Продукція > UJ3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UJ3-AH-4-THCUI DevicesUSB Connectors USB 3.0 type A jack 9 pin Horizontal TH
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.25 грн
10+ 93.96 грн
80+ 60.12 грн
560+ 52.74 грн
1040+ 51.68 грн
2560+ 51.61 грн
5120+ 50.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3-AH-4-THCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.0 TYPEA 9POS R/A
Features: Board Lock
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 30VAC
Number of Contacts: 9
Connector Type: USB-A (USB TYPE-A)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 1A
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 1500
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.54 грн
10+ 75.7 грн
25+ 72.49 грн
40+ 66.51 грн
80+ 63.49 грн
240+ 57.44 грн
480+ 52.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ3-AH-4-THCUI DEVICESConn USB 3.0 Type A F 9 POS Solder RA Thru-Hole 9 Terminal 1 Port
товар відсутній
UJ3-MIABH-1-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.0 MICRO AB SMD RA
товар відсутній
UJ3-MIABH-1-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.0 MICRO AB SMD RA
товар відсутній
UJ3-MIABH-1-SMT-TRCUI DEVICESConn Micro USB 3.0 Type AB F 10 POS 0.65mm Solder RA SMD 10 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ3-MIABH-1-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB 3.0micro AB jack 10 pin Horiz SMT
на замовлення 8239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.47 грн
10+ 80.21 грн
100+ 64.23 грн
500+ 63.64 грн
1600+ 63.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ31-CH-3-MSMT-TR-67CUI DEVICESConn USB 3.1 Type C F 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-3-MSMT-TR-67CUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: 15µ" Finish Thickness
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.02 грн
10+ 234.36 грн
25+ 222 грн
50+ 203.48 грн
100+ 193.79 грн
250+ 169.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ31-CH-3-MSMT-TR-67
Код товару: 161243		Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB
товар відсутній
UJ31-CH-3-MSMT-TR-67CUI DevicesUSB Connectors USB Jack 3.1 C type 24pin HZ SMT IP67
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.61 грн
10+ 241.39 грн
100+ 199.28 грн
250+ 174.7 грн
700+ 169.39 грн
1400+ 144.81 грн
2100+ 141.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ31-CH-3-MSMT-TR-67CUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: 15µ" Finish Thickness
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal, Mid Mount
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+182.28 грн
1400+ 149.71 грн
2100+ 144.55 грн
3500+ 130.81 грн
Мінімальне замовлення: 700
UJ31-CH-3-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT
на замовлення 6788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.52 грн
10+ 73.87 грн
100+ 57.52 грн
850+ 53.14 грн
1700+ 49.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ31-CH-3-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: 3.0µ" Finish Thickness, Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 7122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.85 грн
10+ 79.57 грн
25+ 76.17 грн
50+ 69.88 грн
100+ 66.71 грн
250+ 60.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ31-CH-3-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-3-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: 3.0µ" Finish Thickness, Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+59.75 грн
1700+ 49.08 грн
2550+ 47.39 грн
5950+ 42.25 грн
Мінімальне замовлення: 850
UJ31-CH-31-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+64.71 грн
2400+ 58.16 грн
Мінімальне замовлення: 1200
UJ31-CH-31-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-31-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 7916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.12 грн
10+ 97.63 грн
25+ 93.47 грн
50+ 85.77 грн
100+ 81.86 грн
250+ 74.07 грн
500+ 67.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ31-CH-31-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.09 грн
10+ 102.36 грн
100+ 76.39 грн
500+ 70.41 грн
1200+ 60.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ31-CH-312-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.35 грн
10+ 106.18 грн
100+ 83.03 грн
500+ 75.73 грн
1200+ 71.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ31-CH-312-SMT-TR
Код товару: 161025		Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB
товар відсутній
UJ31-CH-312-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-314-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ31-CH-314-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-314-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.72 грн
10+ 101.23 грн
25+ 96.93 грн
50+ 88.95 грн
100+ 84.9 грн
250+ 76.81 грн
500+ 69.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ31-CH-314-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.67 грн
10+ 77.92 грн
100+ 62.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DEVICESBack Cover, USB Receptacle
товар відсутній
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A
Features: Board Guide
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DEVICESBack Cover, USB Receptacle
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+174.77 грн
600+ 163.51 грн
900+ 146.71 грн
Мінімальне замовлення: 300
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DEVICESBack Cover, USB Receptacle
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.72 грн
25+ 58.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DEVICESBack Cover, USB Receptacle
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS R/A
Features: Board Guide
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ31-CH-31N-SMT-TRCUI DEVICESBack Cover, USB Receptacle
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+118.75 грн
Мінімальне замовлення: 1200
UJ31-CH-4-MSMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT
товар відсутній
UJ31-CH-4-MSMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Flash Finish Thickness, Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Obsolete
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ31-CH-4-MSMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD
Features: Flash Finish Thickness, Board Guide
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Obsolete
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ31-CH-4-MSMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-4-MSMT-TRCUI DEVICESType C, USB 3.1 Gen 2, 5 A, Right Angle, Mid Mount (SMT), USB Receptacle
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+93.77 грн
10+ 92.32 грн
25+ 90.88 грн
100+ 86.25 грн
250+ 78.57 грн
500+ 74.19 грн
