Продукція > NEXPERIA USA INC. > Всі товари виробника NEXPERIA USA INC. (27446) > Сторінка 152 з 458

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 45 90 135 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 180 225 270 315 360 405 450 458  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
PMV120ENEAR PMV120ENEAR Nexperia USA Inc. PMV120ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
14+ 19.58 грн
100+ 11.76 грн
500+ 10.21 грн
1000+ 6.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMV30XPEAR PMV30XPEAR Nexperia USA Inc. PMV30XPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.15 грн
13+ 21.84 грн
100+ 13.08 грн
500+ 11.37 грн
1000+ 7.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMV450ENEAR PMV450ENEAR Nexperia USA Inc. PMV450ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.04 грн
19+ 14.92 грн
100+ 7.28 грн
500+ 5.69 грн
1000+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
PMV65ENEAR PMV65ENEAR Nexperia USA Inc. PMV65ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.7 грн
12+ 24.44 грн
100+ 14.67 грн
500+ 12.75 грн
1000+ 8.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
BCP53-10TX BCP53-10TX Nexperia USA Inc. BCP53T_SER.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BCP53-16TX BCP53-16TX Nexperia USA Inc. BCP53T_SER.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BCP56-10TX BCP56-10TX Nexperia USA Inc. BCP56T_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+6.61 грн
2000+ 5.36 грн
5000+ 5.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BCP56-16TX BCP56-16TX Nexperia USA Inc. BCP56T_SER.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+6.6 грн
2000+ 5.35 грн
5000+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BAW56QAZ BAW56QAZ Nexperia USA Inc. BAW56QA.pdf Description: DIODE ARRAY GP 90V 180MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.62 грн
21+ 13.35 грн
100+ 6.52 грн
500+ 5.1 грн
1000+ 3.54 грн
2000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
BC847AQAZ BC847AQAZ Nexperia USA Inc. BC847XQA_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 280 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.62 грн
21+ 13.35 грн
100+ 6.52 грн
500+ 5.1 грн
1000+ 3.54 грн
2000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
PBHV9515QAZ PBHV9515QAZ Nexperia USA Inc. PBHV9515QA.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 325 mW
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.26 грн
10+ 28.34 грн
100+ 19.3 грн
500+ 13.58 грн
1000+ 10.19 грн
2000+ 9.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
BAS116QAZ BAS116QAZ Nexperia USA Inc. BAS116QA.pdf Description: DIODE GP 75V 300MA DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.19 грн
10000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BAV170QAZ BAV170QAZ Nexperia USA Inc. BAV170QA.pdf Description: DIODE ARRAY GP 75V 180MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BAV99QAZ BAV99QAZ Nexperia USA Inc. BAV99QA.pdf Description: DIODE ARRAY GP 90V 170MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 170mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.15 грн
10000+ 2.52 грн
25000+ 2.47 грн
50000+ 2.09 грн
125000+ 1.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BAS116QAZ BAS116QAZ Nexperia USA Inc. BAS116QA.pdf Description: DIODE GP 75V 300MA DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.91 грн
21+ 13.49 грн
100+ 6.59 грн
500+ 5.16 грн
1000+ 3.58 грн
2000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
BAV170QAZ BAV170QAZ Nexperia USA Inc. BAV170QA.pdf Description: DIODE ARRAY GP 75V 180MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.91 грн
21+ 13.49 грн
100+ 6.59 грн
500+ 5.16 грн
1000+ 3.58 грн
2000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
BUK7M10-40EX BUK7M10-40EX Nexperia USA Inc. BUK7M10-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1231 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.45 грн
10+ 46.62 грн
100+ 32.31 грн
500+ 25.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK7M12-40EX BUK7M12-40EX Nexperia USA Inc. BUK7M12-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 48A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.45 грн
10+ 46.28 грн
100+ 32.02 грн
500+ 25.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK7M27-80EX BUK7M27-80EX Nexperia USA Inc. BUK7M27-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.45 грн
10+ 43.54 грн
100+ 33.89 грн
500+ 26.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK7M45-40EX BUK7M45-40EX Nexperia USA Inc. BUK7M45-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.37 грн
10+ 35.39 грн
100+ 24.6 грн
500+ 18.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK7M8R0-40EX BUK7M8R0-40EX Nexperia USA Inc. BUK7M8R0-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1567 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.29 грн
10+ 45.93 грн
100+ 35.76 грн
500+ 28.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9M10-30EX BUK9M10-30EX Nexperia USA Inc. BUK9M10-30E.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1249 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.16 грн
10+ 47.3 грн
100+ 32.72 грн
500+ 25.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK9M11-40EX BUK9M11-40EX Nexperia USA Inc. BUK9M11-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 53A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1721 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.03 грн
10+ 44.91 грн
100+ 31.07 грн
