68.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPW1500CNH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin DSOP EP Advance T/R

товар відсутній

TPW1500CNH,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	72.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPW1500CNH,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 8-Pin DSOP Advance T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	204.85 грн
71+	166.25 грн
100+	155.36 грн
500+	132.65 грн
1000+	114.86 грн
2000+	106.88 грн
5000+	103.48 грн

Мінімальне замовлення: 57

TPW1500CNH,L1Q(M

Silicon N-channel MOSFETs

товар відсутній

TPW1500CNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPW1500CNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.013 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	197.47 грн
10+	146.05 грн
100+	107.3 грн
500+	92.03 грн
1000+	83.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPW1500CNH,L1Q(M

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; Idm: 220A; 142W; DSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 142W
Case: DSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

TPW1500CNH,L1Q(M

товар відсутній

TPW1500CNHL1Q(M

MOSFET

товар відсутній

TPW1R005PL,L1Q

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W

на замовлення 8960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	208.47 грн
10+	179.52 грн
25+	152.12 грн
100+	126.87 грн
250+	123.55 грн
500+	110.27 грн
1000+	89.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPW1R005PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V

на замовлення 12903 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	189.7 грн
10+	153.26 грн
100+	123.95 грн
500+	103.39 грн
1000+	88.53 грн
2000+	83.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPW1R005PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 45V 300A 8-Pin DSOP Advance T/R

товар відсутній

TPW1R005PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	88.5 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPW1R005PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPW1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.00075 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 750µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 11864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	125.24 грн
500+	99 грн
1000+	91.97 грн
5000+	88.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPW1R005PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPW1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 0.00075 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 11864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	230.25 грн
10+	197.47 грн
25+	159.46 грн
100+	125.24 грн
500+	99 грн
1000+	91.97 грн
5000+	88.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPW1R104PB,L1XHQ

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPW1R104PB,L1XHQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 8-Pin DSOP Advance(WF)M T/R

товар відсутній

TPW1R104PB,L1XHQ

Description: MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP

на замовлення 14226 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPW1R104PB,L1XHQ

MOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.02 грн
10+	122.99 грн
100+	85.69 грн
250+	84.36 грн
500+	73.73 грн
1000+	60.18 грн
2500+	59.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

TPW1R306PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	83.5 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPW1R306PL,L1Q

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W

на замовлення 14168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.64 грн
10+	157.36 грн
100+	110.27 грн
250+	105.62 грн
500+	93.66 грн
1000+	78.38 грн
2500+	77.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPW1R306PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.29mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V

на замовлення 13776 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.57 грн
10+	153.96 грн
100+	122.49 грн
500+	97.27 грн
1000+	82.53 грн
2000+	78.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPW1R306PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00095 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 950µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 14837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	159.15 грн
500+	125.83 грн
1000+	116.88 грн
5000+	113.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPW1R306PL,L1Q(M

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 260A; Idm: 500A; 170W; DSOP8
Mounting: SMD
Case: DSOP8
Power dissipation: 170W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 260A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A

товар відсутній

TPW1R306PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPW1R306PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.00095 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 14837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	292.85 грн
10+	251.12 грн
25+	203.43 грн
100+	159.15 грн
500+	125.83 грн
1000+	116.88 грн
5000+	113.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

TPW1R306PL,L1Q(M

Silicon N-Channel MOSFET

товар відсутній

TPW1R306PL,L1Q(M

товар відсутній

TPW2900ENH,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V

на замовлення 4850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.42 грн
10+	152.23 грн
100+	121.18 грн
500+	96.23 грн
1000+	81.65 грн
2000+	77.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPW2900ENH,L1Q

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 5103 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.92 грн
10+	169.59 грн
100+	117.57 грн
250+	108.94 грн
500+	98.31 грн
1000+	93.66 грн
5000+	79.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPW2900ENH,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V

товар відсутній

TPW2900ENH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPW2900ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.024 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	122.21 грн
500+	102.41 грн
1000+	90.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPW2900ENH,L1Q(M

на замовлення 3748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	224.29 грн
10+	165.43 грн
100+	122.21 грн
500+	102.41 грн
1000+	90.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPW2R508NH,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V

на замовлення 1565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	158.08 грн
10+	126.49 грн
100+	100.67 грн
500+	79.94 грн
1000+	67.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPW2R508NH,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V