1000+ 72.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
UJ31-CH-G-SMT-TR-67CUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 12 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-G-SMT-TR-67CUI DevicesDescription: USB JACK 3.1, GEN 2, C TYPE, 24
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Board Guide
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.25 грн
10+ 184.75 грн
25+ 174.98 грн
50+ 160.39 грн
100+ 152.75 грн
250+ 133.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ31-CH-G-SMT-TR-67CUI DEVICESConn USB 3.2 Type C RCP 24 POS 0.5mm/(0.4mm/0.65mm/0.8)mm Solder RA SMD/Thru-Hole 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.04 грн
10+ 226.45 грн
25+ 224.22 грн
100+ 202.8 грн
250+ 163.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ31-CH-G-SMT-TR-67
Код товару: 183509		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
UJ31-CH-G-SMT-TR-67CUI DEVICESConn USB 3.2 Type C RCP 24 POS 0.5mm/(0.4mm/0.65mm/0.8)mm Solder RA SMD/Thru-Hole 24 Terminal 1 Port T/R
товар відсутній
UJ31-CH-G-SMT-TR-67CUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1, Gen 2, C type, 24 pin, gold flash, horizontal, SMT, T&R, IP67
на замовлення 4347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.24 грн
10+ 226.11 грн
100+ 185.99 грн
250+ 163.41 грн
500+ 162.08 грн
900+ 141.49 грн
1800+ 125.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ31-CH-G-SMT-TR-67CUI DevicesDescription: USB JACK 3.1, GEN 2, C TYPE, 24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ31-CH-G-SMT-TR-67CUI DEVICESConn USB 3.2 Type C RCP 24 POS 0.5mm/(0.4mm/0.65mm/0.8)mm Solder RA SMD/Thru-Hole 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+288.65 грн
48+ 243.87 грн
49+ 241.46 грн
100+ 218.39 грн
250+ 176.58 грн
Мінімальне замовлення: 41
UJ31-CH-G1-SMT-TRCUI DEVICESType C, USB 3.1 Gen 2, 5 A, Right Angle, Surface Mount (SMT) , USB Receptacle
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+127.25 грн
10+ 104.53 грн
25+ 103.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
UJ31-CH-G1-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT
на замовлення 19320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.72 грн
10+ 95.49 грн
100+ 81.7 грн
250+ 80.38 грн
500+ 75.06 грн
1050+ 59.65 грн
4200+ 59.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ31-CH-G1-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCP USB3.1 TYPEC 24P SMD RA
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ31-CH-G1-SMT-TRCUI DEVICESType C, USB 3.1 Gen 2, 5 A, Right Angle, Surface Mount (SMT) , USB Receptacle
товар відсутній
UJ31-CH-G1-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1050+65.02 грн
Мінімальне замовлення: 1050
UJ31-CH-G1-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCP USB3.1 TYPEC 24P SMD RA
Features: Board Guide
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ31-CH-G2-SMT-TR
Код товару: 139296		Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB
товар відсутній
UJ31-CH-G2-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Board Cutout, Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+104.91 грн
1600+ 91.25 грн
2400+ 87.99 грн
5600+ 79.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ31-CH-G2-SMT-TRCUI DEVICESType C, USB 3.1 Gen 2, 5 A, Right Angle, Surface Mount (SMT), USB Receptacle
товар відсутній
UJ31-CH-G2-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.1 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder RA SMD 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ31-CH-G2-SMT-TRCUI DevicesDescription: CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD
Features: Board Guide
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Board Cutout, Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 80°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 18225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.86 грн
10+ 148 грн
25+ 140.13 грн
50+ 128.46 грн
100+ 122.33 грн
250+ 107.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ31-CH-G2-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors USB jack 3.1 C type 24pin Horz SMT
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.89 грн
10+ 149.72 грн
100+ 119.57 грн
250+ 106.28 грн
500+ 94.99 грн
800+ 89.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ31-CH-G2-SMT-TRCUI DEVICESType C, USB 3.1 Gen 2, 5 A, Right Angle, Surface Mount (SMT), USB Receptacle
товар відсутній
UJ31-CV-G1-SMT-TRCUI DevicesDescription: I/C Interface
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20V
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A, 6.25A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ32-C-H-G-H1-SMT-TRCUI DEVICESUJ32-C-H-G-H1-SMT-TR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ32-C-H-G-H1-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.24 грн
10+ 117.64 грн
100+ 97.65 грн
250+ 88.35 грн
500+ 81.7 грн
1000+ 69.75 грн
3000+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-H1-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.12 грн
10+ 117.49 грн
25+ 112.51 грн
50+ 103.25 грн
100+ 98.55 грн
250+ 89.17 грн
500+ 80.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-H1-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
UJ32-C-H-G-H2-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.24 грн
10+ 117.64 грн
100+ 97.65 грн
250+ 88.35 грн
500+ 81.7 грн
900+ 69.75 грн
2700+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-H2-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+86.13 грн
1800+ 70.74 грн
Мінімальне замовлення: 900
UJ32-C-H-G-H2-SMT-TRCUI DEVICESUJ32-C-H-G-H2-SMT-TR
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 1800
UJ32-C-H-G-H2-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.52 грн
10+ 114.65 грн
25+ 109.77 грн
50+ 100.73 грн
100+ 96.15 грн
250+ 86.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-H3-MSMT-TRCUI DEVICESUJ32-C-H-G-H3-MSMT-TR
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ32-C-H-G-H3-MSMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+77.9 грн
Мінімальне замовлення: 1250
UJ32-C-H-G-H3-MSMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.24 грн
10+ 117.64 грн
100+ 97.65 грн
250+ 88.35 грн
500+ 81.7 грн
1000+ 69.75 грн
2500+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-H3-MSMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.12 грн
10+ 117.49 грн
25+ 112.51 грн
50+ 103.25 грн
100+ 98.55 грн
250+ 89.17 грн
500+ 80.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-L1-MSMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.24 грн
10+ 134.3 грн
25+ 128.59 грн
50+ 117.99 грн
100+ 112.63 грн
250+ 101.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ32-C-H-G-L1-MSMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.17 грн