500+ 24.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK9M12-60EX BUK9M12-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M12-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.98 грн
10+ 50.73 грн
100+ 39.47 грн
500+ 31.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9M120-100EX BUK9M120-100EX Nexperia USA Inc. BUK9M120-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.79 грн
10+ 37.45 грн
100+ 25.88 грн
500+ 20.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK9M14-40EX BUK9M14-40EX Nexperia USA Inc. BUK9M14-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1211 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.74 грн
10+ 45.46 грн
100+ 31.45 грн
500+ 24.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK9M156-100EX BUK9M156-100EX Nexperia USA Inc. BUK9M156-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.65 грн
10+ 35.46 грн
100+ 24.55 грн
500+ 19.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK9M17-30EX BUK9M17-30EX Nexperia USA Inc. BUK9M17-30E.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.79 грн
10+ 37.24 грн
100+ 25.76 грн
500+ 20.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK9M23-80EX BUK9M23-80EX Nexperia USA Inc. BUK9M23-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.01 грн
10+ 46.55 грн
100+ 36.19 грн
500+ 28.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9M24-60EX BUK9M24-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M24-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1469 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.74 грн
10+ 45.52 грн
100+ 31.51 грн
500+ 24.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK9M34-100EX BUK9M34-100EX Nexperia USA Inc. BUK9M34-100E.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.27 грн
10+ 49.63 грн
100+ 38.58 грн
500+ 30.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9M35-80EX BUK9M35-80EX Nexperia USA Inc. BUK9M35-80E.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+56.87 грн
10+ 47.78 грн
100+ 33.09 грн
500+ 25.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9M42-60EX BUK9M42-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M42-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.94 грн
10+ 34.84 грн
100+ 24.14 грн
500+ 18.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK9M85-60EX BUK9M85-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M85-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.23 грн
10+ 34.37 грн
100+ 23.88 грн
500+ 17.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK9M9R1-40EX BUK9M9R1-40EX Nexperia USA Inc. BUK9M9R1-40E.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.01 грн
10+ 46.82 грн
100+ 36.39 грн
500+ 28.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
PSMN010-80YLX PSMN010-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN010-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.13 грн
10+ 73.66 грн
100+ 57.28 грн
500+ 45.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN013-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
на замовлення 7320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+56.87 грн
10+ 47.44 грн
100+ 32.89 грн
500+ 25.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
PSMN021-100YLX PSMN021-100YLX Nexperia USA Inc. PSMN021-100YL.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 5749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.8 грн
10+ 56.48 грн
100+ 43.91 грн
500+ 34.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN025-80YLX PSMN025-80YLX Nexperia USA Inc. PSMN025-80YL.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V
товар відсутній
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN5R6-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
на замовлення 7840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.51 грн
10+ 57.3 грн
100+ 44.52 грн
500+ 35.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX Nexperia USA Inc. PSMN7R5-60YL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.04 грн
10+ 63.87 грн
100+ 49.64 грн
500+ 39.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
PMZ600UNELYL PMZ600UNELYL Nexperia USA Inc. PMZ600UNEL.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 68624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.37 грн
30000+ 3.19 грн
50000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZ950UPELYL PMZ950UPELYL Nexperia USA Inc. PMZ950UPEL.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMDXB600UNELZ PMDXB600UNELZ Nexperia USA Inc. PMDXB600UNEL.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+5.25 грн
10000+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPELZ Nexperia USA Inc. PMDXB950UPEL.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.79 грн
10000+ 5.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMCXB900UELZ PMCXB900UELZ Nexperia USA Inc. PMCXB900UEL.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товар відсутній
PMZ600UNELYL PMZ600UNELYL Nexperia USA Inc. PMZ600UNEL.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 76661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
16+ 17.18 грн
100+ 8.4 грн
500+ 6.58 грн
1000+ 4.57 грн
2000+ 3.96 грн
5000+ 3.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMZ950UPELYL PMZ950UPELYL Nexperia USA Inc. PMZ950UPEL.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 35986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.15 грн
15+ 19.51 грн
100+ 9.86 грн
500+ 7.54 грн
1000+ 5.6 грн
2000+ 4.71 грн