товар відсутній

TPW2R508NH,L1Q

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 4900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	171.27 грн
10+	140.56 грн
100+	97.65 грн
250+	90.34 грн
500+	81.7 грн
1000+	79.71 грн
5000+	67.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPW2R508NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPW2R508NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 170 A, 0.002 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	190.02 грн
10+	140.09 грн
100+	103.58 грн
500+	86.49 грн
1000+	77.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPW2R508NH,L1Q(M

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	103.58 грн
500+	86.49 грн
1000+	77.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPW2R508NH,L1Q(M

Silicon N Channel MOSFET

товар відсутній

TPW3115-S5TR

Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-5
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1

товар відсутній

TPW3115-S5TR

Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-5
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1

товар відсутній

TPW3115-SC5R

Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-353 (SC-70-5)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1

товар відсутній

TPW3115-SC5R

Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-353 (SC-70-5)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1

товар відсутній

TPW3125L1-SC6R-S

Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Crosstalk: -65dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1

товар відсутній

TPW3125L1-SC6R-S

Description: ANALOG SWITCH SPDT (SINGLEPOLE D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 4.8Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 20pC
Crosstalk: -65dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 500mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 85ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Number of Circuits: 1

товар відсутній

TPW33-EE5

Сердечник EE5,25/2,65/1,95 Ui=3300 AL=290nH

товар відсутній

TPW33-T10/6/4-C

Сердечник T10,0/6,0/4,0 Ui=3300 AL=1400nH

товар відсутній

TPW3R70APL,L1Q

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

на замовлення 2331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	200.72 грн
10+	164.24 грн
100+	113.59 грн
250+	104.29 грн
500+	94.99 грн
1000+	94.32 грн
5000+	79.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPW3R70APL,L1Q(M

Silicon N-channel MOSFETs

товар відсутній

TPW3R70APL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPW3R70APL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	226.53 грн
10+	167.66 грн
100+	122.21 грн
500+	103.79 грн
1000+	82.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPW3R70APL,L1Q(M

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	122.21 грн
500+	103.79 грн
1000+	82.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPW4051-QF4R

Description: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1

товар відсутній

TPW4051-QF4R

Description: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1

товар відсутній

TPW4051-SOBR

Description: ANALOG SWITCH SP8T 16-WSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 1

товар відсутній

TPW4051-SOBR

Description: ANALOG SWITCH SP8T 16-WSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 1

товар відсутній

TPW4051-SR

Description: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1

товар відсутній

TPW4051-SR

Description: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1

товар відсутній

TPW4051-TR

Description: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1

товар відсутній

TPW4051-TR

Description: ANALOG SWITCH SP8T (SINGLE-POLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP8T - Open
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Number of Circuits: 1

товар відсутній

TPW4052-SR

Description: ANALOG SWITCH SP4T (SINGLE-POLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 2

товар відсутній

TPW4052-SR

Description: ANALOG SWITCH SP4T (SINGLE-POLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 2

товар відсутній

TPW4052-TR

Description: ANALOG SWITCH SP4T (SINGLE-POLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 2

товар відсутній

TPW4052-TR

Description: ANALOG SWITCH SP4T (SINGLE-POLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP4T - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 4:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 2

товар відсутній

TPW4053-SR

Description: ANALOG SWITCH 3X SPDT (SINGLEPOL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 3

товар відсутній

TPW4053-SR

Description: ANALOG SWITCH 3X SPDT (SINGLEPOL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 3

товар відсутній

TPW4053-TR

Description: ANALOG SWITCH 3X SPDT (SINGLEPOL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 3

товар відсутній

TPW4053-TR

Description: ANALOG SWITCH 3X SPDT (SINGLEPOL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
On-State Resistance (Max): 80Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOPB
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 12V
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT - Open/Closed
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 15Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 400nA
Number of Circuits: 3

товар відсутній

TPW4R008NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP

на замовлення 953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPW4R008NH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP

товар відсутній

TPW4R008NH,L1Q

MOSFET N-CH Mosfet 80V 116A 8DSOP

на замовлення 8810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	194.52 грн
10+	159.65 грн
100+	110.27 грн
500+	93.66 грн
1000+	75.73 грн
2500+	75.06 грн
5000+	72.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPW4R008NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPW4R008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 19956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	103.1 грн
500+	81.75 грн
1000+	76.01 грн
5000+	73.45 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPW4R008NH,L1Q(M

MOSFETs Silicon N-channel MOS

товар відсутній

TPW4R008NH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPW4R008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0033 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 19956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	190.02 грн
10+	163.19 грн
25+	131.89 грн
100+	103.1 грн
500+	81.75 грн
1000+	76.01 грн
5000+	73.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPW4R50ANH