10+ 135.21 грн
100+ 111.6 грн
250+ 101.63 грн
500+ 93 грн
800+ 79.71 грн
2400+ 74.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ32-C-H-G-L1-MSMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+100.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ32-C-H-G-L1-MSMT-TRCUI DEVICESUJ32-C-H-G-L1-MSMT-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ32-C-H-G-L2-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.12 грн
10+ 117.49 грн
25+ 112.51 грн
50+ 103.25 грн
100+ 98.55 грн
250+ 89.17 грн
500+ 80.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-L2-SMT-TRCUI DEVICESUJ32-C-H-G-L2-SMT-TR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ32-C-H-G-L2-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
UJ32-C-H-G-L2-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.24 грн
10+ 117.64 грн
100+ 97.65 грн
250+ 88.35 грн
500+ 81.7 грн
1000+ 69.75 грн
3000+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-MSMT-TRCUI DEVICESUJ32-C-H-G-MSMT-TR
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ32-C-H-G-MSMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Mid Mount SMT
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.24 грн
10+ 117.64 грн
100+ 97.65 грн
250+ 88.35 грн
500+ 81.7 грн
1000+ 69.75 грн
2500+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-MSMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.12 грн
10+ 117.49 грн
25+ 112.51 грн
50+ 103.25 грн
100+ 98.55 грн
250+ 89.17 грн
500+ 80.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-MSMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Board Edge, Cutout; Surface Mount; Through Hole, Right Angle
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+77.9 грн
Мінімальне замовлення: 1250
UJ32-C-H-G-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.24 грн
10+ 117.64 грн
100+ 97.65 грн
250+ 88.35 грн
500+ 81.7 грн
1000+ 69.75 грн
3000+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
UJ32-C-H-G-SMT-TRCUI DEVICESUJ32-C-H-G-SMT-TR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ32-C-H-G-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.12 грн
10+ 117.49 грн
25+ 112.51 грн
50+ 103.25 грн
100+ 98.55 грн
250+ 89.17 грн
500+ 80.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ32-C-H-G-SMT-TR-68CUI DEVICESUJ32-C-H-G-SMT-TR-68
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ32-C-H-G-SMT-TR-68CUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+161.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
UJ32-C-H-G-SMT-TR-68CUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Horizontal Gold Flash Surface Mount
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.16 грн
10+ 241.39 грн
100+ 199.94 грн
250+ 174.7 грн
500+ 170.05 грн
1000+ 144.81 грн
3000+ 134.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ32-C-H-G-SMT-TR-68CUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.08 грн
10+ 243.22 грн
25+ 230.39 грн
50+ 211.18 грн
100+ 201.12 грн
250+ 175.99 грн
500+ 168.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ32-C-H-MSMT-TR-68CUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 1, 10 GBPS,
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ32-C-H-MSMT-TR-68CUI DevicesUSB Connectors
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+313.86 грн
10+ 281.11 грн
100+ 215.88 грн
250+ 188.65 грн
500+ 182.67 грн
1000+ 156.1 грн
2500+ 145.47 грн
UJ32-C-H-MSMT-TR-68CUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 1, 10 GBPS,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle; Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 1 (USB 3.1 Gen 1, Superspeed (USB 3.0))
Termination: Solder
Ingress Protection: IP68 - Dust Tight, Waterproof
Mounting Feature: Horizontal
Mating Cycles: 10000
Number of Ports: 1
товар відсутній
UJ32-C-V-G-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.16 грн
10+ 171.32 грн
25+ 162.27 грн
50+ 148.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ32-C-V-G-SMT-TRCUI DevicesDescription: TYPE C, USB 3.2 GEN 2X2, 20 GBPS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 20VDC
Number of Contacts: 24
Connector Type: USB-C (USB TYPE-C)
Gender: Receptacle
Current Rating (Amps): 0.25A, 1.25A, 5A
Mounting Type: Surface Mount, Through Hole
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Specifications: USB 3.2 Gen 2 (USB 3.1 Gen 2, Superspeed + (USB 3.1))
Termination: Solder
Mounting Feature: Vertical
Mating Cycles: 10000
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+156.76 грн
Мінімальне замовлення: 150
UJ32-C-V-G-SMT-TRCUI DEVICESConn USB 3.2 Type C RCP 24 POS 0.5mm Solder ST SMD 24 Terminal 1 Port T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
UJ32-C-V-G-SMT-TRCUI DevicesUSB Connectors Type C USB 3.2 Gen 2x2 20 Gbps 20 Vac 5 A Vertical Gold Flash Surface Mount
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.52 грн
10+ 160.42 грн
100+ 133.52 грн
300+ 116.25 грн
600+ 112.92 грн
1050+ 96.32 грн
2550+ 89.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ33BR133AL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ3507A
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360094
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360135
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360150
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360166ICSSSOP
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360262
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360510
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360608
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360738
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ360820
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ361098
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ361154
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ361217
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UJ3C065030B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1562.33 грн
25+ 1443.76 грн
100+ 1230.21 грн
250+ 1060.16 грн
800+ 947.9 грн
2400+ 926.64 грн
4800+ 925.98 грн
UJ3C065030B3UNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 242
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1380.78 грн
50+ 1182.52 грн
100+ 999.58 грн
250+ 979.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
UJ3C065030B3Qorvo (UnitedSiC)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3023.27 грн
UJ3C065030B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1244.53 грн
10+ 1056.03 грн
100+ 913.35 грн
UJ3C065030B3QorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO263-3
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1473.99 грн
25+ 1281.05 грн
100+ 965.83 грн
250+ 817.04 грн
500+ 773.86 грн
2400+ 759.25 грн
4800+ 735.33 грн
