Продукція > YJQ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
YJQ1216AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2992 pF @ 10 V
товар відсутній
YJQ1216AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2992 pF @ 10 V
товар відсутній
YJQ1216A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E
товар відсутній
YJQ1216A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E
товар відсутній
YJQ13N03AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6 грн
15000+ 5.45 грн
30000+ 5.13 грн
60000+ 4.51 грн
120000+ 4.08 грн
300000+ 3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJQ15GP10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 120mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9372 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+25.73 грн
25+ 18.04 грн
72+ 12.99 грн
198+ 12.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
YJQ15GP10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 120mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+21.44 грн
25+ 14.47 грн
72+ 10.82 грн
198+ 10.23 грн
Мінімальне замовлення: 18
YJQ2012AYangjie TechnologyDescription: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.81 грн
15000+ 4.36 грн
30000+ 4.08 грн
60000+ 3.64 грн
120000+ 3.25 грн
300000+ 2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJQ20N04AYangjie TechnologyDescription: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+9.27 грн
25000+ 8.44 грн
50000+ 7.96 грн
100000+ 7.01 грн
200000+ 6.3 грн
500000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJQ20P03AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.18 грн
25000+ 9.22 грн
50000+ 8.7 грн
100000+ 7.61 грн
200000+ 6.88 грн
500000+ 6.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJQ2301AYangjie TechnologyDescription: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.98 грн
15000+ 5.4 грн
30000+ 5.12 грн
60000+ 4.48 грн
120000+ 4.08 грн
300000+ 3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJQ30N03AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 30A DFN3333-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товар відсутній
YJQ30N03AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 30A DFN3333-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товар відсутній
YJQ3400AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+7.97 грн
100+ 4.19 грн
240+ 3.39 грн
500+ 3.38 грн
660+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 50
YJQ3400AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
30+9.57 грн
100+ 5.23 грн
240+ 4.07 грн
500+ 4.06 грн
660+ 3.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
YJQ3400A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 7.7A DFN2020-6L-
товар відсутній
YJQ3400A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 7.7A DFN2020-6L-
товар відсутній
YJQ3407AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
YJQ3407AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJQ35G10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJQ35G10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJQ35N04AYangjie TechnologyDescription: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.75 грн
25000+ 11.61 грн
50000+ 10.95 грн
100000+ 9.58 грн
200000+ 8.64 грн
500000+ 8.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJQ35N04AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.58 грн
25+ 12.76 грн
100+ 9.8 грн
270+ 9.27 грн
5000+ 9.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJQ35N04AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+10.24 грн
100+ 8.17 грн
270+ 7.72 грн
Мінімальне замовлення: 35
YJQ35N04A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 40V 35A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ35N04A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 40V 35A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ3622A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 30A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ3622A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 30A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ40G10A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 40A DFN3333-8L-
товар відсутній
YJQ40G10A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 40A DFN3333-8L-
товар відсутній
YJQ40P03AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152 pF @ 15 V
товар відсутній
YJQ40P03AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152 pF @ 15 V
товар відсутній
YJQ40P03A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ40P03A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ4606AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.33 грн
25000+ 7.56 грн
50000+ 7.11 грн
100000+ 6.24 грн
200000+ 5.63 грн
500000+ 5.2 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJQ4666BYANGJIE TECHNOLOGYYJQ4666B-YAN SMD P channel transistors
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
41+6.61 грн
270+ 3.65 грн
730+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 41
YJQ4666B-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 16V 7A DFN2020-6L-C-
товар відсутній
YJQ4666B-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 16V 7A DFN2020-6L-C-
товар відсутній
YJQ50N03AYangjie TechnologyDescription: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.43 грн
25000+ 11.28 грн
50000+ 10.66 грн
100000+ 9.35 грн
200000+ 8.44 грн
500000+ 7.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJQ50N03BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товар відсутній
YJQ50N03BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товар відсутній
YJQ50N03B-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ50N03B-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ50P03AYangjie TechnologyDescription: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.43 грн
25000+ 22.21 грн
50000+ 20.9 грн
100000+ 18.38 грн
200000+ 16.56 грн
500000+ 15.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJQ55P02AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ55P02AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ55P02A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ55P02A-F1-1100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L
товар відсутній
YJQ60N03AYangjie TechnologyDescription: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.83 грн
25000+ 18.06 грн
50000+ 16.95 грн
100000+ 14.94 грн
200000+ 13.44 грн
500000+ 12.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJQD12N03AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
товар відсутній
YJQD25N04AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.75 грн
25000+ 11.61 грн
50000+ 10.95 грн
100000+ 9.58 грн
200000+ 8.64 грн
500000+ 8.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000