товар відсутній

TPW4R50ANH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPW4R50ANH,L1Q

MOSFET N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V

на замовлення 9305 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.74 грн
10+	158.89 грн
100+	110.27 грн
500+	93 грн
1000+	75.06 грн
10000+	73.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPW4R50ANH,L1Q

Description: MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V

на замовлення 4365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.2 грн
10+	142.61 грн
100+	113.51 грн
500+	90.13 грн
1000+	76.48 грн
2000+	72.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPW4R50ANH,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A

товар відсутній

TPW4R50ANH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	210.14 грн
10+	154.99 грн
100+	123.7 грн
500+	96.87 грн
1000+	72.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPW4R50ANH,L1Q(M

TPW4R50ANH,L1Q(M

на замовлення 1300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

82+	143.59 грн
100+	116.42 грн
108+	108.66 грн
200+	103.85 грн
500+	86.28 грн
1000+	77.26 грн

Мінімальне замовлення: 82

TPW4R50ANH,L1Q(M

TPW4R50ANH,L1Q(M

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	70.44 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPW4R50ANH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPW4R50ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 92 A, 0.0037 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	123.7 грн
500+	96.87 грн
1000+	72.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPW4R50ANHL1Q(M

MOSFET

товар відсутній

TPW5200FNH,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V

товар відсутній

TPW5200FNH,L1Q

MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

товар відсутній

TPW5200FNH,L1Q

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V

на замовлення 4826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.26 грн
10+	150.36 грн
100+	119.64 грн
500+	95.01 грн
1000+	80.61 грн
2000+	76.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPW5200FNH,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPW5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	157.97 грн
500+	128.7 грн
1000+	102.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPWA02B-TF21

на замовлення 3925 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TPWA10B-TF21

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TPWBOOM1

Description: TECHNICAL PRO PORTABLE RECHARGEA
Packaging: Tape & Box (TB)
Accessory Type: Bluetooth Speaker

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1436.38 грн

TPWBOOM8

Description: TECHNICAL PRO 8 INCH PORTABLE 10
Packaging: Tape & Box (TB)
Accessory Type: Bluetooth Speaker

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3592.02 грн

TPWCC16B-TC10

MURATA

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

TPWDS-BBE-1

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-BBE-1

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-BBE-2

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-BBE-2

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-BBE-3

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-BBE-3

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-BBM-1

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-BBM-1

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-BBM-2

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-BBM-2

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-BBM-3

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-BBM-3

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-BSE-1

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-BSE-1

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-BSE-2

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-BSE-2

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-BSE-3

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-BSE-3

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-BSM-1

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-BSM-1

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-BSM-2

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-BSM-2

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-BSM-3

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-BSM-3

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-SSE-1

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-SSE-1

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-SSE-2

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-SSE-2

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-SSE-3

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-SSE-3

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-SSM-1

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-SSM-1

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-SSM-2

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-SSM-2

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWDS-SSM-3

Description: SWITCH DISCONNECT 150-250A 80VDC

товар відсутній

TPWDS-SSM-3

Control Switches TPWDS DISCON SWITCH

товар відсутній

TPWE066DKHN-T6

Description: CONN EDGE AGP DUAL 1MM 132 POS

товар відсутній

TPWE066DKHN-TUGP

Description: CONN EDGE U-AGP DUAL 1MM 132 POS

товар відсутній

TPWE090DKHN-TAGP

Description: CONN EDGE U-AGP DUAL 1MM 180 POS

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPWE121DKRN-T621

Description: CONN EDGE SLOT 1 DUAL 1MM 242POS

на замовлення 54 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPWF18L

Description: TECHNICAL PRO 1000 WATTS 18 INCH

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	7487.99 грн

TPWF18L-2

Description: (QTY 2) TECHNICAL PRO 18" 1000 W

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	14575.75 грн

TPWJB12PKG

Description: TECHNICAL PRO RECHARGEABLE 12 IN
Packaging: Tape & Box (TB)
Accessory Type: Bluetooth Speaker

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	7184.77 грн

TPWM1352

Description: TECHNICAL PRO PROFESSIONAL UHF D

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

TPWM1641

Description: MIC ANLG CARDIOID 19"LX9.500"W
Packaging: Tape & Box (TB)
Output Type: Analog
Size / Dimension: 19.000" L x 9.500" W (482.60mm x 241.30mm)
Termination: Solder Pads
Direction: Cardioid
Port Location: Bottom
Height (Max): 1.750" (44.45mm)
Frequency Range: 40 Hz ~ 20 kHz