UJ3C065030B3Qorvo (UnitedSiC)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 47A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
On-state resistance: 27mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 230A
Case: D2PAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2519.39 грн
UJ3C065030B3UNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3C065030B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 650 V, 0.027 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 242
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Rds(on)-Prüfspannung: 12
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1502.99 грн
5+ 1441.89 грн
10+ 1380.78 грн
50+ 1182.52 грн
100+ 999.58 грн
250+ 979.78 грн
UJ3C065030B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+859.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ3C065030K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2143.83 грн
2+ 1882.76 грн
10+ 1877.91 грн
UJ3C065030K3SQORVODescription: QORVO - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1454.55 грн
5+ 1369.61 грн
10+ 1283.91 грн
50+ 1112.63 грн
100+ 953.59 грн
250+ 807.33 грн
UJ3C065030K3SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET P-CH SiC 650V 85A Tube
товар відсутній
UJ3C065030K3SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 650V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+878.67 грн
UJ3C065030K3SQorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1385.64 грн
25+ 1316.19 грн
100+ 991.74 грн
250+ 860.21 грн
600+ 834.97 грн
3000+ 825.67 грн
5400+ 813.05 грн
UJ3C065030K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2572.59 грн
2+ 2346.2 грн
10+ 2253.5 грн
30+ 2173.78 грн
UJ3C065030K3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1246.68 грн
30+ 971.98 грн
120+ 914.81 грн
510+ 778.03 грн
UJ3C065030T3SQorvoMOSFET 650V/30mO,SICFET,G3,TO220-3
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1733.6 грн
25+ 1452.93 грн
100+ 1113.96 грн
250+ 965.83 грн
500+ 817.04 грн
1000+ 773.86 грн
5000+ 735.33 грн
UJ3C065030T3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2618.2 грн
2+ 2387.59 грн
10+ 2287.54 грн
50+ 2210.32 грн
UJ3C065030T3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 85A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 441W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1210.75 грн
10+ 1027.59 грн
100+ 888.75 грн
500+ 755.86 грн
UJ3C065030T3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 62A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 441W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2181.83 грн
2+ 1915.97 грн
UJ3C065030T3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/30mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1562.33 грн
10+ 1415.5 грн
50+ 1230.21 грн
100+ 1038.9 грн
500+ 928.63 грн
1000+ 925.31 грн
UJ3C065030T3SQORVODescription: QORVO - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1472.44 грн
5+ 1333.09 грн
10+ 1193 грн
50+ 1075.27 грн
100+ 962.54 грн
250+ 928.68 грн
UJ3C065080B3QORVODescription: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+450.82 грн
50+ 390.94 грн
100+ 334.68 грн
250+ 283.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
UJ3C065080B3Qorvo (UnitedSiC)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18.2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1137.41 грн
2+ 946.76 грн
3+ 861.87 грн
UJ3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+257.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
UJ3C065080B3Qorvo (UnitedSiC)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 18.2A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18.2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 51nC
Technology: SiC
Kind of transistor: cascode
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 65A
Case: D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+947.85 грн
UJ3C065080B3Qorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, D2PAK-3L
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+638.57 грн
25+ 568.34 грн
250+ 409.85 грн
800+ 326.81 грн
2400+ 326.15 грн
UJ3C065080B3QORVODescription: QORVO - UJ3C065080B3 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+556.64 грн
5+ 503.73 грн
10+ 450.82 грн
50+ 390.94 грн
100+ 334.68 грн
250+ 283.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3C065080B3QorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.52 грн
10+ 409.42 грн
100+ 341.19 грн
UJ3C065080K3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.44 грн
30+ 409.51 грн
120+ 366.41 грн
UJ3C065080K3SQORVODescription: QORVO - UJ3C065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+616.99 грн
5+ 558.13 грн
10+ 498.51 грн
50+ 432.46 грн
100+ 370.45 грн
250+ 325.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3C065080K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UJ3C065080K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
UJ3C065080K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 109-118 дні (днів)
1+685.85 грн
10+ 622.58 грн
120+ 448.37 грн
510+ 390.58 грн
1020+ 358.7 грн
2520+ 352.06 грн
UJ3C065080T3SUnited Silicon CarbideTrans MOSFET N-CH SiC 650V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
UJ3C065080T3SQORVODescription: QORVO - UJ3C065080T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+648.29 грн
5+ 579.74 грн
10+ 510.44 грн
50+ 446.3 грн
100+ 386.42 грн
250+ 334.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3C065080T3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1017.59 грн
2+ 889.85 грн
3+ 856.06 грн
4+ 809.56 грн
10+ 807.07 грн
50+ 779.67 грн
UJ3C065080T3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 650V; 23A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+847.99 грн
2+ 714.08 грн
3+ 713.39 грн
4+ 674.64 грн
10+ 672.56 грн
UJ3C065080T3SQorvoMOSFET 650V/80mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-220-3L, REDUCED Rth
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+638.57 грн
25+ 568.34 грн
250+ 409.85 грн
1000+ 326.81 грн
2500+ 326.15 грн
UJ3C065080T3SQorvoDescription: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 6473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.21 грн
50+ 268.06 грн
100+ 248.38 грн
UJ3C120040K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 429W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
UJ3C120040K3SQorvoMOSFET 1200V/40mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2355.9 грн
25+ 2049.54 грн
100+ 1544.4 грн
250+ 1307.26 грн
600+ 1238.18 грн
3000+ 1237.51 грн
UJ3C120040K3SUSCiTransistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A UJ3C120040K3S TUJ3C120040k3s
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+1813.31 грн
