Продукція > XP9

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
XP9452GGYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.58 грн
10+ 41.72 грн
100+ 28.87 грн
500+ 22.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP9452GGYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.82 грн
500+ 24.77 грн
1000+ 17.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP9452GGYAGEO XSemiMOSFET N-CH 20V 4A S OT-89
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.32 грн
10+ 47.06 грн
100+ 27.83 грн
500+ 23.32 грн
1000+ 19.86 грн
2000+ 18 грн
5000+ 16.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP9452GGYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
товар відсутній
XP9452GGYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9452GG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.038 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9452 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.84 грн
15+ 51.34 грн
100+ 31.82 грн
500+ 24.77 грн
1000+ 17.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
XP9517
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP9518TI09+
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP9518BB/TI
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP952AB
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP9561GHYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -45 A TO-252
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.7 грн
10+ 92.43 грн
100+ 62.37 грн
500+ 53.27 грн
1000+ 43.38 грн
3000+ 40.85 грн
6000+ 38.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP9561GIXSemiMOSFET P-CH -40V -36 A TO-220CFM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
2+211.57 грн
10+ 187.15 грн
100+ 130.86 грн
500+ 107.61 грн
1000+ 81.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP9561GIXSemi CorporationDescription: MOSFET P-CH -40V -17A TO-252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220CFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
товар відсутній
XP9565BGHYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -17 A TO-252
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.56 грн
10+ 53.4 грн
100+ 36.14 грн
500+ 30.62 грн
1000+ 24.98 грн
3000+ 23.45 грн
6000+ 22.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
XP9565BGHXSemi CorporationDescription: MOSFET P-CH -40V -6.5A SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товар відсутній
XP9565BGHXSemi CorporationDescription: MOSFET P-CH -40V -6.5A SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товар відсутній
XP9565GEMYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -6. 5A SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.9 грн
10+ 73.18 грн
100+ 49.16 грн
500+ 41.72 грн
1000+ 35.6 грн
3000+ 30.22 грн
9000+ 30.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP9565GEMXSemiMOSFET P-CH -40V -6. 5A SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
4+94.55 грн
10+ 84.03 грн
100+ 56.59 грн
500+ 46.76 грн
1000+ 36.93 грн
3000+ 32.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP9575GHYAGEO XSemiMOSFET P-CH -60V -15 A TO-252
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.64 грн
10+ 208.54 грн
25+ 171.38 грн
100+ 146.8 грн
250+ 138.17 грн
500+ 130.19 грн
1000+ 111.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP9575GHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9575GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.09 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9575 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+161.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP9575GHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP9575GH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.09 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.3W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP9575 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+250.37 грн
10+ 216.84 грн
25+ 192.25 грн
100+ 161.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP9M830400S410TGSDescription: CRYSTAL 9.8304MHZ 30ppm, 10pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 10pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 9.8304 MHz
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
XP9M830400S412TGSDescription: CRYSTAL 9.8304MHZ 30ppm, 12pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 12pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 9.8304 MHz
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
XP9M830400S416TGSDescription: CRYSTAL 9.8304MHZ 30ppm, 16pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 16pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 9.8304 MHz
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
XP9M830400S418TGSDescription: CRYSTAL 9.8304MHZ 30ppm, 18pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 18pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 9.8304 MHz
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
XP9M830400S420TGSDescription: CRYSTAL 9.8304MHZ 30ppm, 20pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 20pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 80 Ohms
Frequency: 9.8304 MHz
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000
XP9RCOASTDescription: COAST - XP9R - Taschenlampe, Handtaschenlampe, LED, 1000lm, 225m, Lithium-Ionen-Akku, CR123-Zellen x 2
tariffCode: 85131000
Strahlreichweite: 225m
productTraceability: No
Taschenlampe: Handtaschenlampe
rohsCompliant: NA
Stromquelle: Akku, CR123-Lithiumbatterien x 2 (nicht im Lieferumfang enthalten)
Material des Taschenlampengehäuses: -
euEccn: NLR
Lumenpaket: 1000lm
hazardous: true
hazardCode: 3481
rohsPhthalatesCompliant: NA
Lichtqelle: LED
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6176.64 грн