Production > Capacitors > Aluminium Capacitors (Through Hole) > 1000uF 250V ELP 35x40mm (ELP102M2EBB-Hitano) (электролитический конденсатор)
1000uF 250V ELP 35x40mm (ELP102M2EBB-Hitano) (электролитический конденсатор)
Product id: 2999
Manufacturer: HitanoЁмкость: 1000 µF
Номин. напряж.: 250 V
Серия: ELP
Описание: с жесткими выводами, 85С
Темпер. диап.: -25...+85°C
Габариты: 35x40mm
Срок жизни: 2000 часов
on stock: 101 pcs
waiting: 200 pcs
Technical description 1000uF 250V ELP 35x40mm (ELP102M2EBB-Hitano) (электролитический конденсатор) Hitano
With this product buy
| 10 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-10R-Hitano) (резистор SMD) Product id: 2151 |
|
Manufacturer: Hitano
Resistors SMD > 1206
Номинал: 10 Ohm
Точность: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uраб,V: 200 V
Типоразмер: 1206
25000 pcs - waiting 24.07.2023Resistors SMD > 1206
Номинал: 10 Ohm
Точность: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uраб,V: 200 V
Типоразмер: 1206
|
| 20 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-20R-Hitano) (резистор SMD) Product id: 3685 |
Manufacturer: Hitano
Resistors SMD > 1206
Номинал: 20 Ohm
Точность: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uраб,V: 200 V
Типоразмер: 1206
250 pcs - stock KyivResistors SMD > 1206
Номинал: 20 Ohm
Точность: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uраб,V: 200 V
Типоразмер: 1206
3229 pcs - RADIOMAG-Kyiv
390 pcs - RADIOMAG-Kharkiv
690 pcs - RADIOMAG-Dnipro
|
| US1D Product id: 22752 |
|
Manufacturer: Vishay
Diodes, Bridge Rectifiers > Superfast Diodes
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 1 A
Время обратного восстановления Trr, ns: 50 ns
Монтаж: SMD
1 pcs - RADIOMAG-LvivDiodes, Bridge Rectifiers > Superfast Diodes
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 200 V
Iav, A: 1 A
Время обратного восстановления Trr, ns: 50 ns
Монтаж: SMD
4 pcs - RADIOMAG-Kharkiv
available 2319383 pcs - show price and lead time
|
| BZX55-C12 Product id: 26387 |
|
Manufacturer: YJ/NXP
Diodes, Bridge Rectifiers > Zener Diodes
Корпус: DO-35
Напряжение стабилизации, Vz: 12 V
Ток стабилизации, Izt: 5mA
Мощность, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурный коэффициент: 8.4mV/K
185 pcs - RADIOMAG-KyivDiodes, Bridge Rectifiers > Zener Diodes
Корпус: DO-35
Напряжение стабилизации, Vz: 12 V
Ток стабилизации, Izt: 5mA
Мощность, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурный коэффициент: 8.4mV/K
160 pcs - RADIOMAG-Lviv
471 pcs - RADIOMAG-Dnipro
2500 pcs - waiting
available 80742 pcs - show price and lead time
|
| STW12NK80Z Product id: 33689 |
|
Manufacturer: ST
Transistors > Field N-cannal
Корпус: TO-247
Uds,V: 800 V
Idd,A: 10,5 A
Rds(on), Ohm: 0,65 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87
Монтаж: THT
31 pcs - stock KyivTransistors > Field N-cannal
Корпус: TO-247
Uds,V: 800 V
Idd,A: 10,5 A
Rds(on), Ohm: 0,65 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2620/87
Монтаж: THT
5 pcs - RADIOMAG-Kyiv
|