UJ3C120040K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 40A, 12V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1784.87 грн
30+ 1424.86 грн
120+ 1335.82 грн
510+ 1069.75 грн
UJ3C120040K3S
Код товару: 193437		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
UJ3C120040K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/40mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2315.6 грн
10+ 2105.3 грн
120+ 1563 грн
270+ 1562.33 грн
510+ 1434.13 грн
UJ3C120040K3SQORVODescription: QORVO - UJ3C120040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2310.75 грн
5+ 2175.13 грн
10+ 2039.51 грн
50+ 1767.9 грн
100+ 1515.02 грн
UJ3C120040K3SQorvo (UnitedSiC)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 1.2kV; 47A
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 429W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
UJ3C120070K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 34.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+963.57 грн
30+ 750.87 грн
120+ 706.71 грн
510+ 601.05 грн
UJ3C120070K3SQorvoMOSFET 1200V/70mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1304.27 грн
10+ 1181.75 грн
120+ 866.86 грн
510+ 772.53 грн
1020+ 759.91 грн
UJ3C120070K3SQORVODescription: QORVO - UJ3C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1143.08 грн
5+ 1067.07 грн
10+ 990.32 грн
50+ 858.69 грн
100+ 735.79 грн
250+ 622.74 грн
UJ3C120070K4SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3C120070K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34.5 A, 1.2 kV, 70 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1298.82 грн
5+ 1219.83 грн
10+ 1139.35 грн
50+ 986.7 грн
100+ 821.38 грн
250+ 797.75 грн
UJ3C120080K3S
Код товару: 175759		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
UJ3C120080K3SQORVODescription: QORVO - UJ3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254.2W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1152.76 грн
5+ 1076.01 грн
10+ 999.26 грн
50+ 866.3 грн
100+ 742.18 грн
250+ 628.49 грн
UJ3C120080K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 254.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 5884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+682.62 грн
30+ 551.08 грн
UJ3C120080K3SQorvoMOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1178.73 грн
25+ 1024.39 грн
100+ 771.87 грн
250+ 653.63 грн
600+ 619.09 грн
3000+ 606.47 грн
5400+ 588.53 грн
UJ3C120150K3SQorvo / UnitedSiCMOSFET 1200V/150mOhm, SiC, CASCODE, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+869.51 грн
10+ 774.59 грн
120+ 557.31 грн
510+ 484.91 грн
1020+ 439.74 грн
2520+ 431.77 грн
UJ3C120150K3SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 166.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Rds(on)-Prüfspannung: 12
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+883.76 грн
5+ 819.68 грн
10+ 755.59 грн
50+ 641.42 грн
100+ 535.88 грн
250+ 525.02 грн
UJ3C120150K3SQorvoDescription: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 738 pF @ 100 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+643.1 грн
30+ 494.13 грн
120+ 442.11 грн
UJ3C120150K3SQorvoMOSFET 1200V/150mO,SICFET,G3,TO247-3
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+765.67 грн
25+ 626.4 грн
100+ 482.92 грн
250+ 419.81 грн
600+ 383.94 грн
3000+ 380.62 грн
5400+ 376.63 грн
UJ3D06504TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/4A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.19 грн
25+ 131.39 грн
100+ 96.98 грн
250+ 90.34 грн
500+ 77.05 грн
1000+ 66.03 грн
3000+ 65.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06504TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/4A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.14 грн
10+ 143.61 грн
50+ 124.22 грн
100+ 98.31 грн
500+ 83.03 грн
1000+ 67.75 грн
5000+ 64.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06504TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 118pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 22775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.18 грн
10+ 119.84 грн
100+ 95.39 грн
500+ 75.75 грн
1000+ 64.27 грн
2000+ 61.06 грн
5000+ 57.8 грн
10000+ 55.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06506TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/6A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
товар відсутній
UJ3D06506TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 196pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 58496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.57 грн
10+ 154.09 грн
100+ 122.65 грн
500+ 97.39 грн
1000+ 82.64 грн
2000+ 78.51 грн
5000+ 74.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06506TSUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/6A SiC SCHOTTKY DIODE G3
товар відсутній
UJ3D06508TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/8A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.79 грн
10+ 214.65 грн
50+ 185.99 грн
100+ 152.12 грн
500+ 129.53 грн
1000+ 113.59 грн
2500+ 112.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06508TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 28214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.07 грн
10+ 164.82 грн
100+ 133.34 грн
500+ 111.23 грн
1000+ 95.24 грн
2000+ 89.68 грн
5000+ 84.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06508TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/8A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.97 грн
25+ 181.81 грн
100+ 137.5 грн
250+ 127.54 грн
500+ 110.27 грн
1000+ 96.98 грн
5000+ 92.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06508TSUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.84 грн
10+ 188.53 грн
100+ 146.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ3D06510TSUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.69 грн
10+ 211.6 грн
50+ 183.34 грн
100+ 150.79 грн
500+ 128.2 грн
1000+ 111.6 грн
2500+ 109.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06510TSUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.41 грн
10+ 213.12 грн
100+ 164.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
UJ3D06510TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.34 грн
10+ 243.68 грн
50+ 211.23 грн
100+ 172.71 грн
500+ 146.8 грн
1000+ 128.2 грн
2500+ 126.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06510TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 327pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 11389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.65 грн
10+ 186.62 грн
100+ 150.95 грн
500+ 125.92 грн
1000+ 107.82 грн
2000+ 101.53 грн
5000+ 95.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06510TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/10A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.09 грн