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	17962.99 грн

TPWM241

Description: TECHNICAL PRO DUAL WIRELESS MICR

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4157.52 грн

TPWPH15

Description: TECHNICAL PRO 15 WATTS LIGHTWEIG

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1459.37 грн

TPWR001

Microchip Technology

Description: KIT DEV FOR WIRELESS SENSORS

товар відсутній

TPWR001

Microchip Technology

Energy Harvesting Development Kit For Wireless Sensors

товар відсутній

TPWR6003PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V

на замовлення 14886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.73 грн
10+	157.97 грн
100+	127.77 грн
500+	106.59 грн
1000+	91.27 грн
2000+	85.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPWR6003PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V

на замовлення 14886 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	91.23 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPWR6003PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 30V 412A 8-Pin DSOP EP Advance T/R

товар відсутній

TPWR6003PL,L1Q

MOSFET DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

на замовлення 51706 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	211.57 грн
10+	176.46 грн
25+	148.13 грн
100+	123.55 грн
250+	119.57 грн
500+	110.27 грн
1000+	89.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPWR6003PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 30V 412A 8-Pin DSOP Advance Tube

товар відсутній

TPWR7904PB,L1XHQ

MOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

на замовлення 3365 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.37 грн
10+	168.06 грн
100+	116.91 грн
250+	107.61 грн
500+	97.65 грн
1000+	83.7 грн
2500+	79.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPWR7904PB,L1XHQ

Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V

товар відсутній

TPWR7904PB,L1XHQ

Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 10 V

товар відсутній

TPWR8004PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance

на замовлення 4229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	192.14 грн
10+	162.74 грн
25+	161.23 грн
100+	126.83 грн
250+	116.34 грн
500+	99.46 грн
1000+	91.98 грн
3000+	84.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPWR8004PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V

на замовлення 8172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.54 грн
10+	151.67 грн
100+	122.68 грн
500+	102.34 грн
1000+	87.63 грн
2000+	82.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPWR8004PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance

товар відсутній

TPWR8004PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance

товар відсутній

TPWR8004PL,L1Q

MOSFET N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP

на замовлення 20544 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	175.14 грн
10+	149.72 грн
25+	129.53 грн
100+	109.6 грн
250+	108.94 грн
500+	98.31 грн
1000+	86.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPWR8004PL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	87.59 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPWR8004PL,L1Q

Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance

на замовлення 4229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

57+	206.92 грн
67+	175.26 грн
68+	173.63 грн
100+	136.59 грн
250+	125.29 грн
500+	107.11 грн
1000+	99.06 грн
3000+	91.01 грн

Мінімальне замовлення: 57

TPWR8004PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance T/R

товар відсутній

TPWR8004PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00065ohm

на замовлення 6824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	134.13 грн
500+	111.4 грн
1000+	83.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

TPWR8004PL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin DSOP Advance T/R

на замовлення 4727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	373.08 грн
50+	237.5 грн
61+	192.98 грн
100+	173.68 грн
200+	159.92 грн
500+	136.57 грн
1000+	127.23 грн
2000+	123.84 грн

Мінімальне замовлення: 32

TPWR8004PL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPWR8004PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00065 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00065ohm

на замовлення 6824 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	223.55 грн
10+	166.17 грн
100+	134.13 грн
500+	111.4 грн
1000+	83.03 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPWR8004PLL1Q(M

MOSFET

товар відсутній

TPWR8503NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	87.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

TPWR8503NL,L1Q

Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.32 грн
10+	171.53 грн
100+	137.88 грн
500+	106.31 грн
1000+	88.09 грн
2000+	82.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPWR8503NL,L1Q

MOSFET N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP

на замовлення 2083 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.64 грн
10+	157.36 грн
100+	108.94 грн
250+	100.3 грн
500+	91.67 грн
1000+	74.4 грн
5000+	71.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

TPWR8503NL,L1Q(M

Description: TOSHIBA - TPWR8503NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 0.00072 ohm, DSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: DSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 4432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	199.7 грн
10+	171.39 грн
25+	139.35 грн
100+	108.63 грн
500+	85.59 грн
1000+	79.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

TPWR8503NL,L1Q(M

Trans MOSFET N-CH Si 30V 300A 8-Pin DSOP Advance T/R

товар відсутній

TPWR8503NL,L1Q(M