5000+ 4.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMDXB600UNELZ PMDXB600UNELZ Nexperia USA Inc. PMDXB600UNEL.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 19496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
14+ 20.54 грн
100+ 10.38 грн
500+ 7.95 грн
1000+ 5.9 грн
2000+ 4.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPELZ Nexperia USA Inc. PMDXB950UPEL.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 33923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
14+ 19.58 грн
100+ 11.77 грн
500+ 10.23 грн
1000+ 6.96 грн
2000+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMCXB900UELZ PMCXB900UELZ Nexperia USA Inc. PMCXB900UEL.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 5164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
14+ 19.58 грн
100+ 11.77 грн
500+ 10.23 грн
1000+ 6.96 грн
2000+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 11
PESD18VF1BSFYL PESD18VF1BSFYL Nexperia USA Inc. PESD18VF1BSF.pdf Description: TVS DIODE 18VWM 16VC DSN0603-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.28pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 90903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.28 грн
13+ 21.36 грн
100+ 10.77 грн
500+ 8.96 грн
1000+ 6.97 грн
2000+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
PESD24VF1BSFYL PESD24VF1BSFYL Nexperia USA Inc. PESD24VF1BSF.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 17VC DSN0603-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 10820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.99 грн
13+ 21.63 грн
100+ 10.92 грн
500+ 9.08 грн
1000+ 7.07 грн
2000+ 6.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
BAT54XYH BAT54XYH Nexperia USA Inc. BAT54XY.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.7 грн
6000+ 6.19 грн
9000+ 5.57 грн
30000+ 5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMT280ENEAX PMT280ENEAX Nexperia USA Inc. PMT280ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+10.11 грн
2000+ 8.7 грн
Мінімальне замовлення: 1000
PMT560ENEAX PMT560ENEAX Nexperia USA Inc. PMT560ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 715mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+8.05 грн
2000+ 7.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NX3008NBKSH NX3008NBKSH Nexperia USA Inc. NX3008NBKS.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV50EPEAR PMV50EPEAR Nexperia USA Inc. PMV50EPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.41 грн
6000+ 6.84 грн
9000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV100XPEAR PMV100XPEAR Nexperia USA Inc. PMV100XPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.26 грн
6000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV35EPER PMV35EPER Nexperia USA Inc. PMV35EPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV120ENEAR PMV120ENEA.pdf
PMV120ENEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 513mW (Ta), 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.3 грн
14+ 19.58 грн
100+ 11.76 грн
500+ 10.21 грн
1000+ 6.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMV30XPEAR PMV30XPEA.pdf
PMV30XPEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.15 грн
13+ 21.84 грн
100+ 13.08 грн
500+ 11.37 грн
1000+ 7.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMV450ENEAR PMV450ENEA.pdf
PMV450ENEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.04 грн
19+ 14.92 грн
100+ 7.28 грн
500+ 5.69 грн
1000+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
PMV65ENEAR PMV65ENEA.pdf
PMV65ENEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.7 грн
12+ 24.44 грн
100+ 14.67 грн
500+ 12.75 грн
1000+ 8.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
BCP53-10TX BCP53T_SER.pdf
BCP53-10TX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BCP53-16TX BCP53T_SER.pdf
BCP53-16TX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BCP56-10TX BCP56T_SER.pdf
BCP56-10TX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+6.61 грн
2000+ 5.36 грн
5000+ 5.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BCP56-16TX BCP56T_SER.pdf
BCP56-16TX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+6.6 грн
2000+ 5.35 грн
5000+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BAW56QAZ BAW56QA.pdf
BAW56QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ARRAY GP 90V 180MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.62 грн
21+ 13.35 грн
100+ 6.52 грн
500+ 5.1 грн
1000+ 3.54 грн
2000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
BC847AQAZ BC847XQA_SER.pdf
BC847AQAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 280 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.62 грн
21+ 13.35 грн
100+ 6.52 грн
500+ 5.1 грн
1000+ 3.54 грн
2000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
PBHV9515QAZ PBHV9515QA.pdf
PBHV9515QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 150V 0.5A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 325 mW
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.26 грн
10+ 28.34 грн
100+ 19.3 грн
500+ 13.58 грн
1000+ 10.19 грн
2000+ 9.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
BAS116QAZ BAS116QA.pdf
BAS116QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE GP 75V 300MA DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+3.19 грн
10000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BAV170QAZ BAV170QA.pdf
BAV170QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ARRAY GP 75V 180MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BAV99QAZ BAV99QA.pdf