25+ 147.43 грн
100+ 110.27 грн
500+ 107.61 грн
5000+ 106.28 грн
10000+ 104.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06512TSQORVODescription: QORVO - UJ3D06512TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 29 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 29nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.18 грн
10+ 239.94 грн
100+ 183.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
UJ3D06512TSUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/12A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220-2L, ENHANCED SURGE
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.36 грн
10+ 292.57 грн
100+ 207.91 грн
500+ 176.69 грн
UJ3D06512TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/12A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.56 грн
25+ 269.66 грн
100+ 203.26 грн
250+ 191.31 грн
500+ 166.73 грн
1000+ 143.48 грн
3000+ 142.82 грн
UJ3D06512TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 392pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 4601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+303.95 грн
10+ 245.84 грн
100+ 198.87 грн
500+ 165.89 грн
1000+ 142.05 грн
2000+ 133.75 грн
UJ3D06512TSUnited Silicon Carbide12A - 650V SiC Schottky Diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+130.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
UJ3D06512TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/12A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220-2L, ENHANCED SURGE
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+359.59 грн
10+ 317.78 грн
50+ 275 грн
100+ 225.85 грн
500+ 191.31 грн
1000+ 168.06 грн
5000+ 167.39 грн
UJ3D06516TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/16A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220-2L, ENHANCED SURGE
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.18 грн
10+ 362.09 грн
50+ 314.19 грн
100+ 257.73 грн
500+ 219.21 грн
1000+ 191.97 грн
2500+ 188.65 грн
UJ3D06516TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/16A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.18 грн
25+ 307.09 грн
100+ 232.49 грн
250+ 215.22 грн
500+ 172.71 грн
1000+ 170.71 грн
3000+ 163.41 грн
UJ3D06516TSUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/16A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220-2L, ENHANCED SURGE
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.76 грн
10+ 358.27 грн
100+ 254.41 грн
500+ 216.55 грн
UJ3D06516TSUnitedSiCDescription: 650V 16A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+486.46 грн
10+ 420.14 грн
UJ3D06520KSDUnited Silicon CarbideUJ3D06520KSD
товар відсутній
UJ3D06520KSDQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 12837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.39 грн
10+ 332.27 грн
100+ 276.91 грн
500+ 229.29 грн
1000+ 206.36 грн
2000+ 193.37 грн
UJ3D06520KSDUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3D06520KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+564.83 грн
5+ 516.4 грн
10+ 467.96 грн
50+ 397.17 грн
100+ 331.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06520KSDQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/20A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.41 грн
25+ 429.31 грн
100+ 312.87 грн
250+ 274.34 грн
600+ 247.77 грн
1200+ 232.49 грн
10200+ 231.16 грн
UJ3D06520TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 654pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 6111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.15 грн
50+ 276.32 грн
100+ 236.85 грн
500+ 197.58 грн
1000+ 169.18 грн
2000+ 159.3 грн
UJ3D06520TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/20A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220-2L, ENHANCED SURGE
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.41 грн
10+ 415.56 грн
100+ 296.26 грн
500+ 252.42 грн
1000+ 221.2 грн
2500+ 213.89 грн
5000+ 206.58 грн
UJ3D06520TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/20A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.83 грн
25+ 346.81 грн
100+ 266.37 грн
250+ 230.5 грн
500+ 195.29 грн
1000+ 185.33 грн
UJ3D06530TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/30A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.65 грн
10+ 549.24 грн
100+ 395.23 грн
500+ 344.09 грн
1000+ 323.49 грн
2500+ 312.87 грн
UJ3D06530TSQorvo (UnitedSiC)UJ3D06530TS THT Schottky diodes
товар відсутній
UJ3D06530TSUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3D06530TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 72 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 72
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+517.14 грн
5+ 492.55 грн
10+ 467.22 грн
50+ 433.15 грн
100+ 330.85 грн
250+ 324.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D06530TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/30A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.25 грн
25+ 476.67 грн
100+ 370.66 грн
250+ 366.01 грн
500+ 320.84 грн
1000+ 275 грн
3000+ 274.34 грн
UJ3D06530TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 990pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 370 µA @ 650 V
на замовлення 7896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+530.29 грн
10+ 461.24 грн
100+ 381.84 грн
500+ 312.04 грн
1000+ 293.18 грн
UJ3D06530TSUnited Silicon CarbideUJ3D06530TS
товар відсутній
UJ3D06560KSDQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 650V/60A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1147.73 грн
25+ 998.41 грн
100+ 751.94 грн
250+ 636.36 грн
600+ 602.48 грн
3000+ 591.19 грн
5400+ 572.59 грн
UJ3D06560KSDQorvoDescription: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 740 µA @ 650 V
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+971.48 грн
10+ 824.03 грн
100+ 712.71 грн
500+ 606.15 грн
1000+ 555.98 грн
UJ3D06560KSDQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 650V/60A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247, DUAL
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1216.7 грн
10+ 1102.3 грн
120+ 809.07 грн
510+ 722.71 грн
1020+ 709.43 грн
UJ3D1202TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/2A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.77 грн
50+ 182.57 грн
100+ 126.87 грн
500+ 104.29 грн
1000+ 87.02 грн
2500+ 83.7 грн
5000+ 81.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1202TSQORVODescription: QORVO - UJ3D1202TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 12 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.35 грн
10+ 132.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
UJ3D1202TSUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/2A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.02 грн