BAV99QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ARRAY GP 90V 170MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 170mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+3.15 грн
10000+ 2.52 грн
25000+ 2.47 грн
50000+ 2.09 грн
125000+ 1.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BAS116QAZ BAS116QA.pdf
BAS116QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE GP 75V 300MA DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.91 грн
21+ 13.49 грн
100+ 6.59 грн
500+ 5.16 грн
1000+ 3.58 грн
2000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
BAV170QAZ BAV170QA.pdf
BAV170QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ARRAY GP 75V 180MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 180mA (DC)
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.91 грн
21+ 13.49 грн
100+ 6.59 грн
500+ 5.16 грн
1000+ 3.58 грн
2000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
BUK7M10-40EX BUK7M10-40E.pdf
BUK7M10-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1231 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.45 грн
10+ 46.62 грн
100+ 32.31 грн
500+ 25.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK7M12-40EX BUK7M12-40E.pdf
BUK7M12-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 48A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.45 грн
10+ 46.28 грн
100+ 32.02 грн
500+ 25.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK7M27-80EX BUK7M27-80E.pdf
BUK7M27-80EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1306 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.45 грн
10+ 43.54 грн
100+ 33.89 грн
500+ 26.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK7M45-40EX BUK7M45-40E.pdf
BUK7M45-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 19A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 317 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.37 грн
10+ 35.39 грн
100+ 24.6 грн
500+ 18.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK7M8R0-40EX BUK7M8R0-40E.pdf
BUK7M8R0-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 69A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1567 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.29 грн
10+ 45.93 грн
100+ 35.76 грн
500+ 28.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9M10-30EX BUK9M10-30E.pdf
BUK9M10-30EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1249 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.16 грн
10+ 47.3 грн
100+ 32.72 грн
500+ 25.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK9M11-40EX BUK9M11-40E.pdf
BUK9M11-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 53A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1721 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.03 грн
10+ 44.91 грн
100+ 31.07 грн
500+ 24.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK9M12-60EX BUK9M12-60E.pdf
BUK9M12-60EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2769 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.98 грн
10+ 50.73 грн
100+ 39.47 грн
500+ 31.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9M120-100EX BUK9M120-100E.pdf
BUK9M120-100EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.79 грн
10+ 37.45 грн
100+ 25.88 грн
500+ 20.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK9M14-40EX BUK9M14-40E.pdf
BUK9M14-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1211 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.74 грн
10+ 45.46 грн
100+ 31.45 грн
500+ 24.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK9M156-100EX BUK9M156-100E.pdf
BUK9M156-100EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.65 грн
10+ 35.46 грн
100+ 24.55 грн
500+ 19.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK9M17-30EX BUK9M17-30E.pdf
BUK9M17-30EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.79 грн
10+ 37.24 грн
100+ 25.76 грн
500+ 20.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK9M23-80EX BUK9M23-80E.pdf
BUK9M23-80EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.01 грн
10+ 46.55 грн
100+ 36.19 грн
500+ 28.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9M24-60EX BUK9M24-60E.pdf
BUK9M24-60EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1469 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.74 грн
10+ 45.52 грн
100+ 31.51 грн
500+ 24.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
BUK9M34-100EX BUK9M34-100E.pdf
BUK9M34-100EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.27 грн
10+ 49.63 грн
100+ 38.58 грн
500+ 30.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9M35-80EX BUK9M35-80E.pdf
BUK9M35-80EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+56.87 грн
10+ 47.78 грн
100+ 33.09 грн
500+ 25.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
BUK9M42-60EX BUK9M42-60E.pdf
BUK9M42-60EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.94 грн
10+ 34.84 грн
100+ 24.14 грн
500+ 18.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK9M85-60EX BUK9M85-60E.pdf
BUK9M85-60EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.23 грн
10+ 34.37 грн
100+ 23.88 грн
500+ 17.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
BUK9M9R1-40EX BUK9M9R1-40E.pdf
BUK9M9R1-40EX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.01 грн
10+ 46.82 грн
100+ 36.39 грн
500+ 28.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
PSMN010-80YLX PSMN010-80YL.pdf
PSMN010-80YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.13 грн
10+ 73.66 грн
100+ 57.28 грн