10+ 159.65 грн
50+ 138.17 грн
100+ 110.27 грн
500+ 90.34 грн
1000+ 75.73 грн
2500+ 74.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1202TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 109pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 22 µA @ 1200 V
на замовлення 17979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.08 грн
50+ 122.61 грн
100+ 100.89 грн
500+ 80.12 грн
1000+ 67.98 грн
2000+ 64.58 грн
5000+ 61.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1202TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/2A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.74 грн
25+ 135.97 грн
100+ 104.95 грн
250+ 90.34 грн
500+ 77.05 грн
1000+ 73.07 грн
5000+ 70.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1205TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 1200 V
на замовлення 36235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.02 грн
50+ 187.02 грн
100+ 160.29 грн
500+ 133.72 грн
1000+ 114.5 грн
2000+ 107.81 грн
5000+ 101.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1205TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/5A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+315.41 грн
10+ 279.59 грн
50+ 242.45 грн
100+ 198.61 грн
500+ 168.72 грн
1000+ 147.47 грн
2500+ 145.47 грн
UJ3D1210K2QorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 7251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.32 грн
30+ 316.58 грн
120+ 271.34 грн
510+ 226.35 грн
1020+ 193.81 грн
2010+ 182.5 грн
UJ3D1210K2QorvoSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.21 грн
25+ 350.63 грн
100+ 263.71 грн
250+ 223.85 грн
600+ 220.53 грн
3000+ 215.22 грн
5400+ 211.23 грн
UJ3D1210KSUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfache, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfache, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+475.41 грн
5+ 451.57 грн
10+ 427.72 грн
50+ 361.19 грн
100+ 300.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1210KSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.6 грн
10+ 354.2 грн
100+ 286.54 грн
500+ 239.03 грн
1000+ 204.67 грн
2000+ 192.72 грн
UJ3D1210KSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO247-3
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.86 грн
25+ 457.57 грн
100+ 324.16 грн
250+ 279.65 грн
600+ 244.45 грн
1200+ 232.49 грн
UJ3D1210KSDQorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 5328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.03 грн
10+ 382.36 грн
100+ 316.55 грн
500+ 258.68 грн
1000+ 243.04 грн
UJ3D1210KSDQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,DUAL,G3,TO247-3
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.08 грн
25+ 464.45 грн
100+ 339.44 грн
250+ 287.62 грн
600+ 268.36 грн
3000+ 265.7 грн
5400+ 261.05 грн
UJ3D1210KSDUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+468.71 грн
5+ 446.35 грн
10+ 424 грн
50+ 359.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1210TSQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A,SIC,DIODE,G3,TO220-2
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.03 грн
25+ 405.63 грн
100+ 290.28 грн
250+ 274.34 грн
500+ 233.15 грн
1000+ 206.58 грн
3000+ 205.92 грн
UJ3D1210TSQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.15 грн
10+ 450.7 грн
100+ 320.84 грн
500+ 273.01 грн
1000+ 239.8 грн
2500+ 231.83 грн
5000+ 223.85 грн
UJ3D1210TSQORVODescription: QORVO - UJ3D1210TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.18 грн
5+ 419.53 грн
10+ 365.87 грн
50+ 319.67 грн
100+ 276.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3D1210TSQorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 9266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.33 грн
50+ 299.12 грн
100+ 256.39 грн
500+ 213.88 грн
1000+ 183.14 грн
2000+ 172.44 грн
UJ3D1210TSUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-220, ENHANCED SURGE
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+487.45 грн
10+ 431.6 грн
100+ 306.89 грн
500+ 261.72 грн
UJ3D1220K2Qorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-2L
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+805.97 грн
10+ 718.06 грн
120+ 516.79 грн
510+ 449.7 грн
1020+ 422.47 грн
2520+ 409.18 грн
UJ3D1220K2QorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 1200 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+642.38 грн
10+ 530.3 грн
100+ 441.93 грн
UJ3D1220K2QorvoSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A,SIC,DIODE,G3,TO247-2
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+671.12 грн
25+ 598.13 грн
100+ 439.74 грн
250+ 377.3 грн
600+ 352.72 грн
3000+ 346.08 грн
5400+ 336.78 грн
UJ3D1220KSDQorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1020pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 1200 V
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+745.13 грн
30+ 572.62 грн
120+ 512.34 грн
510+ 424.25 грн
1020+ 381.82 грн
UJ3D1220KSDQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A, SiC, SCHOTTKY DIODE, G3, TO-247-3L, ENHANCED SURGE, DUAL
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+940.81 грн
10+ 795.22 грн
30+ 575.25 грн
270+ 508.16 грн
510+ 457.01 грн
UJ3D1220KSDQorvo (UnitedSiC)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 53.2/468.8W
Mounting: THT
Manufacturer series: UJ3D
Case: TO247-3
Power dissipation: 53.2/468.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 220A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1267.07 грн
3+ 1155.43 грн
UJ3D1220KSDQorvo (UnitedSiC)Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; 53.2/468.8W
Mounting: THT
Manufacturer series: UJ3D
Case: TO247-3
Power dissipation: 53.2/468.8W
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.4V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 220A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1055.89 грн
3+ 927.19 грн
UJ3D1220KSDQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A, SiC, SCHOTTKY DIODE, G3, TO-247-3L, ENHANCED SURGE, DUAL
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+939.26 грн
10+ 844.11 грн
30+ 628.39 грн
120+ 613.11 грн
270+ 547.35 грн
510+ 514.14 грн
2520+ 510.81 грн
UJ3D1220TSUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/20A SiC SCHOTTKY DIODE G2
товар відсутній
UJ3D1250KQorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-3L
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1884.72 грн
30+ 1698.91 грн
120+ 1260.76 грн
510+ 1208.29 грн
1020+ 1185.7 грн
UJ3D1250KQorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 6888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1491.71 грн
10+ 1276.62 грн
100+ 1116.59 грн
500+ 894.19 грн
UJ3D1250KUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-3L
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1780.1 грн
10+ 1618.7 грн
120+ 1201.64 грн
510+ 1081.41 грн
UJ3D1250KQorvoSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-3L
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1832.02 грн
10+ 1605.71 грн
30+ 1220.24 грн
270+ 1040.89 грн
UJ3D1250K2Qorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-2L
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1868.45 грн
10+ 1698.91 грн
120+ 1260.76 грн
510+ 1208.29 грн
1020+ 1185.7 грн
UJ3D1250K2QorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 9839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1491.71 грн
10+ 1276.62 грн
100+ 1116.59 грн
500+ 894.19 грн
UJ3D1250K2UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1200V/50A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-2L
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1832.8 грн
10+ 1625.57 грн
120+ 1212.94 грн
510+ 1118.61 грн
UJ3D1250ZWUnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 50A - 1200V SiC Schottky Diode Die on tape
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
UJ3D1725K2Qorvo / UnitedSiCSchottky Diodes & Rectifiers 1700V/25A SiC SCHOTTKY DIODE G3, TO-247-2L
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1391.07 грн
10+ 1259.67 грн
120+ 923.98 грн
510+ 824.34 грн
1020+ 809.73 грн
UJ3D1725K2United Silicon CarbideUJ3D1725K2
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+809 грн
52+ 740.47 грн
204+ 712.22 грн
503+ 657.82 грн
UJ3D1725K2QorvoDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 25A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 360 µA @ 1700 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+722.14 грн
30+ 583.02 грн
UJ3N065025K3SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 85
Verlustleistung Pd: 441
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 2
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1433.69 грн
5+ 1375.57 грн
10+ 1317.45 грн
50+ 1199.12 грн
100+ 1083.89 грн
UJ3N065025K3SQorvoDescription: JFET N-CH 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 85 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 441 W
Resistance - RDS(On): 33 mOhms
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1246.68 грн
30+ 971.98 грн
120+ 914.81 грн
510+ 778.03 грн
UJ3N065025K3SQorvoJFET 650V/25mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 440 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
1+1512.74 грн
25+ 1316.19 грн
100+ 991.74 грн
250+ 839.62 грн
600+ 795.12 грн
3000+ 778.51 грн
5400+ 755.26 грн
UJ3N065025K3SQorvo / UnitedSiCJFET 650V/25mOhm, SiC, N-ON JFET, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1687.88 грн
10+ 1528.56 грн
120+ 1121.93 грн
510+ 1000.37 грн
1020+ 983.1 грн
UJ3N065025K3SUnited Silicon Carbide650V SiC Normally-On JFET
товар відсутній
UJ3N065080K3SQorvo / UnitedSiCJFET 650V/80mOhm, SiC, N-ON JFET, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+720.72 грн
10+ 641.67 грн
120+ 462.32 грн
510+ 401.88 грн
1020+ 364.68 грн
2520+ 358.04 грн
UJ3N065080K3SUnited Silicon Carbide650V SiC Normally-On JFET
товар відсутній
UJ3N065080K3SQorvoJFET 650V/80mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+569.6 грн
25+ 495.77 грн
100+ 373.98 грн
250+ 316.19 грн
600+ 299.58 грн
3000+ 293.6 грн
5400+ 284.97 грн
UJ3N065080K3SUNITEDSICDescription: UNITEDSIC - UJ3N065080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.068 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+594.64 грн
5+ 539.5 грн
10+ 483.61 грн
50+ 419.31 грн
100+ 359.59 грн
250+ 304.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
UJ3N065080K3SQorvoDescription: JFET N-CH 650V 32A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 650 V
Current Drain (Id) - Max: 32 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Power - Max: 190 W
Resistance - RDS(On): 95 mOhms
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.44 грн
30+ 409.51 грн
120+ 366.41 грн
UJ3N120035K3SUnited Silicon CarbideUJ3N120035K3S
товар відсутній
UJ3N120035K3SQorvo / UnitedSiCJFET 1200V/35mOhm, SiC, N-ON JFET, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2341.18 грн
10+ 2128.22 грн
30+ 1579.61 грн
270+ 1434.13 грн
UJ3N120035K3SQorvoDescription: JFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 63 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 429 W
Resistance - RDS(On): 45 mOhms
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1784.87 грн
30+ 1424.86 грн
120+ 1335.82 грн
510+ 1069.75 грн
UJ3N120035K3SUnited Silicon Carbide35mW - 1200V SiC Normally-On JFET
товар відсутній
UJ3N120035K3SQorvoJFET 1200V/35mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2251.28 грн
25+ 1840.23 грн
100+ 1499.89 грн
250+ 1280.69 грн
600+ 1266.08 грн
3000+ 1258.1 грн
5400+ 1240.83 грн
UJ3N120065K3SQorvoJFET 1200V/65mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1319.77 грн
25+ 1060.29 грн
100+ 862.87 грн
250+ 769.21 грн
600+ 759.91 грн
1200+ 759.25 грн
3000+ 755.93 грн
UJ3N120065K3SQorvoDescription: JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1008pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 34 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 55 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 µA @ 1200 V
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1052.67 грн
30+ 820.59 грн
120+ 772.32 грн
510+ 656.84 грн
UJ3N120065K3SUnited Silicon CarbideUJ3N120065K3S
товар відсутній
UJ3N120065K3SQorvo / UnitedSiCJFET 1200V/65mOhm SiC Planar JFET, N-ON G3, TO-247-3L
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1408.12 грн
10+ 1276.47 грн
120+ 936.6 грн
510+ 833.64 грн
2520+ 795.78 грн
UJ3N120070K3SQorvoJFET 1200V/70mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1178.73 грн
25+ 1024.39 грн
100+ 771.87 грн
250+ 653.63 грн
600+ 619.09 грн
3000+ 606.47 грн
5400+ 588.53 грн
UJ3N120070K3SQORVODescription: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1152.76 грн
5+ 1076.01 грн
10+ 999.26 грн
50+ 866.3 грн
100+ 742.18 грн
250+ 628.49 грн
UJ3N120070K3SQorvo / UnitedSiCJFET 1200V/70mOhm, SiC, N-ON JFET, G3, TO-247-3L, REDUCED Rth
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1314.35 грн
10+ 1190.15 грн
120+ 873.5 грн
510+ 779.17 грн
1020+ 765.23 грн
UJ3N120070K3SQorvoDescription: JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 100V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 1200 V
Current Drain (Id) - Max: 33.5 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Power - Max: 254 W
Resistance - RDS(On): 90 mOhms
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+970.76 грн
30+ 756.95 грн
120+ 712.44 грн
510+ 605.91 грн
1020+ 555.77 грн
UJ3N120070K3SUnited Silicon Carbide1200V SiC Normally-On JFET
товар відсутній