500+ 45.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2603 pF @ 25 V
на замовлення 7320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+56.87 грн
10+ 47.44 грн
100+ 32.89 грн
500+ 25.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
PSMN021-100YLX PSMN021-100YL.pdf
PSMN021-100YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 5749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.8 грн
10+ 56.48 грн
100+ 43.91 грн
500+ 34.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN025-80YLX PSMN025-80YL.pdf
PSMN025-80YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 25 V
товар відсутній
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YL.pdf
PSMN5R6-60YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5026 pF @ 25 V
на замовлення 7840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.51 грн
10+ 57.3 грн
100+ 44.52 грн
500+ 35.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YL.pdf
PSMN7R5-60YLX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4570 pF @ 25 V
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.04 грн
10+ 63.87 грн
100+ 49.64 грн
500+ 39.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
PMZ600UNELYL PMZ600UNEL.pdf
PMZ600UNELYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 68624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.37 грн
30000+ 3.19 грн
50000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZ950UPELYL PMZ950UPEL.pdf
PMZ950UPELYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMDXB600UNELZ PMDXB600UNEL.pdf
PMDXB600UNELZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+5.25 грн
10000+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPEL.pdf
PMDXB950UPELZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+6.79 грн
10000+ 5.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMCXB900UELZ PMCXB900UEL.pdf
PMCXB900UELZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товар відсутній
PMZ600UNELYL PMZ600UNEL.pdf
PMZ600UNELYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 76661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.3 грн
16+ 17.18 грн
100+ 8.4 грн
500+ 6.58 грн
1000+ 4.57 грн
2000+ 3.96 грн
5000+ 3.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMZ950UPELYL PMZ950UPEL.pdf
PMZ950UPELYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 35986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.15 грн
15+ 19.51 грн
100+ 9.86 грн
500+ 7.54 грн
1000+ 5.6 грн
2000+ 4.71 грн
5000+ 4.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMDXB600UNELZ PMDXB600UNEL.pdf
PMDXB600UNELZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 19496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.86 грн
14+ 20.54 грн
100+ 10.38 грн
500+ 7.95 грн
1000+ 5.9 грн
2000+ 4.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPEL.pdf
PMDXB950UPELZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 33923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.3 грн
14+ 19.58 грн
100+ 11.77 грн
500+ 10.23 грн
1000+ 6.96 грн
2000+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMCXB900UELZ PMCXB900UEL.pdf
PMCXB900UELZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 5164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.3 грн
14+ 19.58 грн
100+ 11.77 грн
500+ 10.23 грн
1000+ 6.96 грн
2000+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 11
PESD18VF1BSFYL PESD18VF1BSF.pdf
PESD18VF1BSFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 18VWM 16VC DSN0603-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.28pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 19V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 90903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.28 грн
13+ 21.36 грн
100+ 10.77 грн
500+ 8.96 грн
1000+ 6.97 грн
2000+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
PESD24VF1BSFYL PESD24VF1BSF.pdf
PESD24VF1BSFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 24VWM 17VC DSN0603-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.25pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: DSN0603-2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 10820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+31.99 грн
13+ 21.63 грн
100+ 10.92 грн
500+ 9.08 грн
1000+ 7.07 грн
2000+ 6.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
BAT54XYH BAT54XY.pdf
BAT54XYH
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.7 грн
6000+ 6.19 грн
9000+ 5.57 грн
30000+ 5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMT280ENEAX PMT280ENEA.pdf
PMT280ENEAX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+10.11 грн
2000+ 8.7 грн
Мінімальне замовлення: 1000
PMT560ENEAX PMT560ENEA.pdf
PMT560ENEAX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 715mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+8.05 грн
2000+ 7.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NX3008NBKSH NX3008NBKS.pdf
NX3008NBKSH
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV50EPEAR PMV50EPEA.pdf
PMV50EPEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.41 грн
6000+ 6.84 грн
9000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV100XPEAR PMV100XPEA.pdf
PMV100XPEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 463mW (Ta), 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.26 грн
6000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV35EPER PMV35EPE.pdf
PMV35EPER
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 45 90 135 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 180 225 270 315 360 405 450 458  [ Наступна Сторінка >> ]